| Найдено документов - 13 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3. - Москва : МИЭТ, 2024. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 17.07.2024). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Формирование композитных слоев TiO2-ZnO с повышенной фоточувствительностью методом электрофоретического осаждения / К. И. Пак, Л. И. Сорокина, А. В. Кузьмин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 290-299. | |
| Авторы: | Пак, К. И., Сорокина, Л. И., Кузьмин, А. В., Рязанов, Р. М., Кицюк, Е. П., Дубков, С. В., Громов, Д. Г. |
| Ключевые слова: | Диоксид титана, Оксид цинка, Электрофоретическое осаждение, Фоточувствительные материалы |
| Аннотация: | Повышение фоточувствительности диоксида титана TiO2 за счет смещения спектра поглощения в длинноволновую область солнечного спектра является актуальной задачей. Решение данной проблемы возможно благодаря модифицированию TiO2, например, с помощью создания гетероструктур с другим полупроводниковым материалом. В работе представлена разработка методики формирования фоточувствительных композитных слоев TiO2-ZnO электрофоретическим осаждением. Приведены результаты изучения фоточувствительности образцов TiO2 и TiO2-ZnO на кремниевой подложке, покрытой углеродными нанотрубками. Формирование композитных слоев TiO2-ZnO методом электрофоретического осаждения проведено с использованием стабилизирующих добавок: лаурилсульфата натрия и гидроксипропилцеллюлозы. В результате получены слои композитного материала TiO2-ZnO / углеродные нанотрубки, морфология которых изучена методом растровой электронной спектроскопии. Установлено, что добавление 50 масс. % оксида цинка ZnO в суспензию обеспечивает формирование композитного материала TiO2-ZnO с содержанием ZnO 30 масс. %. Исследование фоточувствительности полученного слоя методом хроноамперометрии показало увеличение генерируемого фототока в пять раз при использовании полного спектра ксеноновой лампы по сравнению с аналогичной структурой на основе коммерческого TiO2 P25 |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Городилов, А. В. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех). Разработка модели гибридной экспертной системы для современного промышленного производства / А. В. Городилов, А. В. Чирков. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 362-367. | |
| Авторы: | Городилов, А. В., Чирков, А. В. |
| Ключевые слова: | Гибридные экспертные системы, Рассуждения на основе правил, Машинное обучение, Промышленное производство, Оптимизация процессов |
| Аннотация: | Основная задача гибридной экспертной системы – совершенствование производственных процессов, минимизация простоев и повышение качества продукции. Гибридная конструкция системы позволяет работать с различными сценариями, адаптироваться к новым ситуациям и постоянно повышать свою эффективность. Однако существуют проблемы адаптации этих систем к уникальным особенностям различных типов производства, а также их высокой стоимости и сложности разработки и внедрения. В работе представлена модель гибридной экспертной системы, сочетающая в себе методы рассуждений на основе правил и машинного обучения, предназначенная для промышленного производства. Данная система представлена в виде циклического графа, отражающего ее способность к непрерывному обучению и адаптации. Предлагаемая модель гибридной экспертной системы является основой для разработки экспертной системы для современного промышленного производства |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Применение инерциальных МЭМС-модулей в сканирующей LiDAR- системе / А. А. Галкин, П. В. Еркин, В. П. Захаров [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 331-345. | |
| Авторы: | Галкин, А. А., Еркин, П. В., Захаров, В. П., Соломкина, Н. А., Тимошенков, А. С., Тимошенков, В. П. |
| Ключевые слова: | МЭМС, Глобальная навигационная спутниковая система, Инерциальная навигация, LiDAR-система, Картография, Автономный транспорт |
| Аннотация: | Технология LiDAR (Ligt Detection and Ranging) позволяет определять расстояние до объектов за счет измерения времени отражения импульса излучения и таким образом воссоздает виртуальную карту (облако точек). Однако LiDAR-система без инерциально-спутниковой навигационной системы, которая позволяет вычислить положение и ориентацию LiDAR-системы в пространстве, не может корректно построить облако точек, поскольку определяет только расстояние до объектов. Интегрированная система синхронизирует во времени данные LiDAR-системы и инерциально-спутниковой навигационной системы, после чего переводит данные LiDAR-системы в глобальную систему координат UTM и формирует облако точек. В работе представлены интегрированная система лазерного сканирования, включающая в себя инерциально-спутниковую навигационную систему на МЭМС-датчиках и LiDAR-систему, а также алгоритм построения облака точек. Спроектирована интегрированная сканирующая система на инерциальных МЭМС-датчиках с применением глобальной навигационной спутниковой системы и LiDAR-системы, по данным которой с помощью специализированного программного обеспечения построено облако точек. Опытный образец данной системы успешно протестирован на наземном носителе. По данным испытаний оценена практическая и теоретическая погрешности системы. Расхождение погрешностей обусловлено несоответствием практической погрешности определения координат сканирующей системы теоретической. Дальнейшие исследования заключаются в разработке автоматического алгоритма минимизации погрешностей путем подбора углов доворота инерциально-спутниковой навигационной системы и LiDAR-системы |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Ефанов, Д. В. Особенности использования кодов Хэмминга при синтезе самопроверяемых цифровых устройств на основе метода инвертирования данных / Д. В. Ефанов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 379-392. | |
| Авторы: | Ефанов, Д. В. |
| Ключевые слова: | Самопроверяемые цифровые устройства, Самодвойственная булева функция, Самоантидвойственная булева функция, Самодвойственные цифровые устройства, Самоантидвойственные цифровые устройства, Контроль вычислений на выходах цифровых устройств, Метод инвертирования данных, Классические и расширенные коды Хэмминга, Коды Хэмминга |
| Аннотация: | Коды Хэмминга характеризуются с позиции теории синтеза самопроверяемых цифровых систем следующими свойствами: их кодеры и декодеры описываются самодвойственными и самоантидвойственными булевыми функциями. При синтезе схемы внутреннего контроля по данным диагностическим признакам важно обеспечить самодвойственность и самоантидвойственность устройства. В работе рассмотрена задача построения самопроверяемых цифровых устройств с использованием временнóй избыточности и импульсного режима работы на основе метода инвертирования данных. Предложено в схемах встроенного контроля применять в качестве диагностических признаков принадлежность формируемых функций классам самодвойственных и самоантидвойственных булевых функций, а также принадлежность формируемого кодового слова заранее выбранному коду Хэмминга. Установлено, что функции, описывающие проверочные символы кодов Хэмминга, могут быть либо только самодвойственными, либо только самоантидвойственными, либо часть из них самодвойственными, а часть самоантидвойственными. Установлены значения числа символов в кодовых словах кодов Хэмминга, для которых проверочные символы описываются только самодвойственными, либо только самоантидвойственными, либо часть из них самодвойственными, а часть - самоантидвойственными булевыми функциями. Аналогичные условия установлены и для расширенных кодов Хэмминга. Приведена структура организации схемы встроенного контроля по нескольким диагностическим признакам. Отмечено, что в основе структуры может лежать любой линейный блоковый код. Однако для каждого конкретного кода должны быть определены условия, при которых проверочные символы будут описываться только самодвойственными, либо только самоантидвойственными, либо часть из них самодвойственными, а часть - самоантидвойственными булевыми функциями. Выяснено, что использование свойств кодов Хэмминга позволяет на практике синтезировать самопроверяемые цифровые устройства на основе метода инвертирования данных при контроле вычислений по нескольким диагностическим признакам |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Об итогах XXXI Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Микроэлектроника и информатика - 2024" с международным участием. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 393-402. | |
| Ключевые слова: | Конференции, МИЭТ, Микроэлектроника, Информатика |
| Аннотация: | В программу конференции включены 310 докладов, работали 11 секций: Материалы микро- и наноэлектроники; Проектирование ИС и электронных компонентов; Оборудование и технология полупроводниковых приборов и ИС; Сенсоры и микромеханика; Информационноуправляющие и вычислительные системы и устройства; Радиотехника, системы и устройства связи и телекоммуникаций; Информационные системы и технологии в цифровой экономике; Информационная безопасность; Биомедицинская электроника; Техносферная безопасность; Менеджмент, маркетинг, инновации наукоемких предприятий. На конференции выступили 254 докладчика, в том числе 195 студентов, 52 аспиранта |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Воеводин, В. А. (Автор МИЭТ, ИБ). О задаче оценивания устойчивости функционирования элементов информационной инфраструктуры, подверженной воздействию угроз информационной безопасности. II. Аналитическая математическая модель / В. А. Воеводин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 393-402. | |
| Авторы: | Воеводин, В. А. |
| Ключевые слова: | Функциональная устойчивость, Информационные инфраструктуры, Функция живучести, Угрозы информационной безопасности, Элементы информационной инфраструктуры |
| Аннотация: | Для разработки методики оценивания устойчивости функционирования элементов информационной инфраструктуры, подверженной воздействию угроз, требуется адекватная математическая модель. Существующие математические модели позволяют учитывать серию воздействий угроз и характеризуются значительной дескриптивной сложностью, которая может быть значительно снижена. В работе представлена аналитическая математическая модель, с помощью которой может быть построена функция живучести с учетом однократного воздействия угрозы. Показано, что конкретизация общей постановки задачи дает возможность значительно упростить модель оценивания устойчивости функционирования при обеспечении приемлемой достоверности получаемого результата. Установлено, что для снижения уровня сложности необходимо принять дополнительные меры по учету погрешности получаемых результатов. Приведена новая постановка задачи, при которой принимается во внимание имеющийся и требуемый ресурс для восстановления функциональности элементов. Это позволяет учесть реальную обстановку при принятии решения по обеспечению устойчивости функционирования информационной инфраструктуры |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Моделирование источников рентгеновского излучения для станции фотолитографии на технологическом накопительном комплексе «Зеленоград» / Н. В. Смоляков, Н. В. Марченков, А. М. Лебедев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 300-309. | |
| Авторы: | Смоляков, Н. В., Марченков, Н. В., Лебедев, А. М., Чумаков, Р. Г., Гончаренко, М. С., Дюжев, Н. А. |
| Ключевые слова: | Электронные накопительные кольца, Синхротронное излучение, Ондуляторы, Фотолитография |
| Аннотация: | При изготовлении элементной базы микроэлектроники ключевую роль играет фотолитография. Одним из критически сложных элементов фотолитографа является источник экстремального ультрафиолетового излучения. Таким источником может служить специализированный источник синхротронного излучения – технологический накопительный комплекс (ТНК) «Зеленоград», который в течение нескольких ближайших лет предполагается ввести в эксплуатацию. В работе представлены результаты численных расчетов мощности и потоков фотонов из различных источников электромагнитного излучения ТНК «Зеленоград» в контексте возможности его использования для фотолитографии. Рассмотрено синхротронное излучение из поворотных магнитов накопительного кольца ТНК «Зеленоград» при двух значениях энергий электронного пучка: 1,6 и 2,2 ГэВ. Расчеты проведены для узкого спектрального диапазона c длиной волны 13,5 нм и шириной 0,4 нм, а также для широкого диапазона – от 2 до 3 нм. Для этих энергий электронного пучка рассчитаны параметры ондуляторов для генерации ондуляторного излучения с длиной волны 13,5 нм. Расчеты проведены с учетом реальных ограничений технических возможностей ондуляторов: минимально возможный зазор между полюсами ондулятора, максимально возможная намагниченность его магнитных блоков. Для расчетов написаны специальные компьютерные программы. Результаты расчетов интенсивностей генерируемого в ТНК «Зеленоград» синхротронного и ондуляторного излучений позволяют утверждать, что генерируемое излучение может быть эффективно использовано в качестве источника экстремального ультрафиолетового излучения в фотолитографе |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Кристаллизация тонких пленок GE2SB2TE5 с помощью тонкопленочного резистивного нагревательного элемента для создания оптоэлектронных и интегрально-оптических элементов и устройств на их основе / В. Б. Глухенькая, Г. Н. Пестов, А. И. Гулидова [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 267-280. | |
| Авторы: | Глухенькая, В. Б., Пестов, Г. Н., Гулидова, А. И., Сауров, М. А., Смирнов, П. А., Федянина, М. Е., Козлов, А. О., Савицкий, А. И. |
| Ключевые слова: | Тонкие пленки GST, Фазопеременные материалы, Электрическое переключение, Металлические резистивные нагреватели, Джоулев нагрев, Электрический нагрев |
| Аннотация: | Тонкие пленки материала Ge2Sb2Te5 (GST) характеризуются высокой скоростью фазовых превращений (< 50 нс) и оптическим контрастом (~ 30 %) между аморфной и кристаллической структурами. Распространенным способом переключения тонких пленок GST из аморфного состояния в кристаллическое и обратно является лазерное излучение. Однако реализовать обратимое переключение элементов большой площади функциональной области GST можно только в режиме сканирования поверхности импульсным лазерным пучком, что существенно увеличивает время переключения. В работе представлена конструкция для переключения функциональной микроразмерной области GST с помощью тонкопленочного резистивного нагревательного элемента. Установлено, что кристаллизация функциональной области GST размером 100 ×100 мкм и толщиной 30 нм в fcc-структуру происходит при протекании через нагревательный элемент одиночного электрического импульса длительностью 200 мс и амплитудой 2,1 В (~ 310 мА) или при напряжении 1,7 В и токе ~ 220 мА в DС-режиме измерений. В соответствии с выполненным компьютерным моделированием при данном электрическом воздействии область GST разогревается до температуры ~ 218 °C. Полученные результаты демонстрируют возможность применения разработанной и изготовленной структуры для создания элементов энергонезависимых активных оптических и оптоэлектронных устройств, в том числе устройств отображения информации |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Шевцов, В. А. Исследование эффективности нелинейного сетевого кодирования / В. А. Шевцов, В. О. Казачков, И. Р. Летфуллин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 368-378. | |
| Авторы: | Шевцов, В. А., Казачков, В. О., Летфуллин, И. Р. |
| Ключевые слова: | Сенсорные сети, Гетерогенные сети, Сетевое кодирование, Блоковые коды, Сетевые коды, Помехоустойчивость при кодировании, Энергетическая эффективность избыточного кода |
| Аннотация: | Разработка методов канального кодирования в основном для приложений точка – точка обеспечивает приближение к пределу Шеннона. Развитие телекоммуникационных сетей с динамически меняющейся топологией и гетерогенных сетей привело к идее переноса процессов кодирования на сетевую структуру. Исследованные к настоящему времени сетевые коды при установлении соответствия между информационными и закодированными битами используют линейные алгебраические соотношения, определенные, как правило, на двух переменных. Последний фактор ограничивает применение таких линейных сетевых кодов только на топологии – два источника, один или несколько узлов кодирования. В работе исследован класс сетевых кодов, основанных на использовании нелинейной функции неограниченного числа переменных (логической функции абсолютного большинства), что позволяет их применять на более широком классе сетевых топологий. Предложены варианты сетевых топологий с произвольным числом кодируемых источников в одном узле кодирования – коммутации. Рассмотрены возможности объединения таких звездообразных фрагментов сети с использованием кластеризации. Исследованы характеристики помехоустойчивости нелинейных сетевых кодов произвольной избыточности с помощью статистических и аналитических моделей. Выработаны рекомендации по выбору структуры нелинейных сетевых кодов, обладающих наилучшей эффективностью. Адекватность статистических и аналитических моделей подтверждена имитационным моделированием |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Титов, А. Ю. (Автор МИЭТ, Ин-т НМСТ). Исследование конструкторско-технологических особенностей пространственной сборки и монтажа функционального микромодуля / А. Ю. Титов, А. И. Погалов, С. П. Тимошенков. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 281-289. | |
| Авторы: | Титов, А. Ю., Погалов, А. И., Тимошенков, С. П. |
| Ключевые слова: | Функциональные микромодули, Пространственная сборка, Материалы микросоединения, Термомеханическая прочность, Напряженнодеформированное состояние, Моделирование, Конструктивно-технологические рекомендации, Защита от внешних воздействий |
| Аннотация: | Для создания электронных изделий на базе перспективных технологий необходимы новые конструктивные варианты, учитывающие возможности коммутации элементов и компонентов, распределенных в ограниченном объеме. Гибкие платы на сегодняшний день не имеют альтернативы при обеспечении максимальной плотности коммутации, а также при пространственной сборке и монтаже микромодулей. В работе рассмотрены разработанные технологические процессы сборки и монтажа функционального микромодуля с защитой от внешних воздействий. Проведено моделирование с использованием метода конечных элементов для машинной реализации. Получена объемная картина распределения деформаций и напряжений в функциональном модуле. Показано, что созданная конструкция позволяет снизить массогабаритные характеристики, повысить надежность, обеспечить эффективный теплоотвод, электромагнитное экранирование и виброизоляцию микромодулей. Предложен новый способ сборки кремниевых кристаллов с использованием упоров. Осуществлен подбор материалов, изучены возникающие механические напряжения в соединении. Выявлены оптимальные данные с минимальными коэффициентами концентрации напряжений для обеспечения прочности и функционирования материалов, что дало возможность повысить выносливость соединений при циклических термомеханических воздействиях. На основании разработанных конечно-элементных моделей материалов, включая расчетные, а также узлов функционального микромодуля и принципов их использования проведен анализ напряженно-деформированного состояния, тепловых процессов, эффективности электромагнитного экранирования, способов защиты от вибрации и ударов, расчета прочности и долговечности, что позволило выбрать рациональные материалы, способы сборки и монтажа, конструкцию элементов и соединений |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Рехвиашвили, С. Ш. Исследование влияния оптического излучения на интегральную микросхему ТТЛ-типа / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 310-318. | |
| Авторы: | Рехвиашвили, С. Ш., Гаев, Д. С. |
| Ключевые слова: | Интегральные микросхемы ТТЛ-типа, Статические характеристики, Динамические характеристики, Оптическое излучение, Быстродействие, Схемотехническое моделирование |
| Аннотация: | Задача повышения быстродействия полупроводниковых интегральных микросхем цифровых устройств решается схемотехническими и конструктивно-технологическими методами. К схемотехническим методам относятся форсирование динамического режима с помощью корректирующих цепей, использование фиксирующих и шунтирующих диодов, нелинейной обратной связи и токовых переключателей. Конструктивнотехнологические методы включают в себя миниатюризацию активных и пассивных компонентов на чипе, уменьшение паразитных емкостей, работу в режимах с высокими значениями плотностей токов базы и коллектора или тока стока, снижение перепадов напряжений между низкими и высокими уровнями в сигналах. Повышение быстродействия возможно также за счет применения принципов оптоэлектроники. В работе представлены результаты исследований функционирования интегральной микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ-типа) при воздействии на нее немодулированного излучения, создаваемого красным лазером. Измерены статические и динамические характеристики микросхемы при различных интенсивностях воздействия. Показано, что изменение характеристик при оптическом воздействии обусловлено увеличением времени жизни неравновесных носителей заряда и фотовольтаическим эффектом в p–n-переходах. Разработана SPICE-модель сложного инвертора ТТЛ-типа, учитывающая указанные физические эффекты. Результаты схемотехнического моделирования качественно воспроизводят полученные экспериментальные результаты. Проведенные исследования могут быть применены для создания быстродействующих интегральных микросхем на биполярных транзисторах принципиально нового типа |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Варианты реализации устройств восстановления тактовых сигналов и данных в составе КМОП высокоскоростных приемопередатчиков последовательных каналов. Обзор / Н. Ю. Раннев, С. В. Кондратенко, В. Д. Байков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 346-361. | |
| Авторы: | Раннев, Н. Ю., Кондратенко, С. В., Байков, В. Д., Дубинский, А. В., Горшкова, Н. М., Скок, Д. В. |
| Ключевые слова: | Приемопередатчики, Тактовые сигналы, Фазовые детекторы, Интегральная микросхема |
| Аннотация: | Возрастающие требования к скоростям высокоскоростных приемопередатчиков обусловливают многочисленные варианты реализации входящих в их состав критичных устройств. К таким устройствам относятся, в частности, устройства восстановления тактовых сигналов и данных (ВТСД) в составе высокоскоростных приемников. Для уменьшения числа вариантов построения устройств ВТСД целесообразно провести анализ доступной информации с учетом прежде всего прототипов со скоростями не ниже 10 Гбит/с, выполненных по субмикронной объемной КМОП-технологии и наиболее востребованных на практике. Это позволит выявить основные тенденции развития устройств ВТСД и облегчит решение задачи их проектирования. В работе на основании анализа публикаций последних лет выполнены обзор и классификация вариантов реализации устройств ВТСД. Приведены примеры конкретных вариантов реализации устройств ВТСД на архитектурном и схемотехническом уровнях согласно сформулированным критериям. Проанализирован состав основных функциональных блоков, достаточный для построения наиболее сложных архитектур устройств ВТСД. Приведено детальное описание принципов функционирования одного из перспективных прототипов устройств ВТСД и предложены альтернативные варианты реализации его отдельных узлов, направленные на улучшение параметров устройств ВТСД. Определена тенденция перевода блоков устройств ВТСД в цифровую часть, что дает очевидные преимущества с точки зрения несложной их реализации по технологии с низким напряжением питания ядра и проектирования с возможностью автоматизированного синтеза схемы и топологии по высокоуровневому представлению |
| Поиск: | Источник |
13. Статья из журнала
| Аубакиров, Р. Р. (Автор МИЭТ (аспирант)). Алгоритм проектирования LC-контуров с параллельной компенсацией в приемном контуре для систем индуктивного питания / Р. Р. Аубакиров, К. О. Гуров, А. А. Данилов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 3. - С. 319-330. | |
| Авторы: | Аубакиров, Р. Р., Гуров, К. О., Данилов, А. А. |
| Ключевые слова: | Индуктивная передача энергии, Алгоритмы проектирования, Катушечная пара, Геометрическая оптимизация, Биомедицинская электроника |
| Аннотация: | Алгоритмы, основанные на методах оптимизации геометрии катушек, позволяют повышать устойчивость к смещениям без усложнения конструкции, как это происходит при использовании разных форм обратной связи. Существенной особенностью таких алгоритмов является необходимость учета схемы параллельной или последовательной компенсации реактивной мощности в передающем и принимающем LC-контурах. В работе на основе предложенного ранее алгоритма для систем с последовательной компенсацией в приемном и передающем контурах разработан алгоритм для систем с последовательной компенсацией в передающей части и параллельной компенсацией в приемной части. Данный алгоритм учитывает допустимое значение индуктивности катушки в принимающем контуре при заданных рабочей частоте и компенсирующей емкости. Преимущество представленного алгоритма проектирования заключается в разрабатываемых с его помощью системах индуктивной передачи энергии с высокой устойчивостью к смещениям катушечной пары с помощью оптимальной геометрии катушек без усложнения конструкции системы индуктивной передачи энергии. Разработанная система работает на резонансной частоте и в области сверхкритической связи, что обеспечивает высокие эффективность передачи энергии и уровень выходной мощности. Выполнено проектирование систем с номинальной мощностью 0,1 Вт и рабочими частотами 6,78 МГц и 880 кГц. Требования по устойчивости к обеим система сформулированы так: ΔPL не более 0,01 Вт (10 % от номинала) для боковых смещений в пределах 0–30 мм, т. е. при боковых смещениях, достигающих радиуса принимающей катушки. Осевое расстояние между катушками принято постоянным и равно 10 мм. Показано, что разработанный алгоритм позволяет проектировать передающий и принимающий LC-контуры так, что перепад выходной мощности не превышает 10 % от номинала для смещений, достигающих радиуса приемной катушки индуктивности. Паразитные эффекты, которые не учитываются в алгоритме, могут приводить к уменьшению выходной мощности системы на 3–7 %, что можно компенсировать увеличением напряжения питания или увеличением заданной номинальной мощности на 2–4 % при использовании алгоритма для проектирования системы |
| Поиск: | Источник |