Разработка микросхемы 6-разрядного фазовращателя системы АФАР КА-диапазона на основе технологии GAAS HEMT 250 нм / Е. Ю. Котляров, В. В. Лосев, Ю. А. Чаплыгин [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 2(194). - С. 5-18. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832922 (дата обращения: 26.02.2025).
Авторы:	Котляров, Е. Ю., Лосев, В. В., Чаплыгин, Ю. А., Хлыбов, А. И., Родионов, Д. В., Михайлов, В. Ю.
Ключевые слова:	Интегральные микросхемы, Фазовращатели, КА-диапазон, СВЧ, GaAs
Аннотация:	Статья посвящена аспектам разработки цифровых фазовращателей Ка-диапазона частот для использования в приемо-передающем тракте систем с фазированными антенными решетками,на основе библиотеки GaAs pHEMT 250 нм. В рамках данной работы продемонстрирован процесс выбора и адаптации схемотехнических решений для реализации схемы 6-разрядного фазовращателя с минимальным вносимым ослаблением и фазовой ошибкой при использовании микрополосковых линий задержки в качестве фазосдвигающих элементов
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832922

Калёнов, А. Д. (Автор МИЭТ). Метод проектирования интегрального переключателя 1 в 4 / А. Д. Калёнов, В. В. Лосев, М. С. Кульпинов. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 2(194). - С. 32-36. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832926 (дата обращения: 26.02.2025).
Авторы:	Калёнов, А. Д., Лосев, В. В., Кульпинов, М. С.
Ключевые слова:	СВЧ, Переключатели, Развязка, Потери, КМОП
Аннотация:	В работе приведено описание метода проектирования и расчёта дифференциального переключателя 1 в 4 с компенсацией паразитного сигнала. Разработка дифференциальных переключателей с расширенной полосой роботы является важной и трудоёмкой задачей. В статье представлены результаты проектирования и моделирования дифференциального переключателя 1 в 4 с расширенной полосой работы с использованием технологии КМОП 180 нм
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832926

Возможности и ограничения формирования топологических размеров в функциональных слоях микроэлектронных и фотонных ИМС в циклических импульсных процессах вакуумно-плазменного травления / В. Ю. Абросимов, В. Ю. Киреев, О. В. Панкратов [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 2(194). - С. 42-79. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832930 (дата обращения: 26.02.2025).
Авторы:	Абросимов, В. Ю., Киреев, В. Ю., Панкратов, О. В., Певчих, К. Э., Розанов, Р. Ю.
Ключевые слова:	Технологические возможности, Технологические ограничения, Непрерывные процессы вакуумно-плазменного травления, Циклические процессы вакуумно-плазменного травления, Формирование световодов фотонных ИМС, Анизотропное травление кремния, Бош-процессы, Процессы STIGER, Процессы OXIETCH, Процессы атомно-слоевого травления, TECHNOLOGICAL CAPABILITIES AND LIMITATIONS, CONTINUOUS AND CYCLIC PROCESSES OF VACUUM PLASMA ETCHING, FORMATION OF PHOTONIC IC LIGHT GUIDES, MECHANISMS AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICS OF CYCLIC PROCESSES OF ANISOTROPIC ETCHING OF SILICON, VARIOUS VARIANTS OF THE BOSCH PROCESS, STIGER AND OXIETCH PROCESSES, ATOMIC LAYER ETCHING PROCESSES
Аннотация:	Рассмотрена проблема обеспечения гладкости боковых стенок структур при формировании топологических размеров в органических резистивных маскирующих покрытиях и их переносе на функциональные слои кристаллов микроэлектронных и фотонных интегральных микросхем в непрерывных и циклических процессах вакуумно-плазменного травления(ВПТ). Проведена классификация процессов ВПТ по механизму воздействия на обрабатываемые структуры, проанализированы виды и механизмы процессов ВПТ кремния с непрерывной и циклической подачей реагентов, включая различные варианты Бош-процесса, процессов STiGer и OxiEtch, а также атомно-слоевого травления(АСТ). Как показал анализ и проведённые нами эксперименты, непрерывные процессы ВПТ не могут обеспечить формирование структур световодов с атомарной гладкостью горизонтальных и боковых поверхностей. Кроме того, непрерывные процессы ВПТ используют относительно высокие 100…300 эВ энергии ионов, поэтому они не могут обеспечить толщину нарушенных слоёв под вытравленной поверхностью на атомарном уровне. Только комбинация циклических процессов ВПТ с реализацией АСТ на последней стадии способна обеспечить формирование световодов с атомарной гладкостью горизонтальных и боковых поверхностей и нарушенным слоем с толщиной на атомарном уровне
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832930

Kalyonov, A. D. (Автор МИЭТ). Design method of a 1-in-4 integrated switch / A. D. Kalyonov, V. V. Losev, M. S. Kulpinov. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 2(194). - С. 37-41. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832928 (дата обращения: 26.02.2025).
Авторы:	Kalyonov, A. D., Losev, V. V., Kulpinov, M. S.
Ключевые слова:	GAAS, MMIC, PHASE SHIFTER, KA-BAND, GHZ
Аннотация:	В работе приведено описание метода проектирования и расчёта дифференциального переключателя 1 в 4 с компенсацией паразитного сигнала. Разработка дифференциальных переключателей с расширенной полосой роботы является важной и трудоёмкой задачей. В статье представлены результаты проектирования и моделирования дифференциального переключателя 1 в 4 с расширенной полосой работы с использованием технологии КМОП 180 нм
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832928

250 nm GAAS HEMT ka-band 6-bit phase shifter design / E. Yu. Kotlyarov, V. V. Losev, Yu. A. Chaplygin [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 2(194). - С. 19-31. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832924 (дата обращения: 26.02.2025).
Авторы:	Kotlyarov, E. Yu., Losev, V. V., Chaplygin, Yu. A., Khlybov, A. I., Rodionov, D. V., Mikhailov, V. Yu.
Ключевые слова:	Интегральные микросхемы, Фазовращатели, КА-диапазон, СВЧ, GaAs
Аннотация:	Статья посвящена аспектам разработки цифровых фазовращателей Ка-диапазона частот для использования в приемо-передающем тракте систем с фазированными антенными решетками,на основе библиотеки GaAs pHEMT 250 нм. В рамках данной работы продемонстрирован процесс выбора и адаптации схемотехнических решений для реализации схемы 6-разрядного фазовращателя с минимальным вносимым ослаблением и фазовой ошибкой при использовании микрополосковых линий задержки в качестве фазосдвигающих элементов
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=76832924