| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 9. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Журавлев, М. Н. (Автор МИЭТ). Полевые p-канальные транзисторы на основе GaN/AlN/GaN-гетероструктуры на кремниевой подложке / М. Н. Журавлев, В. И. Егоркин. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 9. - С. 773-778. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/56993 (дата обращения: 18.04.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Журавлев, М. Н., Егоркин, В. И. |
| Ключевые слова: | AlN/GaN-гетероструктуры, Двумерный дырочный газ, P-канальные транзисторы, Поляризация |
| Аннотация: | Рассмотрены различные конструкции полевых p-канальных транзисторов на основе GaN/AlN/GaN-гетероструктуры. Канал создается поляризационно-индуцированным двумерным дырочным газом. Показано, что наибольшие значения тока насыщения и крутизны наблюдаются в транзисторе с затвором, формируемым двумерным электронным газом со стороны подложки |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |