| Найдено документов - 14 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 1. - Москва : МИЭТ, 2026. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 11.03.2026). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Сорокин, Д. В. (Sorokin, D. V.). Эффект насыщения окна памяти в элементах хранения микросхем энергонезависимой памяти с плавающим затвором / Д. В. Сорокин, Н. А. Шелепин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 120-123. | |
| Авторы: | Сорокин, Д. В., Шелепин, Н. А. |
| Ключевые слова: | Энергонезависимая память, Пороговое напряжение, EEPROM, Non-volatile memory, Threshold voltage |
| Аннотация: | Надежность и плотность хранения информации в энергонезависимых запоминающих устройствах типа EEPROM существенно зависят от окна памяти – разности пороговых напряжений в состояниях записи и стирания. Одним из факторов, ограничивающих эффективность программирования, является эффект насыщения этого параметра, природа которого требует уточнения. В работе исследованы структуры с плавающим затвором, изготовленные по 0,18-мкм КМОП-технологии. Пороговые напряжения измерены при разных амплитудах программирующих импульсов в целях выявления их влияния на параметры памяти. Установлено, что при увеличении напряжения выше определенного порогового значения происходит насыщение окна памяти: рост разности пороговых напряжений замедляется. Это явление обусловлено ограничениями на накопление заряда, а также, возможно, токами утечки и снижением электрического поля в туннельном диэлектрике. Полученные данные позволяют уточнить физические механизмы, влияющие на программирование EEPROM, и определить ограничения, налагаемые эффектом насыщения на дальнейшее повышение плотности и надежности энергонезависимых устройств |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Система цифрового управления электронной оптикой растрового электронного микроскопа / И. В. Силаев, В. В. Казьмирук, А. В. Брагин, Т. И. Радченко. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 46-57. | |
| Авторы: | Силаев, И. В., Казьмирук, В. В., Брагин, А. В., Радченко, Т. И. |
| Ключевые слова: | Растровые электронные микроскопы, Магнитные линзы, Цифроаналоговые преобразователи, Аналого-цифровые преобразователи, Фокусировка электронного пучка, Микроконтроллеры, Цифровое управление силой тока, Магнитооптика, Canning electron microscope, Magnetic lenses, Digital-to-analog converter, Analog-to-digital converter, Electron beam focusing, Microcontroller, Digital current control, Magneto-optics |
| Аннотация: | Одной из основных задач, стоящих перед разработчиками приборов и установок с применением электронных пучков, является их фокусировка и правильная геометрия. Наиболее распространенные системы фокусировки электронных пучков строятся с использованием магнитных линз. В работе представлена многоканальная система цифрового управления силой тока в магнитных линзах, позволяющая с высокой точностью и стабильностью управлять процессом фокусировки электронного пучка и поддерживать его правильную геометрию. В качестве объекта испытаний использован растровый электронный микроскоп 09-ИОЭ-200 (МРЭМ-200), в котором установлена цифровая система управления фокусировкой электронного пучка. Полученные фотографии характеризуются высоким качеством и не содержат артефактов, которые возникают в случае нестабильной фокусировки электронного луча либо при искажении его правильной геометрии. Оригинальная схемотехника с доступной элементной базой и программное обеспечение дают возможность модернизировать или адаптировать разработанную многоканальную систему под новые задачи |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Колесников, Е. Б. (Kolesnikov, E. B.). Применение управляемых фазовращателей в измерительных преобразователях переменного напряжения в постоянное / Е. Б. Колесников. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 81-93. | |
| Авторы: | Колесников, Е. Б. |
| Ключевые слова: | Измерительные преобразователи, Управляемые фазовращатели, Компараторы, Одновибраторы, Интеграторы со сбросом, Преобразователь частота–напряжение, Постоянная времени, ПИ-регуляторы, Measuring transducer, Controlled phase shifter, Comparator, Monostable multivibrator, Integrator with reset, Frequency to voltage converter, Time constant, PI controller |
| Аннотация: | Существующие измерительные преобразователи переменного напряжения в постоянное имеют такие недостатки, как ограниченный диапазон измеряемой величины, узкий диапазон рабочих частот, низкое быстродействие, невысокая точность и отсутствие возможности регулирования и изменения полярности выходного напряжения. В работе поставлена задача разработки и исследования измерительного преобразователя переменного напряжения в постоянное, свободного от недостатков существующих преобразователей. Предложен новый принцип преобразования синусоидального напряжения в постоянное, основанный на применении в устройстве фазовращателя входного сигнала в пределах 360°, который управляется переменным пилообразным напряжением неизменной амплитуды. Представлены результаты разработки измерительного преобразователя переменного напряжения в постоянное, работающего на основе предложенного принципа и имеющего более высокие показатели, чем распространенные. Приведена структурная схема разработанного преобразователя. Показано, что предлагаемый измерительный преобразователь имеет высокое быстродействие, достаточную точность и широкий диапазон рабочих частот. Составлена имитационная модель разработанного преобразователя в среде динамического моделирования Simulink пакета прикладных программ Matlab и получены осциллограммы его работы, подтверждающие работоспособность преобразователя и правильность выбора технических решений. Созданный измерительный преобразователь позволяет регулировать выходное напряжение и изменять его полярность под действием внешнего сигнала управления постоянного тока |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Повышение эффективности генерации импульсным ксеноновым разрядом УФ-излучения в спектральном диапазоне 200–300 нм / С. В. Гавриш, А. О. Потапенко, П. А. Чиликина, С. Г. Шашковский. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 69-80. | |
| Авторы: | Гавриш, С. В., Потапенко, А. О., Чиликина, П. А., Шашковский, С. Г. |
| Ключевые слова: | Импульсный разряд, Ксенон, Яркость, Ультрафиолетовое излучение, Спектральный диапазон, Короткодуговая лампа, Капиллярная лампа, Pulsed discharge, Xenon, Brightness, UV radiation, Spectral range, Short arc flash-lamp, Capillary flash-lamp |
| Аннотация: | Применение современных ультрафиолетовых технологий в медицине, микроэлектронике, военном деле требует повышения эффективности генерации УФ-излучения импульсным ксеноновым разрядом в спектральном диапазоне 200–300 нм. В работе проведены расчетные оценки яркостной температуры. Показано, что для обеспечения максимального выхода излучения в исследуемой спектральной области необходимо достичь яркостной температуры 20 000 К. Исследования серийно выпускаемых импульсных ксеноновых ламп трубчатого типа позволили установить значение яркостной температуры в диапазоне 7500–8500 К при электрической мощности разряда до 1000 Вт. Выяснено, что требуемое значение яркостной температуры можно получить при использовании импульсных короткодугового и капиллярного разрядов. Приведены основные конструктивные решения создания импульсных ламп и результаты экспериментальных исследований спектральных и энергетических характеристик, которые подтвердили расчетные оценки. Показано, что в случае импульсной короткодуговой лампы, заполненной ксеноном до давления 4 атм, достигнута яркостная температура 20 000 К, в капиллярном разряде при давлении ксенона 350 торр яркостная температура равна 14 500 К. Указаны основные направления совершенствования исследуемых газоразрядных ламп при использовании новых материалов и способов поддержания разряда |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Моделирование магнитных систем магнетронных распылительных устройств / В. И. Черкунов, А. В. Лось, А. В. Щагин, Л. А. Кузьмина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 37-45. | |
| Авторы: | Черкунов, В. И., Лось, А. В., Щагин, А. В., Кузьмина, Л. А. |
| Ключевые слова: | Магнетронное распылительное устройство, МРУ, Магнетронный разряд, Моделирование магнитного поля, Вращающаяся магнитная система, Магнетронное напыление, Физическое вакуумное осаждение, Magnetron sputtering device, MSD, Magnetron discharge, Magnetic field simulation, Rotating magnetic system, Magnetron sputtering, Physical vapor deposition |
| Аннотация: | Магнетронное распылительное устройство (МРУ) предназначено для распыления материала в вакууме и дальнейшего его осаждения на полупроводниковые пластины. Для формирования тонких пленок с хорошей равномерностью на пластинах большого диаметра (200 мм и более) в настоящее время применяются МРУ с вращающейся магнитной системой определенной формы. Данные МРУ позволяют распылять мишени большого диаметра таким образом, чтобы на пластинах, расположенных на требуемом расстоянии от МРУ, обеспечивалась необходимая равномерность осажденных пленок. В работе проведен анализ существующих методов расчета магнитных систем, используемых в МРУ разных конфигураций. Предложена методика моделирования магнитной системы определенной формы для дальнейшего ее применения в МРУ с вращающейся магнитной системой. Моделирование подобных магнитных систем позволяет более точно определять их конструкцию с учетом требований к равномерности выработки мишени или осаждения пленок. В качестве критериев работоспособности МРУ выбраны наличие магнетронного разряда, соответствие фактических формы разряда и зоны эрозии мишени расчетным данным. Экспериментально установлено, что разработанная модель дает возможность с достаточной точностью оценить зону горения плазмы и границы выработки мишени, а также работоспособность МРУ с данной магнитной системой |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Меликяну Вазгену Шаваршовичу – 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 125. | |
| Ключевые слова: | Юбилей, Биографии |
| Аннотация: | 29 января 2026 г. исполнилось 70 лет Вазгену Шаваршовичу Меликяну, членукорреспонденту Национальной академии наук Республики Армения, доктору технических наук, профессору, специалисту в области моделирования микроэлектронных схем, проектирования и оптимизации ИС с низким энергопотреблением и высоким быстродействием, директору образовательного департамента ЗАО «Синопсис Армения». Вазген Шаваршович – автор более чем 290 научных публикаций, включая две монографии. Под его руководством 90 аспирантов успешно защитили кандидатские диссертации. В. Ш. Меликян – старший член IEEE, академик Академии наук прикладной радиоэлектроники России, Украины и Беларуси, академик Международной инженерной академии, академик Инженерной академии Республики Армения, почетный профессор Сианьского университета и Национального исследовательского университета «МИЭТ» |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Коноплёву Борису Георгиевичу – 75 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 124. | |
| Ключевые слова: | Юбилей, Биографии |
| Аннотация: | 24 января 2026 г. исполнилось 75 лет Коноплёву Борису Георгиевичу, доктору технических наук, профессору, ученому в области микроэлектроники и микросистемной техники. Б. Г. Коноплёв – автор более 260 научных работ, 10 книг, 97 патентов и свидетельств на изобретения, в том числе в соавторстве. Под его руководством подготовлено 6 докторов и 15 кандидатов наук. Борис Георгиевич – член редакционных коллегий журналов «Известия вузов. Электроника», «Проектирование и технология электронных средств», «Известия ЮФУ. Технические науки» и др |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Исследование формирования и термообработки электропроводящих пленок на основе вольфрама для кантилеверов электросиловой микроскопии / А. М. Соколов, А. В. Новак, В. Д. Ковалев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 7-19. | |
| Авторы: | Соколов, А. М., Новак, А. В., Ковалев, В. Д., Сагунова, И. В., Переверзева, С. Ю. |
| Ключевые слова: | Пленки вольфрама, Электропроводящий кантилевер, Атомносиловая микроскопия, Электросиловая микроскопия, Tungsten films, Conductive cantilever, Atomic force microscopy, Electric force microscopy |
| Аннотация: | В электросиловой микроскопии при получении электрофизических данных поверхности образцов используются кантилеверы с проводящими покрытиями. Благодаря достаточно низкому удельному сопротивлению и высокой износостойкости в качестве проводящих покрытий для кантилеверов могут применяться пленки вольфрама. В работе изучена зависимость удельного сопротивления и структурных свойств пленок вольфрама толщиной ~ 40 нм, получаемых методом магнетронного напыления, от температуры отжига в атмосфере азота в диапазоне 400–900 °C. Установлено, что с повышением температуры отжига от 400 до 900 °C происходит уменьшение удельного сопротивления пленок вольфрама от 75,32 до 21,43 мкОм·см. При этом исходное значение удельного сопротивления пленок вольфрама до отжига составляло 166 мкОм·см. Показано, что более высокая температура отжига приводит к увеличению степени кристаллизации пленок вольфрама. На дифрактограмме образца, отожженного при температуре 900 °C, пик от фазы W(110) имеет наибольшую амплитуду и наименьшую ширину на полувысоте. Пленки вольфрама, отожженные при температуре 700 °C, использовали в качестве проводящих покрытий кремниевых кантилеверов для электросиловой микроскопии. Радиус острия игл кантилеверов, покрытых пленками вольфрама, составил приблизительно 20–30 нм. Тестирование проводящих кантилеверов показало, что проводимость пленок вольфрама сохраняется в интервале прикладываемого напряжения от –100 до 100 мВ, а ток между иглой и образцом графита возникает при значении напряжения от нескольких милливольт. Продемонстрировано применение кантилеверов с пленками вольфрама в сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ). Получены СЕМ-изображения тестовой кремниевой решетки с областями p- и n-типа |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Исследование датчиков удара из стеклотекстолита / А. С. Тимошенков, Е. С. Кочурина, С. А. Анчутин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 29-36. | |
| Авторы: | Тимошенков, А. С., Кочурина, Е. С., Анчутин, С. А., Дернов, И. С., Путилов, Я. И., Усов, М. И., Галкин, А. А. |
| Ключевые слова: | Датчики удара, Чувствительные элементы, Стеклотекстолит, Метод конечных элементов, Impact sensor, Sensitive element fiberglass, Finite element method |
| Аннотация: | Технологии микросистемной техники позволяют изготавливать микромеханические датчики удара, характеризующиеся малыми размерами и массой, низким энергопотреблением, стойкостью к внешним воздействующим ударам и вибрациям. Технологический процесс создания таких датчиков требует значительных временных затрат, производственных ресурсов и специального оборудования. В связи с этим подбор новых альтернативных материалов для изготовления датчиков удара – актуальная задача. В работе представлена конструкция чувствительных элементов (ЧЭ) датчиков удара, выполненных из стеклотекстолита марки FR4 High Tg170. Разработанное изделие состоит из ротора, статора и пластины, создающей зазор между ними. Методом конечно-элементного анализа проведено моделирование поведения ЧЭ при ударе. При номинальном уровне срабатывания ЧЭ 100 g его внешние размеры составили 30 30 мм при толщине 1,5 мм. Образцы изделий изготовлены и испытаны на поворотном столе центрифуги. Полученные результаты испытаний на уровень срабатывания ЧЭ показали, что большинство изделий имеют хорошую повторяемость. Однако фактические уровни срабатывания ЧЭ различаются на десятки единиц g, что связано с зависимостью уровня срабатывания от количества припоя, используемого для монтажа изделий, выбранного температурного профиля пайки и методов закрепления ЧЭ датчика удара к основанию |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Бурлака, В. В. (Burlaka, V. V.). Двунаправленный изолированный резонансный DC-AC-преобразователь / В. В. Бурлака, С. В. Гулаков, А. Ю. Головин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 58-68. | |
| Авторы: | Бурлака, В. В., Гулаков, С. В., Головин, А. Ю. |
| Ключевые слова: | Непосредственные преобразователи, Резонансные преобразователи, Двунаправленные преобразователи, LLC-преобразователи, Источники бесперебойного питания, Изолированные преобразователи, Частотное управление, Широтно-импульсная модуляция, Direct converter, Resonant converter, Bidirectional converter, LLC converter, Uninterruptible power supply, Isolated converter, Frequency control, Pulse-width modulation |
| Аннотация: | Построение систем бесперебойного питания, зарядных устройств, инверторов сопряжения с сетью солнечных панелей и других требует DC-AC-преобразования параметров электрической энергии. При этом в целях безопасности должна быть обеспечена гальваническая развязка входных и выходных цепей преобразователя. В связи с этим актeальной является задача разработки DC-AC-преобразователей, имеющих требуемые энергетические и массогабаритные характеристики. В работе на основании обзора литературы по схемным решениям преобразователей определены пути повышения эффективности схем DC-AC-преобразователей, в частности без двойного преобразования энергии в пользу непосредственного преобразования и использования резонансных цепей в силовой цепи для снижения динамических потерь в устройстве. Предложено схемное решение, описан алгоритм управления и приведены методики выбора параметров силовых компонентов двунаправленного резонансного DC-AC-преобразователя для построения систем бесперебойного питания, зарядных устройств и других систем, в которых требуется DC-AC-преобразование с гальванической изоляцией. Отличительная особенность предложенной схемы заключается в том, что преобразование выполняется в одну ступень без промежуточного накопителя энергии. Это позволяет улучшить массогабаритные и экономические характеристики конечных изделий. Представлено математическое описание работы преобразователя, получены аналитические выражения для эквивалентных параметров, рассмотрены возможности управления в разных режимах. Приведены результаты экспериментального опробования макетного образца преобразователя в режимах DC-AC- и AC-DC-преобразования, подтвердившие его работоспособность и корректность представленных теоретических выкладок |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Кисляков, С. В. (Kislyakov, S. V.). Архитектура B2X-систем для эксплуатации распределенной инфраструктуры на основе Open Digital Architecture / С. В. Кисляков, М. А. Феноменов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 112-119. | |
| Авторы: | Кисляков, С. В., Феноменов, М. А. |
| Ключевые слова: | Открытая цифровая архитектура, Open Digital Architecture, ODA, Класс систем, ИТ-система, Бизнес-процессы, Автоматизация, ТОиР, WFM, Open Digital Architecture, Class of systems, IT system, Business process, Automation, MRO |
| Аннотация: | Для качественного и своевременного обслуживания географически распределенных инфраструктур – энергетических сетей, трубопроводов и т. п. – предприятиям необходимы специализированные системы эксплуатационной поддержки. У предприятий, обслуживающих географически распределенные инфраструктуры, в ИТ-ландшафте сформировался определенный набор ИТ-систем для технического обслуживания и ремонта, а также систем, предназначенных для разных задач. Часть функциональности подобных систем можно использовать для автоматизации процессов обслуживания инфраструктуры. Однако в большинстве систем отсутствует ряд необходимых функций, касающихся, например, проведения инструктажей перед выездом бригад на опасные участки или учета средств индивидуальной защиты обслуживающего персонала. В работе отмечена актуальность разработки нового класса систем поддержки эксплуатации распределенной инфраструктуры разного назначения, обусловленная отсутствием части важной функциональности и одновременно необходимостью перехода на перспективную открытую цифровую архитектуру (Open Digital Architecture, ODA), разрабатываемую некоммерческой организацией TM Forum. Концепция ODA предполагает, что ИТ-системы должны представлять собой набор программных компонентов с минимальной «неделимой» функциональностью, соединенных стандартными открытыми прикладными программными интерфейсами. ИТ-системы не должны быть «монолитными», громоздкими, трудно заменяемыми системами. Применена новая концепция разработки ИТ-систем, и на основе ее инструментов выделены ODA-компоненты, составляющие новый класс систем. С учетом инструментов ODA предложен новый класс систем, автоматизирующих задачи эксплуатационной поддержки распределенной инфраструктуры предприятий энергетического комплекса, промышленности и т. п., – систем, автоматизирующих любое взаимодействие клиент – компания |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Трифонов, С. А. (Автор МИЭТ (аспирант); Trifonov, S. A.). Аппаратно-программный комплекс для отладки программного обеспечения бортовых систем космических аппаратов / С. А. Трифонов, А. В. Щагин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 102-111. | |
| Авторы: | Трифонов, С. А., Щагин, А. В. |
| Ключевые слова: | Аппаратно-программные комплексы, Бортовые вычислительные системы, Симуляция бортовой аппаратуры, Hardware and software complex, Onboard computer systems, Onboard equipment simulation |
| Аннотация: | Ключевой проблемой процесса отладки программного обеспечения (ПО) бортовой вычислительной системы для автоматизированных систем управления является отсутствие физических (технологических) образцов приборов бортового комплекса управления на ранних этапах разработки. Это ограничивает возможности полноценного тестирования, приводит к выявлению ошибок на поздних стадиях разработки, существенному увеличению сроков и стоимости проекта. В работе для решения данной проблемы предложена проектная концепция аппаратно-программного комплекса (АПК). В основу методологии положено объединение этапов отработки ПО в единую технологию, включающую в себя сегмент отладки переносимого ПО и сегмент отладки на программном имитаторе целевой машины. Ключевым элементом АПК является внедрение математической модели внешней среды, модели приборных средств и системы обработки данных. Для обеспечения взаимодействия компонентов разработан специализированный DLL-модуль, осуществляющий двустороннюю транспортировку сообщений по сети. В результате исследования разработана архитектура АПК, позволяющая проводить комплексную отладку ПО бортовой вычислительной системы в условиях, максимально приближенных к реальным, независимо от наличия технологических образцов аппаратуры. Комплекс обеспечивает возможность детального анализа работы системы, моделирования нештатных ситуаций и «прокрутки» протяженных сеансов с сохранением и восстановлением состояния. Предложенная концепция АПК позволяет существенно повысить надежность и качество ПО бортовой вычислительной системы за счет комплексного подхода к тестированию и отладке. Результаты работы представляют практическую значимость при разработке ПО для космических технологий |
| Поиск: | Источник |
13. Статья из журнала
| Гулаков, И. Р. (Gulakov, I. R.). Анализ изменения плоского угла зрения кремниевых фотоэлектронных умножителей в условиях сезонных температурных колебаний / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 20-28. | |
| Авторы: | Гулаков, И. Р., Зеневич, А. О., Кочергина, О. В. |
| Ключевые слова: | Оптические системы связи, Кремниевый фотоэлектронный умножитель, Плоский угол зрения, Optical communication systems, Silicon photomultiplier, Flat viewing angle |
| Аннотация: | Исследование оптических систем связи, осуществляющих передачу информации посредством лазерного или светодиодного излучения в свободном пространстве, – перспективное направление в области телекоммуникационных технологий. Эффективность работы таких систем во многом зависит от взаимного расположения источника и приемника оптического излучения, так как незначительные изменения положения передающего или приемного устройства могут привести к существенному снижению мощности принимаемого оптического излучения сигнала. В работе изучено влияние сезонных температурных колебаний на регистрирующие свойства кремниевых фотоэлектронных умножителей. Для исследования отобраны кремниевые фотоэлектронные умножители KETEK РМ 3325, ON Semi FC 30035 и KОФ5-1035, характеризующиеся сходными структурными и техническими характеристиками. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о наличии температурной зависимости плоского угла зрения данных фотоприемников. Повышение температуры в диапазоне 233–313 К приводит к уменьшению значения плоского угла зрения от 170 до 155° для KETEK РМ 3325 и ON Semi FC 30035 и от 130 до 115° для КОФ5-1035. Установлено, что уменьшение данного параметра для всех исследуемых образцов не превышает 11 %. Исследованные кремниевые фотоэлектронные умножители имеют большой плоский угол зрения (до 170°) и могут эффективно использоваться в качестве фотоприемников в открытых оптических системах связи в условиях сезонных температурных колебаний умеренного географического пояса в течение всего года без проведения сложной термостабилизации |
| Поиск: | Источник |
14. Статья из журнала
| Дорогов, В. Г. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех; Dorogov, V. G.). Алгоритм сортировки подсчетом без ограничений на размер ключа / В. Г. Дорогов, Е. Г. Дорогова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 1. - С. 94-101. | |
| Авторы: | Дорогов, В. Г., Дорогова, Е. Г. |
| Ключевые слова: | Обработка данных, Сортировка, Сортировка подсчетом, Сортировка по ключу, Короткий ключ, Длинный ключ, Эффективная сортировка, Data processing, Sorting, Sorting by counting, Sorting by key, Short key, Long key, Efficient sorting |
| Аннотация: | Сортировка данных при решении задач обработки информации влияет на такие характеристики программ, как скорость, надежность и эффективность. Сортировка данных, основанная на подсчете количества повторений для каждого значения ключа сортировки (сортировка методом подсчета), имеет существенные недостатки, например жесткие ограничения на размер ключа сортируемых данных, отсутствие привязки к сортируемым данным, что сужает область применения алгоритма. В работе идея сортировки методом подсчета развивается до полноценной сортировки, когда сортируются не только ключи, но и сопутствующие данные. Разработанный алгоритм не имеет ограничений на размер ключа сортировки. Представлены вариации предлагаемого алгоритма сортировки методом подсчета: с выделением дополнительной памяти под результирующий массив; без выделения дополнительной памяти (сортировка «на месте»); сортировка по короткому и длинному ключам. Для иллюстрации работы нового алгоритма представлен программный код на языке С++. Установлено, что сортировка «на месте» позволяет применять предложенный алгоритм в условиях ограниченной памяти |
| Поиск: | Источник |