| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 1. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2024. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Электрохимическое профилирование структур n^+/n GaAs для полевых транзисторов / Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2024. - № 1. - С. 53-61. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/57636 (дата обращения: 18.04.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Протасов, Д. Ю., Камеш, П. П., Свит, К. А., Дмитриев, Д. В., Макеева, А. А., Рзаев, Э. М., Журавлев, К. С. |
| Ключевые слова: | Электрохимическое профилирование, Дефекты травления, Искажение профиля концентрации, GaAs |
| Аннотация: | Показано, что при использовании стандартного рецепта электрохимического профилирования, в котором применяется интенсивное освещение галогеновой лампой мощностью до 250 Вт n^+/n GaAs-структуры для генерации необходимых для травления дырок, при использовании электролита этилендиаминуксусной кислоты получаемый профиль распределения электронов отличается от задаваемого во время роста для концентрации электронов в n^+-слое >4· 1018 см-3. Такое отличие связано с появлением и развитием ямок травления, обусловленных увеличением степени дефектности слоев GaAs при возрастании концентрации донорной примеси - кремния. Для получения адекватных профилей распределения электронов в n^+/n GaAs-структурах необходимо ограничивать освещение до 25 Вт |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |