| Найдено документов - 13 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 4. - Москва : МИЭТ, 2025. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 02.09.2025). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Формирование и исследование гибких ГКР-подложек методом робокастинга / Ю. В. Чумаченко, М. А. Володченко, Д. В. Новиков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 432-441. | |
| Авторы: | Чумаченко, Ю. В., Володченко, М. А., Новиков, Д. В., Тарасов, А. М., Дубков, C. В. |
| Ключевые слова: | 3D-печать, Гигантское комбинационное рассеяние, ГКР-подложки, Спектроскопия комбинационного рассеяния, Гибкие подложки, Робокастинг, 3D printing, Surface-enhanced Raman spectroscopy, SERS substrate, Raman spectroscopy, Flexible substrate, Robocasting |
| Аннотация: | В настоящее время в спектроскопии гигантского комбинационного рассеяния света (ГКР) применяются твердотельные ГКР-подложки, характеризующиеся высокой чувствительностью. Однако при работе с ними требуется сложная процедура подготовки образцов, включая подготовку жидкого аналита. Решением данной проблемы могут стать гибкие ГКР-подложки, позволяющие проводить забор аналита контактным методом. В работе предложен новый способ получения гибкой полимерной ГКР-подложки на основе поливинилового спирта с плазмонными наночастицами серебра. Подложка сформирована путем нанесения раствора поливинилового спирта с нитратом серебра на кремниевую и стеклянную подложки методом робокастинга с последующим отрывом от подложки после высыхания. Наночастицы серебра образуются в результате восстановления нитрата серебра в пленке из поливинилового спирта посредством термического отжига в воздушной атмосфере в диапазоне температур 110–160 °C. Оптические свойства и ГКР-активность полученной подложки исследованы на спектрофотометре и рамановском спектрометре. Исследован раствор малахитового зеленого микро- и наномолярных концентраций на гибкой ГКР-подложке с 0,1 М нитрата серебра. Установлены предел детектирования и коэффициент усиления структуры, равные 100 нМ и 6 × 104 соответственно |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Зезин, Д. А. (Zezin, D. A.). Сравнение наборов инструментов для проектирования ИС с технологией 180 нм для применения в учебном процессе / Д. А. Зезин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 520-526. | |
| Авторы: | Зезин, Д. А. |
| Ключевые слова: | Проектирование интегральных схем, Технология 180 нм, Свободное программное обеспечение, Протокол NFC, Integrated circuits design, 180 nm technology, Free open-source software, FOSS, NFC protocol |
| Аннотация: | Использование набора инструментов проектирования (Process Design Kit, PDK) в образовательном процессе и его передача студентам может привести к разглашению конфиденциальной информации. В связи с этим возникает потребность поиска альтернативного и открытого PDK, максимально близкого к целевому по технологическим нормам, количеству слоев металлизации, итоговым площадям, потребляемой интегральной схемой мощности. В работе рассмотрена возможность замены проприетарного PDK HCMOS8D на свободно распространяемый PDK gf180MCU с библиотеками стандартных цифровых ячеек. В качестве типового объекта проектирования для подготовки студента выбран сложнофункциональный цифровой блок контроллера беспроводной передачи данных на основе протокола NFC. В качестве инструментов проектирования использованы свободные программы с открытым исходным кодом OpenLane и OpenROAD и проприетарный стек программного обеспечения компании Cadence. Получены топологии сложнофункционального цифрового блока для следующих вариаций PDK: HCMOS8D HS, HCMOS8D LL, gf180 7T, gf180 9T с применением маршрутов проектирования Cadence и OpenROAD. По итогу проектирования для каждой вариации рассчитаны занимаемая площадь на кристалле, суммарная потребляемая мощность, рассмотрен состав примитивов, полученных в результате синтеза. Проведен сравнительный анализ технологий и сделаны выводы об их взаимозаменяемости. Установлено, что технология gf180MCU может быть использована для предварительной оценки размеров кристалла, который впоследствии может быть перенесен на технологию HCMOS8D |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Коршунов, А. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл; Korshunov, A. V.). Снижение фазового шума в SiP-системах путем оптимизации динамического импеданса цепей питания / А. В. Коршунов, Е. Ю. Щучкин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 469-477. | |
| Авторы: | Коршунов, А. В., Щучкин, Е. Ю. |
| Ключевые слова: | Фазовые шумы, Цепи питания, SiP-системы, Фильтрующие конденсаторы, Phase jitter, Power supply nets, System in package, SiP, Filter capacitor |
| Аннотация: | Производительность систем в корпусе (System in Package, SiP) для цифровой обработки сигналов во многом зависит от скорости обмена данными между микросхемами внутри системы. Одна из проблем, ограничивающая скорость обмена данными, – фазовый шум. В работе рассмотрено влияние импеданса цепей питания на фазовый шум при передаче данных между процессорами внутри SiP-системы. Предложен подход к определению амплитуды фазовых шумов на основе моделирования работы SiP-системы с применением IBIS-моделей приемопередатчиков и S-параметров топологии корпуса. Установлено, что применение в составе SiP-систем фильтрующих конденсаторов, обеспечивающих низкий импеданс цепей питания на частоте работы приемопередатчиков и ее гармониках, позволяет значительно снизить уровень фазовых шумов. Показано, что лучших результатов можно достичь, если подобрать конденсаторы по итогам моделирования топологии корпуса в САПР |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Лекомцев, П. С. (Автор МИЭТ (магистрант); Lekomtsev, P. S.). Резервуарные вычисления на основе полупроводниковой системы с прыжковым транспортом / П. С. Лекомцев, Р. Т. Сибатов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 391-399. | |
| Авторы: | Лекомцев, П. С., Сибатов, Р. Т. |
| Ключевые слова: | Прыжковый транспорт, Легированный кремний, Нейроморфные вычисления, Резервуарные вычисления, Мемристивные системы, Hopping transport, Doped silicon, Neuromorphic computing, Reservoir computing, Memristive system |
| Аннотация: | В контексте физических резервуарных вычислений ключевой проблемой является поиск масштабируемых и технологически доступных материалов с управляемыми динамическими характеристиками и пригодных для реализации нейроморфных вычислительных структур. Материалы с прыжковым механизмом переноса представляются перспективными для этих целей. В работе исследованы резервуарные вычисления на основе модели прыжкового транспорта носителей заряда в сетке локализованных состояний с энергетическим беспорядком. Показана возможность адаптации весов выходного слоя для прогнозирования сложных нелинейных стохастических временных рядов. Численные эксперименты подтверждают эффективность предложенного подхода. Выявлены ограничения используемой топологии, аналогичной нейросети прямого распространения с преимущественным направлением переноса заряда. Для дальнейшего повышения эффективности подобных нейроморфных систем необходимо учитывать недиагональный беспорядок и мемристивные эффекты, возникающие при модификации скорости перескоков между узлами под действием протекающего тока. Полученные результаты могут использоваться при разработке новых архитектур нейроморфных вычислительных систем на основе полупроводниковых систем с прыжковым транспортом |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Манилова, Г. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ФПМ; Manilova, G. V.). Расчет пондеромоторной силы электростатического прижима монополярного типа в установке плазмохимического травления / Г. В. Манилова, В. С. Трактирщиков, М. Е. Ширяев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 442-450. | |
| Авторы: | Манилова, Г. В., Трактирщиков, В. С., Ширяев, М. Е. |
| Ключевые слова: | Электростатические прижимы, Электростатическое крепежное устройство, ЭКУ, Электроадгезия, Плазмохимическое травление, ПХТ, Пондеромоторная сила, Electrostatic chuck, Electrostatic fixing device, ESC, Electroadhesion, Plasma chemical etching, PCE, Ponderomotive force |
| Аннотация: | Фиксация положения кремниевой пластины в установке плазмохимического травления осуществляется с помощью электростатического крепежного устройства (ЭКУ). Для повышения производительности требуется совершенствование ЭКУ, в частности увеличение и обеспечение равномерности распределения по поверхности пластины силы прижима с учетом необходимости эффективного теплоотвода от нее. В работе проведены теоретическая оценка возникающей в ЭКУ монополярного типа пондеромоторной силы в кулоновском приближении и сравнение полученной оценки с экспериментальными данными. Выведена формула электростатической пондеромоторной силы, учитывающая сложную структуру ЭКУ (кремний – гелий – керамика – вольфрам) и нанесенный на керамику микрорельеф. При моделировании учтено наличие шероховатостей на микрорельефе. Согласно расчетам установлено, что сила прижима чувствительна к таким параметрам, как площадь контактной и бесконтактной области, коэффициент контакта кремниевой пластины с керамикой ЭКУ, толщина верхнего слоя керамики. Для всех проведенных серий измерений результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальными значениями пондеромоторной силы, возникающей в ЭКУ монополярного типа со следующими характеристиками: керамика ВК100-ДН с содержанием Al2O3 не менее 99,6 %, ε = 10,0 при U = 1,5 кВ для пластины диаметром 150 мм |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Болотин, Ю. С. (Автор МИЭТ (аспирант); Bolotin, Yu. S.). Разработка алгоритмов ранжирования с контекстной адаптацией для рекомендательных систем / Ю. С. Болотин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 508-519. | |
| Авторы: | Болотин, Ю. С. |
| Ключевые слова: | Рекомендательные системы, Алгоритмы ранжирования, Коллаборативная фильтрация, Гибридные модели, Персонализация, Машинное обучение, Recommender systems, Ranking algorithms, Collaborative filtering, Hybrid models, Personalization, Machine learning |
| Аннотация: | Адаптация современных подходов к специфике локальных данных и поведению пользователей позволяет повысить эффективность персонализированных рекомендаций. В настоящее время многие компании активно внедряют технологии рекомендательных систем для улучшения пользовательских рекомендаций и увеличения конверсии. В работе рассмотрены современные алгоритмы ранжирования в рекомендательных системах и предложен подход к их улучшению. Для решения задачи эффективного построения персонализированных рекомендаций для новых пользователей, не имеющих достаточной истории взаимодействия с объектами системы, предложена математическая модель ранжирования объектов, использующая комбинированный подход с учетом исторических данных и контекстной информации. Разработаны алгоритмы офлайн- и онлайн-фаз формирования рекомендаций. Офлайн-алгоритм включает в себя сбор и анализ матрицы оценок, а также построение графа неявной информации. Онлайн-алгоритм использует социальные и контекстные данные для выбора оптимальной модели прогнозирования. Программный комплекс реализован в виде модульной архитектуры, поддерживающей интеграцию дополнительных источников данных, таких как OCR, GPT и внешние факторы (погода, местоположение, время суток). Эффективность системы оценена метриками F1-меры. По результатам экспериментов разработанная система показала улучшение метрики качества на 2 и 12 % по сравнению с программными средствами Adobe Target и Amazon Personalize соответственно |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Прогностическое моделирование дефектов в изделиях микроэлектроники на основе нейросетевых ансамблей / Ю. С. Шевнина, П. М. Хвостик, В. В. Зайцев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 487-496. | |
| Авторы: | Шевнина, Ю. С., Хвостик, П. М., Зайцев, В. В., Винокуров, А. А., Портнов, Е. М. |
| Ключевые слова: | Выходной контроль качества, Управление технологическими процессами, Прогностическое моделирование, Состояние производства, Output quality control, Process control, Prognostic modeling, Production state |
| Аннотация: | При управлении автоматизированным производством проблемой является отсутствие эффективных методов обработки данных, учитывающих низкое качество материалов, неправильное соединение компонентов и другие нарушения технологических процессов, а также несовершенство оборудования, его износ и неверные настройки, ошибки в проектировании микросхем и компонентов микроэлектроники. В работе рассмотрены подходы к обработке данных при управлении технологическими процессами, позволяющие учитывать взаимосвязи между различными локальными факторами состояния производства, в том числе приводящими к дефектам выпускаемых изделий. Особое внимание уделено интеллектуальному анализу накопленных данных о состоянии внешней производственной среды, исполнительных узлов и механизмов при возникновении и обнаружении дефекта. Дана математическая модель дефекта с упорядоченным набором его характеристик и их значений. Для обработки данных выходного контроля качества изделий использован ансамбль нейронных сетей, что позволяет строить прогностические модели состояния производства и определять критические факторы, влияющие на глобальные технологические процессы. Приведены критерии для определения степени влияния выявленного фактора на состояние производства. Полученная прогностическая модель позволяет определять стандарты измерения состояния производства и формировать управляющее воздействие для его корректировки |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Лемонджава, В. Н. (Автор МИЭТ (аспирант); Lemondzhava, V. N.). Оценка повторяемости измерений при определении продолжительности нагрева донорской плазмы крови малых объемов / В. Н. Лемонджава, С. В. Селищев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 478-486. | |
| Авторы: | Лемонджава, В. Н., Селищев, С. В. |
| Ключевые слова: | Термообработка плазмы крови, Оценка повторяемости измерений, Blood plasma thermal treatment, Measurement repeatability evaluation |
| Аннотация: | В настоящее время не существует единого представления о том, как продолжительность нагрева донорской плазмы крови влияет на изменение ее свойств. Результаты независимых работ, направленных на определение такого влияния, имеют значительные расхождения. В работе для исследования свойств донорской плазмы крови представлена экспериментальная установка, позволяющая выполнять нагрев образцов малого объема с различной интенсивностью при постоянной температуре теплоносителя. Проведена оценка повторяемости измерений при определении продолжительности нагрева плазмы с использованием экспериментальной установки. В каждом из четырех режимов работы установки выполнено по 16 запусков технологической операции в условиях повторяемости согласно ГОСТ Р ИСО 21748–2021. Продолжительность нагрева установлена путем отслеживания изменений температуры раствора натрия хлорида, близкого по теплофизическим характеристикам к плазме крови. Температура вещества измерена контактным методом с использованием термопар, помещенных в полимерный контейнер в виде трубки, заполненной раствором. Проведено сравнение результатов измерений в каждом режиме работы установки, позволившее определить влияние изменений в условиях нагрева на его повторяемость. Сопоставлены также результаты повторяемости нагрева вещества в экспериментальной установке и нагрева образцов плазмы с использованием устройств, применяемых в производственной трансфузиологии. Подтверждена возможность обеспечения разной продолжительности нагрева образцов плазмы крови малых объемов при постоянной температуре теплоносителя в условиях повторяемости |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Мемристорные эффекты и анизотропия в композите полиимид – TiV с нитевидными проводящими каналами / А. Н. Бойко, М. Д. Кочергин, Д. В. Вертянов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 422-431. | |
| Авторы: | Бойко, А. Н. , Кочергин, М. Д., Вертянов, Д. В., Гаев, Д. С., Пебалк, Д. В. |
| Ключевые слова: | Композитные материалы, Полиимид, Проводящие композиты, Мемристорный эффект, Туннельная проводимость, Мультифункциональные материалы, Гибкая электроника, Слои перераспределения, Composite materials, Polyimide, Conducting composites, Memristor effect, Tunnelling conductivity, Multifunctional materials, Flexible electronics, Redistribution layers |
| Аннотация: | Для создания новых материалов и элементной базы микроэлектроники необходимо решать задачи управления электрической проводимостью полимерных композитов и поиска актуальных областей их применения. Композиты, основанные на полимерах, при внедрении дисперсных частиц в полимерную матрицу приобретают уникальные свойства. Титан и его сплавы характеризуются исключительными механическими трибологическими свойствами, коррозионной устойчивостью, биосовместимостью и антибактериальными свойствами, благодаря чему широко применяются в биомедицине. В работе с применением электронной микроскопии, энергодисперсионной и рентгенофлюоресцентной спектроскопии, измерений электрических характеристик исследованы электрофизические свойства композитного материала на основе полиимида ПИ-ЛК2В и порошка TiV. Показана возможность переключения образцов в проводящее состояние с помощью специального режима электроформовки. Образцы демонстрируют наличие нелинейности ВАХ, гистерезиса и анизотропии электрических свойств. Обнаружены варисторный и мемристорный эффекты, которые объясняются образованием тонких нитевидных проводящих каналов в материале композита. Результаты исследования могут быть использованы в интегральной электронике для создания композитных функциональных материалов с управляемыми проводящими и диэлектрическими свойствами, в технологиях многоуровневой разводки и перераспределительных слоев |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Ефанов, Д. В. (Efanov, D. V.). Коды с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел : II. Синтез тестеров кодов с суммированием / Д. В. Ефанов, Е. И. Елина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 497-507. | |
| Авторы: | Ефанов, Д. В., Елина, Е. И. |
| Ключевые слова: | Системы технического диагностирования дискретных устройств, Модульные взвешенные коды с суммированием, Последовательность весовых коэффициентов, Натуральный ряд, Systems of technical diagnostics of discrete devices, Modular weight-based sum codes, Sequence of weight coefficients, Natural series |
| Аннотация: | При использовании кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю для синтеза самопроверяемых дискретных устройств необходим контроль принадлежности формируемых кодовых слов конкретному коду. Это осуществляется с использованием детекторов или тестеров кодов. Последние строятся самопроверяемыми, что важно для создания полностью самопроверяемых структур. В работе предложены методы синтеза тестеров для кодов с суммированием, основанные на методах дискретной математики и теории булевых функций. Описаны подходы к синтезу тестеров взвешенных кодов с суммированием. Показано, что тестеры эффективно строятся по двухкаскадной структуре, включающей в себя кодер и компаратор. Компаратор в такой структуре является стандартным устройством, синтезируемым на основе k–1 модуля сжатия парафазных сигналов, где k – число проверочных символов кода. Так как реализации кодеров будут иметь разные технические характеристики, например показатели структурной избыточности, быстродействия, контролепригодности, проведен синтез кодеров взвешенных кодов с суммированием. Предложен способ синтеза кодеров кодов, используемых в структурах тестеров. Дано сравнение показателей сложности реализации кодеров рассматриваемого класса кодов с суммированием с кодерами для других кодов с суммированием. Показано, что кодеры кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю имеют более простые структуры, чем кодеры кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел, за исключением степеней двойки. Предложенный способ синтеза кодеров кодов с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю позволяет на практике реализовывать самопроверяемые тестеры данных кодов, эффективно используемые при синтезе самопроверяемых дискретных устройств |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Исследование резонансно-туннельного диода Ван-дер-Ваальса в режиме, совмещающем функции триггера и генератора / Э. А. Ильичев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 451-468. | |
| Авторы: | Ильичев, Э. А., Петрухин, Г. Н., Рычков, Г. С., Демидова, А. Н., Корляков, Д. А. |
| Ключевые слова: | 2D-электроника, Графен, Туннельные приборы, Резонанснотуннельные гетеропереходы, N-образная ВАХ, Динамические системы, Фазовый портрет системы, Предельный цикл, Особая точк, Триггеры, Генераторы, 2D electronics, Graphene, Tunneling devices, Resonant tunneling heterojunctions, N-shaped current-voltage characteristic, Dynamic system, Phase portrait of system, Limit cycle, Singular point, Trigger, Generator |
| Аннотация: | Резонансно-туннельные диоды Ван-дер-Ваальса (vdW РТД) с N-образной ВАХ позволяют разрабатывать высокоэффективную элементную базу для систем обработки и передачи информации. Поведение vdW РТД как динамической системы существенно зависит от суммарного сопротивления графеновых слоев R и металлических контактов к ним и минимального абсолютного отрицательного дифференциального сопротивления RN ВАХ vdW-гетероперехода. Система может выполнять функцию генератора при RN ≫ R или триггера при RN ≪ R. Данные случаи исследованы полностью. Случай RN < R изучен недостаточно, особенно при R ≈ RN, когда vdW РТД как динамическая система может обладать свойствами триггера и генератора. В работе проанализирован «смешанный» режим для ВАХ vdW-гетероперехода, представленной кубическим трехчленом. Использованы методы качественной теории дифференциальных уравнений. Показано, что экспериментальная ВАХ vdW РТД при RN < R имеет прямоугольную петлю и при возникновении автоколебаний дополнительно может иметь наклонную «полочку». Предложен метод восстановления ВАХ гетероперехода на основе характерных параметров экспериментальной ВАХ vdW РТД. Полученные результаты для ВАХ vdW-гетероперехода в виде кубического трехчлена можно применять к реальным РТД, аппроксимируя падающую часть ВАХ vdW-гетероперехода кубическим трехчленом. Полученные результаты могут служить дополнением к теории и проектированию схем, содержащих туннельные диоды (ТД-схемы) |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Исследование зависимости структуры, состава и фотоэлектрохимических свойств нанотрубок анодного оксида титана от времени синтеза и температуры последующей обработки / Д. Д. Бутманов, М. Ю. Прудникова, С. С. Самсонов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 411-421. | |
| Авторы: | Бутманов, Д. Д., Прудникова, М. Ю., Самсонов, С. С., Новиков, Д. В., Савчук, Т. П., Дронова, Д. А. |
| Ключевые слова: | Нанотрубки, Оксид титана, Оптические сенсоры, Квантовая эффективность, УФ-спектроскопия, Анализаторы спектра, Nanotubes, Titanium oxide, Optical sensor, Quantum efficiency, UV spectroscopy, Spectrum analyzer |
| Аннотация: | Создание датчиков УФ-спектра с узким и легко варьируемым диапазоном чувствительности является актуальной проблемой для решения задач детектирования УФ-излучения и определения его спектрального состава. Эта проблема может быть решена путем использования массивов нанотрубок анодного оксида титана (НТАОТ) в качестве резистивных фотодетекторов. В работе описаны зависимости спектров квантовой эффективности массивов НТАОТ от времени анодного окисления и температуры термической обработки. Массивы НТАОТ получены при анодном окислении титановой фольги во фторсодержащем электролите на основе этиленгликоля в потенциостатическом режиме. Представлены результаты исследования морфологии наноструктур НТАОТ методом растровой электронной микроскопии и фазового состава образцов и интенсивности люминесценции методом комбинационного рассеивания света в зависимости от времени проведения процесса анодного окисления и температуры постобработки. Приведены результаты измерения квантовой эффективности массивов НТАОТ, полученные методом спектроскопии фототоков. Установлено, что максимум эффективности для длины волны 360 нм характерен для образцов, сформированных в течение 1 ч и термически обработанных при температуре 400 °C, максимум квантовой эффективности, расположенный на длинах волн менее 300 нм, характерен для образцов, подвергшихся анодному окислению в течение 5 мин и обработанных при температуре 350 °C |
| Поиск: | Источник |
13. Статья из журнала
| Румянцев, А. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ФПМ; Rumyantsev, A. V.). Влияние стратегии сканирования фокусированного ионного пучка на процесс распыления кремния при формировании микро- и наноструктур / А. В. Румянцев, Н. И. Боргардт, Р. Л. Волков. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 4. - С. 400-410. | |
| Авторы: | Румянцев, А. В., Боргардт, Н. И., Волков, Р. Л. |
| Ключевые слова: | Фокусированный ионный пучок, Распыление, Кремний, Электронная микроскопия, Focused ion beam, Sputtering, Silicon, Electron microscopy |
| Аннотация: | Для формирования микро- и наноструктур на подложках из различных материалов применяется метод фокусированного ионного пучка. Суть метода заключается в том, что узкий зонд ионов галлия перемещается по поверхности образца и, останавливаясь в некоторых точках, локально удаляет материал путем его распыления. Характеристики процесса распыления при использовании метода фокусированного ионного пучка существенно зависят от выбранной стратегии сканирования ионного пучка по образцу. В работе для определения характеристики процесса распыления применены стандартная многопроходная и построчная стратегии сканирования. Исследования изготовленных прямоугольных углублений c латеральными размерами от 100 нм до 20 мкм и глубиной от 30 до 700 нм выполнены методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа. Выявлено, что переход от многопроходных перемещений ионного пучка к построчному сканированию позволяет уменьшить концентрацию имплантированного галлия от 25 до 20 ат. % в условиях плавного распыления материала образца и от 45 до 6 ат. % при его краевом распылении. На примере углублений больших размеров продемонстрировано, что использование стратегии построчного сканирования позволяет приблизительно в 6 раз увеличить эффективный коэффициент распыления материала ионным пучком и примерно на 25 % уменьшить толщину аморфизованного слоя облученной подложки кремния. Показано, что уменьшение концентрации имплантированных атомов галлия при краевом распылении происходит при термическом отжиге структур. Применение предложенного подхода позволит формировать микро- и наноструктуры с низким содержанием атомов галлия в приповерхностной области |
| Поиск: | Источник |