| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 6. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Моделирование профиля распределения электронов по люминесцентному экрану при исследовании полупроводникового полевого катода / А. Г. Колосько, Б. Э. Мутыгуллин, С. В. Филиппов [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - № 6. - С. 319-323. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/61565 (дата обращения: 07.11.2025). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Колосько, А. Г., Мутыгуллин, Б. Э., Филиппов, С. В., Попов, Е. О., Соков, С. А., Нечаев, М. С., Лобанов, Б. В., Демин, Г. Д., Мицкевич, А. А. |
| Ключевые слова: | Полевая эмиссия из полупроводников, Моделирование траекторий электронов в COMSOL, Распределение плотности тока, Полевой эмиссионный проектор |
| Аннотация: | Представлен алгоритм моделирования профиля распределения плотности эмиссионного тока по поверхности плоского проводящего анода при холодной полевой эмиссии из полупроводникового катода конической формы с полусферической вершиной. Разработка включает в себя построение траекторий движения электронов от катода к аноду и обработку полученных данных с применением интегральноаппроксимационных расчетов |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
2. Статья из журнала
| Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния / М. Н. Журавлев, В. Е. Земляков, Н. В. Гуминов [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - № 6. - С. 370-375. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/61574 (дата обращения: 07.11.2025). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Журавлев, М. Н., Земляков, В. Е., Гуминов, Н. В., Зайцев, А. А., Шпаков, Д. С., Макарцев, И. В., Дудинов, К. В., Егоркин, В. И. |
| Ключевые слова: | Полевые электроды, Нитрид галлия, GaN, Мощный СВЧ HEMT, Пробивное напряжение, Максимально стабильное усиление |
| Аннотация: | Исследован электрический пробой и СВЧ характеристики AlGaN/GaN-транзисторов с полевыми электродами различных конструкций, электрически соединенных с истоком через общую шину. Показано, что добавление полевых электродов увеличивает пробивное напряжение, повышает коэффициент усиления более чем на 2 дБ в диапазоне частот до 15 ГГц |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
3. Статья из журнала
| Исследование механических и оптических свойств мембран MoSiN / О. В. Новикова, Е. Э. Гусев, А. А. Епихин [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - № 6. - С. 349-354. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/61571 (дата обращения: 07.11.2025). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Новикова, О. В., Гусев, Е. Э., Епихин, А. А., Дюжев, Н. А., Кушнарев, И. В., Иванин, П. С., Лебедев, Е. А. |
| Ключевые слова: | Механическая прочность, Нитрид силицида молибдена, Мембраны, Тонкие пленки |
| Аннотация: | Получена новая взаимосвязь между структурными (шероховатость и размер зерен), механическими (механическая прочность, модуль упругости) и оптическими (коэффициент поглощения) свойствами MoSiN при различной температуре термообработки. Тонкопленочные слои MoSiN были получены методом магнетронного распыления в среде газов азота и аргона. В ходе эксперимента была изготовлена круглая мембранная структура MoSiN по групповой технологии. Посредством атомно-силового микроскопа была определена шероховатость исходной пленки — 1.5 ± 0.1 нм. С использованием программы ImageJ и РЭМизображений рассчитан средний размер исходных зерен MoSiN — 22 нм. Модуль Юнга материала MoSiN составил 96 ГПа. С помощью стенда по исследованию механических свойств было определено критическое давление 0.05 ± 0.003 ГПа для 10 образцов. Проведен расчет величины механической прочности структуры MoSiN, которая составила 1.15 ГПа. Величина коэффициента поглощения изменяется в значительно меньшей степени на диапазоне длин волн от 400 до 900 нм. Для изучения возможного изменения свойств материала в процессе операции фотолитографии проведена имитация процесса в виде дополнительной термической обработки MoSiN |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |