| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ЗАРУБЕЖНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. № 10. - Москва : ЦНИИ Электроника, 1987 . - Текст : непосредственный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Технология вертикально-интегрированных полупроводниковых структур для создания СБИС / Д. Д. Гордеев, В. Н. Дягилев, Ю. А. Парменов, В. К. Старицын. - Текст : непосредственный // ЗАРУБЕЖНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. - Москва : ЦНИИ Электроника, 1987. - № 10. - С. 3-55. | |
| Авторы: | Гордеев, Д. Д., Дягилев, В. Н., Парменов, Ю. А., Старицын, В. К. |
| Ключевые слова: | Обзоры, СБИС, Технологии полупроводников, Трехмерные интегральные схемы, Изоляция компонентов |
| Аннотация: | Рассмотрены конструкции и технологические методы создания полупроводниковых структур для СБИС с развитым рельефом подложки, в которых канавка используется в качестве конструктивного элемента. Описаны способы изоляции канавками для различных типов ИС. Приведены примеры канавок для формирования транзисторных структур, конденсаторов, резисторов, проводящих шин и межсоединений полупроводниковых СБИС |
| Поиск: | Источник |