| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Интегральный субтерагерцовый волноводный реконфигурируемый аттенюатор на основе материала Ge2Sb2Te5 с фазовой памятью / С. В. Селиверстов, А. К. Кожуховский, Д. Г. Фудин [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - № 2. - С. 84-90. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/60981 (дата обращения: 15.08.2025). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Селиверстов, С. В., Кожуховский, А. К., Фудин, Д. Г., Святодух, С. С., Лазаренко, П. И., Терехов, Д. Ю., Проходцов, А. И., Невзоров, А. А., Светухин, В. В., Ковалюк, В. В., Гольцман, Г. Н. |
| Ключевые слова: | Халькогенидные полупроводники, Материал с фазовой памятью GST, Терагерцовая фотоника, Высокоомный кремний |
| Аннотация: | Использование халькогенидных полупроводниковых соединений, в частности материала Ge-Sb-Te с фазовой памятью, имеет важное значение для дальнейшего развития микро- и наноэлектроники, в том числе для создания пространственно-временных терагерцовых модуляторов для высокоскоростной беспроводной связи, элементов нейроморфной фотоники, метаматериалов для машинного обучения, а также плазмонных устройств и приложений, обеспечивающих хранение данных с возможностью их дальнейшей реконфигурации. В данной работе исследуется изменение проходящего через терагерцовый волновод сигнала в зависимости от фазового состояния тонкой пленки Ge-Sb-Te, покрывающей волновод. В рамках работы были изготовлены два варианта волноводов: безоболочечные и на основе эффективной среды. Материал фазовой памяти применялся для управления параметрами проходящего сигнала. В ходе экспериментов было установлено, что значение контраста в поглощении между аморфным и кристаллическим состояниями Ge-Sb-Te превышает 10 дБ для случая, когда ориентация вектора напряженности поля, распространяющегося по волноводу, перпендикулярно слою Ge-Sb-Te. Полученные результаты открывают возможность использования разработанных элементов в качестве реконфигурируемых аттенюаторов при создании устройств интегральной терагерцовой фотоники |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |