Сортировать по:
1. Статья из журнала
Формирование монокристаллических пленок сплава Гейслера на основе соединения CоFeMnSi на подложке MgO / И. В. Верюжский, А. С. Приходько, Ф. А. Усков [и др.]. - Текст : электронный
// ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2024. - № 22. - С. 61-64. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/59139 (дата обращения: 19.11.2024). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Верюжский, И. В., Приходько, А. С., Усков, Ф. А., Григорашвили, Ю. Е., Боргардт, Н. И.
Ключевые слова:Спинтроника, Бесщелевые полупроводники, Сплав Гейслера, Импульсное лазерное осаждение, Электронная микроскопия
Аннотация:Метод импульсного лазерного осаждения применен для выращивания на атомарно-гладкой поверхности подложки MgO (100) тонких пленок CоFeMnSi, представляющих интерес для современной спинтроники. Оптимизация температуры подложки, энергии и частоты импульсов лазерного источника позволила сформировать сплошные, однородные по толщине монокристаллические пленки без последующего высокотемпературного отжига. С помощью электронно-микроскопических исследований и дифракционного анализа образцов поперечного сечения выращенных на подложке пленок продемонстрировано, что они имеют совершенную кубическую кристаллическую структуру. Показано, что атомные плоскости CоFeMnSi 202 сопрягаются с параллельными им плоскостями подложки MgO 020, а рассогласование между их межплоскостными расстояниями, равное 4.65%, приводит к образованию дислокаций несоответствия на границе раздела
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет