Сортировать по:
1. Статья из журнала
Спорадический способ обработки аварийных данных в распределенных энергосистемах / Е. М. Портнов, В. В. Кокин, Ту Тант Си [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 362-373.
Авторы:Портнов, Е. М., Кокин, В. В., Си Ту Тант Син, Аунг Чжо Мьо, Волков, А. С.
Ключевые слова:Телеуправление, Распределенные энергообъекты, Телесигнализация, Спорадический способ, Аварийные каналы, Циклические опросы, Информационные потоки, Remote control, Distributed power facility, Remote signaling, Sporadic method, Emergency channel, Cyclic polling, Information flows
Аннотация:Для контроля состояния распределенных энергообъектов применяется периодический опрос, который проводится вне зависимости от текущего состояния объектов и их изменений в смежные временные циклы. Данный способ приводит к значительному снижению быстродействия информационных обменов, особенно при возникновении аварий, что делает разработку новых подходов к обработке аварийной информации необходимой. В работе рассмотрен спорадический способ обработки аварийной информации для систем управления распределенными энергообъектами. Представлена методика расчета интенсивности информационных потоков и определена средняя загрузка центра, обрабатывающего стационарный поток канала телесигнализации-телеуправления при циклическом методе ввода данных. Анализ интенсивности стационарного потока канала телесигнализации-телеуправления показал, что каких-либо существенных затруднений при его обслуживании в обрабатывающем центре не возникает. Проведен анализ интенсивности аварийного обобщенного потока канала и оценена способность обрабатывающего центра обслуживать указанный поток без задержки, так как для систем управления сложными распределенными энергообъектами главным критерием качества является обслуживание пикового потока аварийной информации. Математически обосновано, что интенсивность аварийного потока канала телесигнализации-телеуправления оказывается выше допустимых значений. Показано, что предложенный спорадический способ обработки аварийной информации позволяет передавать данные только в случае возникновения существенных событий, например изменения состояния контролируемого объекта (телесигнализации), выход измеряемого параметра за пределы апертуры, что снижает количество неинформативных запросов. Применение разработанного способа снижения интенсивности аварийного потока, основанного на применении предложенного спорадического метода ввода данных, обеспечивает снижение загрузки обрабатывающего центра в пять раз
Поиск:Источник
2. Статья из журнала
Сигову Александру Сергеевичу – 80 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 376.
Ключевые слова:Юбилей, Биографии
Аннотация:31 мая 2025 г. исполнилось 80 лет Александру Сергеевичу Сигову, ученому в области элементной базы информационных систем, твердотельной электроники и физического материаловедения, академику РАН
Поиск:Источник
3. Статья из журнала
Программный симулятор для оценки алгоритмов автоматизированной инсулинотерапии / Д. А. Чупраков, К. В. Пожар, Э. И. Струкова, Н. С. Кирюточкин. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 334-343.
Авторы:Чупраков, Д. А., Пожар, К. В., Струкова, Э. И., Кирюточкин, Н. С.
Ключевые слова:Персонализированная автоматизированная инсулинотерапия, Математическое моделирование метаболизма человека, тестирование компонентов инсулинотерапии, Personalized automated insulin therapy, Mathematical modeling of human metabolism, Insulin therapy components testing
Аннотация:Новые системы и алгоритмы автоматизации управления введением лекарственных средств в организм человека требуют обязательной верификации до проведения испытаний непосредственно на пациентах. Для комплексной оценки эффективности разрабатываемых систем и алгоритмов автоматизированной инсулинотерапии требуется создание программного инструмента. В работе предложена методика программного обеспечения для оценки эффективности функционирования системы автоматизированной инсулинотерапии, имеющего три режима работы: проверка алгоритма управления инсулиновым насосом, проверка математической модели метаболизма человека и идентификация модели. В основе программного обеспечения использована математическая модель метаболизма человека, характеризующаяся высокой степенью полноты и точности. Показано, что численное решение модели для заданных сценария внешних возмущений и алгоритма управления позволяет как графически, так и по набору статистических, технических и медицинских метрик оценить эффективность управления. Реализована имитация погрешностей технических элементов системы инсулинотерапии, таких как инсулиновый насос и монитор глюкозы, а также временных и амплитудных задержек введения данных о внешних возмущениях пользователем. Возможно сравнение пользовательских математических моделей, записанных в виде систем обыкновенных дифференциальных уравнений, со встроенной моделью. Программное обеспечение, реализованное на языке Python с открытым исходным кодом, позволяет создавать цифровой двойник реального пациента для дальнейшего использования в симуляциях путем идентификации встроенной математической модели по набору экспериментальных данных. Разработан графический интерфейс и подобраны методы решения дифференциальных уравнений и методы оптимизации. Применение предложенного программного обеспечения позволит ускорить и упростить процесс разработки новых методов, алгоритмов управления и математических моделей, используемых для автоматизации инсулинотерапии пациентов с сахарным диабетом 1-го типа
Поиск:Источник
4. Статья из журнала
Памяти Неволина Владимира Кирилловича. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 374-375.
Ключевые слова:Неволин В. К., Биографии, Памяти профессора
Аннотация:На 84-м году ушел из жизни Владимир Кириллович Неволин – доктор физикоматематических наук, профессор, руководитель научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология», главный научный сотрудник Института интегральной электроники имени академика К. А. Валиева Национального исследовательского университета «МИЭТ»
Поиск:Источник
5. Статья из журнала
Гагарина, Л. Г. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех).
Об итогах Круглого стола «Большие языковые модели в преподавательской практике университета и колледжа с учетом психофизических факторов» / Л. Г. Гагарина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 379-380.
Авторы:Гагарина, Л. Г.
Ключевые слова:Конференции, Круглый стол «Большие языковые модели в преподавательской практике университета и колледжа с учетом психофизических факторов», Обзоры докладов
Аннотация:10 апреля 2025 г. в Институте СПИНТех Национального исследовательского университета «МИЭТ» прошел Круглый стол «Большие языковые модели в преподавательской практике университета и колледжа с учетом психофизических факторов». В работе Круглого стола принимали участие заинтересованные в интеграции технологий искусственного интеллекта в образовательный процесс ученые Института системного анализа Федерального исследовательского центра «Информатика и управление» РАН (ИСА ФИЦ ИУ РАН), отдела Обработки и передачи информации в когнитивных системах Института проблем передачи информации РАН им. А. А. Харкевича, Института программных систем им. А. К. Айламазяна РАН, НИЯУ МИФИ, РАНХиГС при Президенте Российской Федерации, СПИНТех МИЭТ, Смоленского государственного университета, педагоги-психологи Московского городского педагогического университета, Московского техникума креативных технологий, преподаватели Колледжа информатики и электроники МИЭТ
Поиск:Источник
6. Статья из журнала
Об итогах 32-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Микроэлектроника и информатика – 2025» с международным участием. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 381-382.
Ключевые слова:Конференции, Обзоры докладов, МИЭТ, Микроэлектроника и информатика, Юбилей 60 лет МИЭТ
Аннотация:24–25 апреля 2025 г. в Национальном исследовательском университете «МИЭТ» состоялась 32-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика – 2025», посвященная 60-летию МИЭТ. На конференции выступили 269 докладчиков, в том числе 210 студентов, 43 аспиранта
Поиск:Источник
7. Статья из журнала
Неволину Владимиру Николаевичу – 80 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 377.
Ключевые слова:Юбилей, Биографии
Аннотация:20 июня 2025 г. исполняется 80 лет Владимиру Николаевичу Неволину, доктору физико-математических наук, профессору, ученому в области физики твердого тела, лазерных технологий, физики тонких пленок и наносистем, заслуженному деятелю науки Российской Федерации
Поиск:Источник
8. Статья из журнала
Концентрация напряженности температурного поля на поверхности включений графена в композите с полимерной матрицей / И. В. Лавров, В. В. Бардушкин, В. Б. Яковлев, Е. С. Мигунова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 259-273.
Авторы:Лавров, И. В., Бардушкин, В. В., Яковлев, В. Б., Мигунова, Е. С.
Ключевые слова:Композиты, Матрицы, Графен, Включения, Операторы концентрации напряженности температурного поля, Обобщенное сингулярное приближение, Composite, Matrix, Graphene, Inclusion, Temperature field strength concentration operators, Generalized singular approximation
Аннотация:Значительный градиент температурного поля, который воз- никает в композиционных материалах вблизи границ раздела однородных компонентов с существенно различающимися теплопроводящими характеристиками, может приводить к ухудшению эксплуатационных характеристик материалов. В связи с этим актуально прогнозирование локальных температурных полей на границах между компонентами в композите. В работе рассмотрена задача вычисления напряженности температурного поля на границе включения в матричном композите со стороны матрицы. В обобщенном сингулярном приближении получены выражения для оператора концентрации напряженности температурного поля на поверхности анизотропных включений в форме сильно сжатых эллипсоидов в матричном композите в зависимости от положения точки на поверхности включения, объемной доли включений в материале, ориентации включения по отношению к направлению напряженности приложенного температурного поля. Данный оператор связывает поля на поверхности включения со стороны матрицы со средним значением напряженности температурного поля в образце композита. На основе полученных выражений проведены модельные расчеты для композита с полимерной матрицей типа ЭД-20 и включениями из многослойного графена. Вычислены значения модуля напряженности температурного поля в точках на ребрах включений со стороны матрицы при фиксированном значении напряженности приложенного температурного поля при разных аспектных отношениях эллипсоидов, моделирующих форму графеновых включений, а также при разных значениях углов, описывающих взаимную ориентацию включения и вектора напряженности приложенного поля. Показано, что в случае графеновых многослойных включений в точках на их острых ребрах напряженность поля со стороны полимерной матрицы может на несколько порядков превышать напряженность приложенного поля
Поиск:Источник
9. Статья из журнала
Конвейеризация умножителя Уоллеса для однотактного процессора с архитектурой RISC-V / Н. Шевцов, В. Т. Хисамов, А. Л. Переверзев, Н. Э. Терновой. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 313-323.
Авторы:Шевцов, Н., Хисамов, В. Т., Переверзев, А. Л., Терновой, Н. Э.
Ключевые слова:Умножители, Конвейеризация, Однотактные процессоры, Критический путь, Алгоритм «дерево Уоллеса», Среднее время выполнения программы, ПЛИС, Multiplier, Pipelining, Single-cycle processor, Critical path, Wallace tree, Average program execution time, FPGA
Аннотация:Повышение производительности микропроцессора возможно путем расширения набора исполнительных устройств, которые могут быть представлены как комбинационными, так и последовательностными схемами. Интеграция комбинационного умножителя в однотактный процессор значительно повышает критический путь процессора, что влечет за собой снижение его общей производительности. Данная проблема может быть решена конвейеризацией устройства умножения, это целесообразно ввиду малой доли операций умножения в целочисленных программах. В работе рассмотрен конвейеризированный умножитель с последующей интеграцией в однотактный процессор. Умножитель разработан с использованием алгоритма «дерево Уоллеса», относящегося к алгоритмам ускоренного умножения. В качестве архитектуры процессора для интеграции разрабатываемого умножителя выбрана открытая архитектура RISC-V. Для определения критического пути и затрачиваемых ресурсов проект имплементирован под ПЛИС, метрики сняты по результатам синтеза в САПР Vivado. Для оценки производительности процессора использована метрика среднего времени выполнения программы. Исследование данной метрики для разной глубины конвейера умножителя, а также разной доли операций умножения в программе позволило определить прирост производительности, который дает конвейеризация умножителя
Поиск:Источник
10. Статья из журнала
Ефанов, Д. В. (Efanov, D. V.).
Коды с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел : I. Свойства кодов с суммированием / Д. В. Ефанов, Е. И. Елина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 344-361.
Авторы:Ефанов, Д. В., Елина, Е. И.
Ключевые слова:Системы технического диагностирования дискретных устройств, Модульные взвешенные коды с суммированием, Последовательность весовых коэффициентов, Натуральные ряды, Discrete devices technical diagnostics systems, Modular weight-based sum codes, Sequence of weight coefficients, Natural series
Аннотация:Помехозащищенные блоковые равномерные коды имеют основное значение в выборе способов синтеза дискретных устройств с обнаружением неисправностей. Свойства обнаружения ошибок в информационных символах кодовых слов определяют подходы к решению задач построения устройств с самопроверяемыми структурами. В работе исследованы особенности и характеристики кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю. Данные помехоустойчивые коды построены с условием ограничения на число информационных символов m < M, где M – значение модуля. Определены свойства обнаружения ошибок рассматриваемыми кодами в информационных векторах, которые целесообразно учитывать при разработке дискретных устройств с обнаружением неисправностей. Установлены преимущества рассматриваемого класса кодов перед широко известными модульными кодами с суммированием единичных разрядов, а также модульных взвешенных кодов с суммированием с весовыми коэффициентами из натурального ряда, за исключением степеней двойки. Приведены недостатки рассматриваемого класса кодов с суммированием. Установленные особенности и характеристики кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю могут эффективно использоваться при разработке и проектировании дискретных устройств и систем с обнаружением неисправностей и ошибок в вычислениях
Поиск:Источник
11. Статья из журнала
Пилькевич, А. В. (Pilkevich, A. V.).
Исследование теплового режима микрополосковых аттенюаторов с навесными пленочными поглощающими элементами / А. В. Пилькевич, В. Д. Садков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 324-333.
Авторы:Пилькевич, А. В., Садков, В. Д.
Ключевые слова:Аттенюаторы, Пленочные поглощающие элементы, ПЭ, Микрополосковая линия, Способы монтажа, Тепловые режимы, Конструктивные параметры, Attenuator, Film absorbing element, AE, Microstrip line, Mounting arrangements, Thermal condition, Design parameters
Аннотация:Применение аттенюаторов с навесными поглощающими элементами на основе распределенных резистивных структур при различных способах их монтажа в микрополосковый тракт обеспечивает не только снижение затрат на стадиях проектирования, освоения и эксплуатации ВЧ- и СВЧ-устройств, но и повышенную широкополосность, меньшую чувствительность к точечным дефектам и неоднородностям, разбросу технологических параметров, большую надежность и температурную стабильность по сравнению с поглощающими элементами на базе дискретных пленочных резисторов, изготовленных по П- или Т-схемам. Важный параметр надежной и эффективной работы аттенюатора – тепловой режим. Повышенная температура и ее неравномерное распределение по поверхности резистивной пленки поглощающего элемента приводят к деградации точностных характеристик, сокращению срока службы и выходу аттенюатора из строя. В работе с использованием программного комплекса Autodesk Simulation CFD проведен анализ установившегося теплового режима микрополосковых аттенюаторов с пленочными навесными поглощающими элементами, имеющими габариты 2 × 2 мм и 1 × 1 мм, на основе распределенных резистивных структур. Исследовано влияние способа монтажа поглощающего элемента (резистивной пленкой вниз, вверх, в отверстие в микрополосковой линии), топологии резистивной пленки и величины ослабления, вида и толщины материала подложки, металлизации ее обратной стороны на максимальную температуру и ее распределение в резистивной пленке поглощающего элемента аттенюатора. Полученные результаты позволяют количественно оценить степень воздействия исследуемых конструктивных параметров на тепловой режим аттенюатора, существенно влияющий на надежность, точностные характеристики и уровень рассеиваемой мощности. Результаты моделирования представлены в виде графиков, проанализированы и могут быть использованы для оптимизации конструкций микрополосковых аттенюаторов, а также других устройств с навесными элементами при рассмотренных способах монтажа
Поиск:Источник
12. Статья из журнала
Дубовому Николаю Дмитриевичу– 90 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 378.
Ключевые слова:Юбилей, Биографии
Аннотация:20 июня 2025 г. исполняется 80 лет Владимиру Николаевичу Неволину, доктору физико-математических наук, профессору, ученому в области физики твердого тела, лазерных технологий, физики тонких пленок и наносистем, заслуженному деятелю науки Российской Федерации24 июня 2025 г. исполняется 90 лет Николаю Дмитриевичу Дубовому, доктору технических наук, профессору, ученому в области электроники и автоматики, заслуженному деятелю науки Российской Федерации
Поиск:Источник
13. Статья из журнала
Гидротермальный синтез композитных наноструктур TiO2/SrTiO3 для применения в фотокатализе / М. Д. Кружалина, А. М. Тарасов, Д. А. Дронова [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 274-286.
Авторы:Кружалина, М. Д., Тарасов, А. М., Дронова, Д. А., Волкова, Л. С., Трегубов, А. В., Журина, Е. С., Шабаева, Е. Н., Дубков, С. В., Громов, Д. Г.
Ключевые слова:Диоксид титана TiO2, Титанат стронция SrTiO3, Диоксид углерода CO2, Гидротермальный синтез, Нанонити, Фотокаталитическая активность, Titanium dioxide TiO2, Strontium titanate SrTiO3, Carbon dioxide CO2, Hydrothermal synthesis, Nanoscale filaments, Catalytic activity
Аннотация:Повышение фотокаталитической активности диоксида титана TiO2 путем формирования композитов с полупроводниками типа перовскита – актуальная проблема в технологии полупроводникового фотокатализа. Для образования подобных структур с TiO2 используется титанат стронция SrTiO3. В работе описана методика получения композитов TiO2/SrTiO3, образованных нанокубами SrTiO3 на поверхности нитевидного TiO2 в целях улучшения его фотокаталитической активности. Нанокубический SrTiO3 получен из восьмиводного гидроксида стронция Sr(OH)2×8H2O и титаната водорода H2Ti3O7 в ходе двухстадийной гидротермальной реакции. Описана методика формирования слоя композита TiO2/SrTiO3 на подложку из титановой фольги для исследований фотокаталитических свойств методом газовой хроматографии. Представлены результаты исследования морфологии наноструктур TiO2/SrTiO3 методом растровой электронной микроскопии и фазового состава образцов методом рентгенофазового анализа в зависимости от температуры синтеза и температуры постобработки. Приведены результаты измерения оптической ширины запрещенной зоны композита TiO2/SrTiO3, полученные методом спектроскопии диффузного отражения. На основе значений выхода компонентов описаны результаты исследования фотокаталитической активности образцов в реакции восстановления диоксида углерода CO2. Результаты показывают, что общий выход продуктов реакции увеличился в три раза с использованием композита TiO2/SrTiO3 по сравнению с коммерческим диоксидом титана TiO2 P25
Поиск:Источник
14. Статья из журнала
Высокотемпературные контактные системы W-Co/Ag-Zn для термоэлементов / Е. П. Корчагин, Ю. И. Штерн, А. М. Лавренова [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 293-302.
Авторы:Корчагин, Е. П., Штерн, Ю. И., Лавренова, А. М., Штерн, М. Ю., Рогачев, М. С., Бабич, А. В.
Ключевые слова:Термоэлементы, Контактные системы, Коммутационные слои, Электрохимическое осаждение, Thermoelement, Contact system, Interconnect layers, Electrochemical deposition
Аннотация:Качество контактов в термоэлементах существенным образом определяет их эффективность. В контактных системах формирование функционирующих в области высоких температур коммутационных слоев должно осуществляться при температурах, исключающих деградацию термоэлектрических генераторов. В работе для коммутации термоэлементов, используемых в высокотемпературных термоэлектрических генераторах, предложена методика формирования пленочной контактной системы W-Co/Ag-Zn, состоящей из диффузионно-барьерного и коммутационного слоев, сформированных электрохимическим осаждением металлов и их сплавов. Определены составы электролитов и режимы формирования контактных слоев. Барьерный слой реализован на основе сплава W-Co, коммутационный слой – на основе сплава Ag-Zn. Коммутационный слой сформирован послойным осаждением пленок сначала Ag, затем Zn. Толщина пленок соответствует необходимому соотношению масс для образования сплава Ag-Zn. Коммутационный слой обеспечивает неразъемное соединение в термоэлементе до температуры 600 °C, при этом сплав Ag-Zn образуется в области температур, исключающих деградацию термоэлектрических материалов, на поверхности которых формируется контакт. Установлено, что контактная система W-Co/Ag-Zn термостабильна при температуре до 600 °C, обладает высокой адгезионной прочностью 10,6–11,5 МПа и низким удельным контактным сопротивлением, не превышающим (3,4–3,6)⋅10–9 Ом·м2
Поиск:Источник
15. Статья из журнала
Влияние облучения ионами N+ , Ar+ , He+ на структуру коллоидного графита / З. М. Хамдохов, З. Ч. Маргушев, З. Х. Калажоков, Х. Х. Калажоков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 287-292.
Авторы:Хамдохов, З. М., Маргушев, З. Ч., Калажоков, З. Х., Калажоков, Х. Х.
Ключевые слова:Пленка коллоидного графита, Углерод, Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Colloidal graphite film, Carbon, X-ray photoelectron spectroscopy
Аннотация:Коллоидные графиты широко применяются в качестве компонентов при производстве графитовых смесей и технологических смазок в промышленности, а также в электронике для изготовления автоэмиссионных сред холодных катодов. Известно, что физико-химические свойства таких пленок в значительной степени определяются соотношением в ней концентраций углерода в валентных состояниях sp2 и sp3 . Поэтому методы модификации графитовых пленок, позволяющие управлять указанным соотношением валентных состояний, актуальны. В работе исследовано влияние облучения ионами N+ , Ar+ , He+ на содержание атомов углерода в состояниях sp2 - и sp3 -гибридизации в углеродных пленках, полученных с помощью аэрозольного распыления коллоидного раствора марки Graphite 33 на стеклянные подложки с субмикронным слоем нитрида титана на поверхности. Пленки подвергнуты облучению ионами N+ , Ar+ , He+ с энергией 7 кэВ и плотностью тока ~ 0,3 мА/см2 при комнатной температуре. Исследование методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии поверхности данных образцов показало, что бомбардировка ионами азота вызывает разупорядочение графитовых кластеров sp2 и их последующую трансформацию в структуры sp3 . Установлено, что количество атомов в состоянии sp2 -гибридизации уменьшается, а содержание атомов углерода в состоянии sp3 -гибридизации значительно увеличивается
Поиск:Источник
16. Статья из журнала
Адаптивное управление совмещением и позиционированием элементов при автоматизации сборочных операций / Ю. С. Шевнина, В. В. Зайцев, А. А. Винокуров [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 3. - С. 303-312.
Авторы:Шевнина, Ю. С., Зайцев, В. В., Винокуров, А. А., Хвостик, П. М., Конюхов, Е. В.
Ключевые слова:Автоматизация сборочных операций, Управление совмещением, Методы и средства позиционирования элементов, Математическая модель процессов автоматизированного управления, Контрольные точки, Assembly operations automation, Alignment control, Element positioning methods and tools, Mathematical model of automated control processes, Checkpoints
Аннотация:Низкая точность и недостаточная скорость совмещения и позиционирования элементов при автоматизированной сборке приводят к увеличению брака в работе конечных изделий, снижению общей производительности производства. Разработка метода управления совмещением и позиционированием элементов (СПЭ), позволяющего повысить точность сборочных операций за счет улучшенной обработки данных о состоянии исполнительных механизмов и оборудования, – актуальная задача. В работе представлены особенности математического моделирования СПЭ в автоматизированных сборочных операциях в микроэлектронике. На основе исследования особенностей автоматизации сборочных операций приведена формализация задачи управления СПЭ. Выявлены основные параметры, влияющие на скорость и точность выполнения автоматизированных сборочных операций при производстве изделий микроэлектроники. Учтены горизонтальные, вертикальные и поворотные сдвиги элементов относительно друг друга и технологического стола. Представлена математическая модель прямой и обобщенной траекторий совмещения и позиционирования элементов при автоматизированной сборке. Указано условие достижения совмещения и позиционирования элементов изделий микроэлектроники с требуемой точностью и скоростью. Рассмотрен способ формирования базы знаний положений элементов изделий микроэлектроники. Разработанный метод управления СПЭ при автоматизированной сборке изделий микроэлектроники позволяет реализовывать интеллектуальные алгоритмы управления сборочными операциями
Поиск:Источник