МегаПро

Найдено документов - 15

Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 6. - Москва : МИЭТ, 2025. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 14.01.2026). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М...

Версия для печати

Сортировать по:

1. Статья из журнала

Электронно-микроскопические исследования монокристаллического кремния после облучения ионами ксенона низких энергий / О. В. Подорожний, Г. С. Киреев, В. А. Кузнецов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 683-693.
Авторы:	Подорожний, О. В., Киреев, Г. С. , Кузнецов, В. А., Решетняк, А. Р., Румянцев, А. В.
Ключевые слова:	Ионная имплантация, Кремний, Ксенон, Цифровая обработка изображений, Дифракция электронов, Метод Монте-Карло, Ion implantation, Silicon, Xenon, Digital image processing, Electron diffraction, Monte Carlo technique
Аннотация:	В современных нанотехнологиях для эффективного применения ионных пучков необходимо проводить исследования взаимодействия ускоренных ионов с атомами облучаемых материалов. Состояние приповерхностных областей, подвергнутых ионному воздействию при создании и модификации различных структур, оказывает существенное влияние на их характеристики, поэтому важное значение имеют данные о распределении имплантированных ионов пучка в образце и их влиянии на структуру аморфизованного материала. В работе с применением методов просвечивающей растровой электронной микроскопии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа изучены образцы подложек монокристаллического кремния поперечного сечения, облученных ионами ксенона с энергией 5 и 8 кэВ и дозой около 1016 см–2 . На изображениях и картах распределения химических элементов выявлены кластеры, образованные имплантированными атомами ксенона в аморфизованном слое кремния. Получены и обработаны микрофотографии образца поперечного сечения подложки, бомбардированной ионами с энергией 8 кэВ. Определены геометрические параметры кластеров ксенона, модальный размер которых составил 1,5 нм. Методом дифракции электронов проведены дополнительные исследования подготовленной тонкой фольги планарного сечения. Проведено сравнение профилей концентрации имплантированных атомов ксенона, полученных экспериментально, с результатами компьютерного моделирования методом Монте-Карло с использованием разных механизмов дегазации имплантированных атомов. Экспериментально установленные и расчетные значения пиковой концентрации ксенона хорошо согласуются и составляют около 5 ат. %
Поиск:	Источник

Экстракция параметров модели интегральной катушки индуктивности для технологического процесса GaN на кремнии / А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов, Е. Ю. Котляров [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 806-812.
Авторы:	Хлыбов, А. И., Родионов, Д. В., Котляров, Е. Ю., Лосев, В. В., Егоркин, В. И.
Ключевые слова:	Интегральные катушки индуктивности, GaN НЕМТ, Модель катушки индуктивности, Скин-эффект, S-параметры, Экстракция параметров, Integrated inductance coil, Spiral inductor model, Skin-effect, S-parameters, Parameters extraction
Аннотация:	Нитрид галлия GaN и соединения на его основе, в частности AlxGa1−xN, являются перспективными полупроводниками для мощных и высокочастотных устройств. Активно развивающиеся технологии на основе GaN ориентированы главным образом на разработку аналоговых СВЧ-микросхем, поэтому создание моделей пассивных компонентов СВЧ-тракта и экстракция параметров этих моделей – актуальная задача. В работе предложена модель интегральной катушки индуктивности для технологического процесса GaN на кремнии. Получены аналитические выражения для эффективной индуктивности, входного импеданса, добротности, на основе которых разработана методика экстракции электрических параметров модели катушки из экспериментальных данных. Результаты измерений и моделирования параметров интегральной катушки индуктивности показали хорошее совпадение в диапазоне частот 0,01–10,0 ГГц. Рассмотренная методика экстракции может быть использована при разработке технологических библиотек GaN на кремнии
Поиск:	Источник

Характеризация наноразмерных слоев гетерокомпозиций с применением цифровой обработки данных просвечивающей электронной микроскопии / Р. Л. Волков, Г. С. Киреев, О. В. Подорожний [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 707-720.
Авторы:	Волков, Р. Л., Киреев, Г. С., Подорожний, О. В., Решетняк, А. Р., Аникин, А. В., Боргардт, Н. И.
Ключевые слова:	Наноструктуры, Просвечивающая электронная микроскопия, Микродифракция электронов, Фокусированный ионный пучок, Цифровая обработка изображений, Nanostructures, Transmission electron microscopy, Electron microdiffraction, Focused ion beam, Digital image processing
Аннотация:	Современная просвечивающая электронная микроскопия позволяет проводить всесторонние исследования структуры и определять состав слоев различных гетерокомпозиций. Применение просвечивающей электронной микроскопии для характеризации слоев наноразмерной толщины требует разработки количественных методов анализа электронно-микроскопических данных. В работе методами анализа электронномикроскопических данных исследованы слои фазосдвигающего фотошаблона, который используется в операциях литографии в микроэлектронике. Определено, что в образцах поперечного сечения на поверхности подложки SiO2 расположены слои Mo0,03Si0,36N0,61, Cr0,49C0,03N0,48 и Cr0,38C0,05N0,28O0,29. Установлено, что количественный анализ одномерных профилей интенсивности, вычисленных путем усреднения ее распределения на электронно-микроскопических изображениях вдоль подложки, обеспечивает прецизионное измерение толщины слоев гетерокомпозиции, которая составила (69,91 ± 0,12) нм для молибденсодержащего слоя, (26,42 ± 0,17) нм и (20,00 ± 0,20) нм для хромсодержащих слоев. Анализ высокоразрешающих электронно-микроскопических микрофотографий и электронограмм, полученных от образцов планарного сечения, показал, что молибденсодержащий слой Mo0,03Si0,36N0,61 является аморфным, а хромсодержащие слои Cr0,49C0,03N0,48 и Cr0,38C0,05N0,28O0,29 имеют поликристаллическую структуру и образованы кристаллитами с кубической решеткой с параметрами 0,406 и 0,408 нм соответственно. В результате цифровой обработки изображений выявлено, что в слоях Cr0,49C0,03N0,48 и Cr0,38C0,05N0,28O0,29 средние латеральные размеры кристаллитов близки к значениям 6,7 и 7,4 нм, средние размеры пор приблизительно равны 1,7 и 2,5 нм, а их пористость составляет 6,4 и 16,6 % соответственно. Полученные результаты свидетельствуют об эффективности предложенных методов количественной оценки толщины и пористости слоев фотошаблона и могут применяться при электронно-микроскопических исследованиях различных гетерокомпозиций с наноразмерными слоями
Поиск:	Источник

Тельцу Виталию Арсеньевичу – 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 815.
Ключевые слова:	Юбилей, Биографии
Аннотация:	13 сентября 2025 г. исполнилось 70 лет Тельцу Виталию Арсеньевичу, доктору технических наук, профессору, специалисту в области электронной компонентной базы и радиационно стойкой электроники, директору Центра экстремальной прикладной электроники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»
Поиск:	Источник

Способ двойного спектрального анализа и взвешенной обработки квазинепрерывных сигналов при отсутствии априорных сведений об их параметрах / Р. В. Смолин, И. А. Баландин, А. М. Лаврентьев, Е. Е. Андрющенков. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 763-773.
Авторы:	Смолин, Р. В., Баландин, И. А., Лаврентьев, А. М., Андрющенков, Е. Е.
Ключевые слова:	Средства пассивной локации, Радиоэлектронные системы, Летательные аппараты, Квазинепрерывные регулярные последовательности радиоимпульсов, Автокорреляционная функция, АКФ, Низкая энергетическая доступность, Дискретное преобразование Фурье, Взвешивающая функция, Passive location means, Radio electronic systems, Aircraft, Quasi-continuous regular sequences of radio pulses, Autocorrelation function, ACF, Quasi-continuous signals, Low energy availability, Discrete Fourier transform, Weighting function
Аннотация:	В современных летательных аппаратах для обеспечения профильного полета используются бортовые радионавигационные системы когерентно-импульсного типа, при обнаружении излучения которых расширяются возможности радиолокационных комплексов. Основные недостатки реализации таких систем заключаются в необходимости применения энергетического обнаружителя, что обусловлено отсутствием априорных сведений о характеристиках излучения, и повышения эффективности радиометрического способа при обнаружении маломощных сигналов бортовых радиоэлектронных средств когерентно-импульсного типа при их излучении с расстояний, соответствующих границам прямой видимости, ввиду недостаточного отношения сигнал/шум на входе устройства принятия решения. В работе предложен способ двойного спектрального анализа и взвешенной обработки квазинепрерывных сигналов при отсутствии априорных сведений об их параметрах. Показано, что предложенный способ позволяет при фиксированных значениях условной вероятности ложной тревоги достигать требуемых характеристик обнаружения. Оценка эффективности разработанного способа проведена на имитационной модели в пакете прикладных программ Matlab. Применение квазиоптимальной обработки квазинепрерывных регулярных последовательностей радиоимпульсов увеличивает отношение сигнал/шум на входе устройства принятия решения по сравнению с энергетическим обнаружителем и, следовательно, повышает дальность обнаружения летательных аппаратов
Поиск:	Источник

Применение и перспективы методов искусственного интеллекта в прогнозировании и оптимизации целостности сигнала в микросистемах / Гуанбао Шань, Голян Ли, Юйсюань Ван [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 795-805.
Авторы:	Шань Гуанбао, Ли Голян, Ван Юйсюань, Ци Пэйхан, Гончаренко, В. И., Волков, А. С., Муратчаев, С. С.
Ключевые слова:	Микросистемы, Целостность сигнала, Нейронные сети, Алгоритмы оптимизации, Microsystems, Signal integrity, Neural networks, Optimization algorithms
Аннотация:	Целостность сигнала (Signal Integrity, SI) в микросистемах существенно влияет на их производительность. Создание точных и высокоскоростных моделей прогнозирования целостности сигнала в микросистемах и проведение их интеллектуальной оптимизации – актуальная задача. В настоящее время нейронные сети и эвристические алгоритмы оптимизации широко применяются для прогнозирования и оптимизации SI-показателей микросистем. В работе систематически обобщены методы прогнозирования SI-показателей с использованием нейронных сетей, включая искусственные, глубокие, рекуррентные, сверточные, а также нейронные сети, использующие априорные знания. Рассмотрены интеллектуальные алгоритмы оптимизации для целостности сигнала, такие как генетический алгоритм, дифференциальная эволюция, оптимизация роя частиц, глубокая разбиенческая древовидная байесовская оптимизация и двухэтапная байесовская оптимизация. Проведен сравнительный анализ характеристик и областей применения современных методов, спрогнозированы перспективы их развития
Поиск:	Источник

Слюсарь, М. В. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех; Sliusar, M. V.). Особенности учета неопределенностей при машинной обработке естественных языков / М. В. Слюсарь, Р. Ссали. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 754-762.
Авторы:	Слюсарь, М. В., Ссали, Р.
Ключевые слова:	Управление неопределенностью, Естественный язык, Предиктивное управление, Искусственный интеллект, Лексико-смысловая неоднозначность, Контекстная неоднозначность, Цифровая экономика, Uncertainty management, Natural language, Predictive control, AI, Lexical and semantic ambiguity, Context ambiguity, Digital economy
Аннотация:	При обработке естественного языка проблема неопределенностей – критическая задача для автоматизации на основе искусственного интеллекта в цифровой экономике. В работе раскрыты лексические, семантические, референциальные, прагматические неопределенности, возникающие в естественном языке. Предложен алгоритм, повышающий уровень надежности за счет разрешения контекстной неоднозначности и уменьшения количества неверных интерпретаций. Эмпирические результаты показали повышение точности классификации и лучшую адаптивность в неоднозначных сценариях. Предложенный подход может применяться в приложениях цифровой экономики, таких как чат-боты для обслуживания клиентов, анализ настроений для прогнозирования рынка и научных исследований. Показано, что при смягчении неопределенности алгоритм усиливает предиктивный контроль в автоматизированных системах на основе искусственного интеллекта
Поиск:	Источник

Модель принятия решений в управлении производством микроэлектроники на основе марковских процессов и уравнений Колмогорова / Ю. С. Шевнина, Л. Г. Гагарина, С. Ф. Царапкин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 754-762.
Авторы:	Шевнина, Ю. С., Гагарина, Л. Г., Царапкин, С. Ф., Семенов, М. Ю., Минаков, Е. И., Портнов, Е. М.
Ключевые слова:	Управление производством, Марковские процессы, Уравнения Колмогорова, Вероятностный подход, Production management, Markov processes, Kolmogorov equations, Probabilistic approach
Аннотация:	При управлении производством микроэлектронных компонентов возникает основная проблема – отсутствие действенных методов выбора оптимальных вариантов с учетом целей, приоритетов, рисков, возможностей и ограничений производства. В работе представлена математическая модель, описывающая процесс принятия решения при управлении производством микроэлектронных компонентов. Производство представлено алгебраической системой, в состав которой входят описания состояния процессов и причинно-следственные связи между ними. В качестве альтернативы для принятия решений использованы состояния производственного процесса, доступные для перехода из текущего состояния с учетом связей, определенных в алгебраической системе. Критерием выбора варианта перехода между состояниями выступает максимальное время пребывания в стационарном режиме производства микроэлектронных компонентов с требуемыми характеристиками. Кроме того, процесс моделируется как марковский, что позволяет применять вероятностный подход с использованием дифференциальных уравнений Колмогорова для описания его поведения. Исследование возможных переходов между состояниями позволило сформировать траектории, ускоряющие процедуру принятия решения и адаптирующие модель к интеллектуальным системам управления производством микроэлектронных компонентов. Математическая модель, основанная на уравнениях Колмогорова, обеспечивает не только вычисление вероятностного распределения процесса во времени, но и распределение длительности пребывания в разных состояниях в стационарной фазе. Полученные результаты способствуют разработке эффективных и качественных решений на всех уровнях контроля изготовления микроэлектронных компонентов
Поиск:	Источник

Ефанов, Д. В. (Efanov, D. V.). Коды с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел : III. Эксперименты с тестовыми комбинационными схемами / Д. В. Ефанов, Е. И. Елина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 774-787.
Авторы:	Ефанов, Д. В., Елина, Е. И.
Ключевые слова:	Системы технического диагностирования дискретных устройств, Модульные взвешенные коды с суммированием, Последовательность весовых коэффициентов, Натуральный ряд, Systems of technical diagnostics of discrete devices, Modular weight-based sum codes, Sequence of weight coefficients, Natural series
Аннотация:	Коды с суммированием весовых коэффициентов разрядов из натурального ряда чисел в кольце вычетов по заданному модулю применяются при решении задач технической диагностики. Такие коды эффективны в системах рабочего диагностирования комбинационных схем автоматики и вычислительной техники, при кодировании состояний конечных автоматов в процессе синтеза устройств с памятью. В работе для определения обнаруживающих свойств кодов проведены эксперименты с тестовыми комбинационными схемами с использованием методов дискретной математики, оптимизации булевых функций и технической диагностики дискретных систем. Показано, что взвешенные коды с последовательностью весовых коэффициентов из натурального ряда чисел с модулем M = 8 менее эффективно обнаруживают ошибки на выходах тестовых схем, чем аналогичные классические модульные коды. Установлено, что при бόльших значениях M достигается существенное улучшение обнаруживающих характеристик. Проведено сравнение кодов с последовательностью весовых коэффициентов из натурального ряда чисел, за исключением степеней двойки. Установлено, что рассматриваемые коды при M = 8, 16, 32 для одних схем эффективны, для других – нет. При M = 64 получены как аналогичные характеристики обнаружения ошибок, так и худшие характеристики относительно работы кодов с последовательностью весовых коэффициентов из натурального ряда чисел, за исключением степеней двойки. Выявленные закономерности и свойства рассматриваемого класса кодов могут использоваться на практике при синтезе высоконадежных дискретных устройств и систем
Поиск:	Источник

Исследование процесса деградации ГКР-активных капилляров для комплексного использования в спектроскопии комбинационного рассеяния света и сканирующей ион-проводящей микроскопии / Д. В. Новиков, Ю. В. Чумаченко, С. В. Дубков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 741-753.
Авторы:	Новиков, Д. В., Чумаченко, Ю. В., Дубков, С. В., Колмогоров, В. С., Горелкин, П. В., Ерофеев, А. С., Пархоменко, Ю. Н., Волкова, Л. С., Железнякова, А. В., Попенко, В. Ф.
Ключевые слова:	Нанокапилляры, Сканирующая ион-проводящая микроскопия, Гигантское комбинационное рассеяние света, ГКР, Серебряные наночастицы, Nanocapillaries, Scanning ion-conductance microscopy, Surface-enhanced Raman spectroscopy, Silver nanoparticles
Аннотация:	Исследование отдельных живых клеток организма и клеточных колоний в их естественной среде имеет большое значение для понимания клеточных процессов и фенотипов. В отличие от традиционных методов сканирующая ион-проводящая микроскопия и спектроскопия гигантского комбинационного рассеяния (ГКР) позволяют получать информацию о незначительных изменениях химического состава и механических характеристик клеток. В работе проведено исследование характеристик ГКР-активных капилляров на основе наночастиц Ag, изучены механические характеристики клеток и выявлена динамика деградации свойств капилляров при различных условиях хранения. С помощью растровой электронной микроскопии установлено, что при кривизне острия капилляра 50 нм массив наночастиц демонстрирует наибольшую плотность и коэффициент усиления при этом порядка 105 . Проведено сканирование топографии и механических свойств клеток SH-SY5Y с использованием ГКР-активного капилляра методом сканирующей ион-проводящей микроскопии. Посредством ГКР-спектроскопии установлено, что и на воздухе, и в вакуумном эксикаторе процесс деградации наночастиц Ag протекает за один месяц, после чего прекращается
Поиск:	Источник

Громову Дмитрию Геннадьевичу – 60 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 816.
Ключевые слова:	Юбилей, Биографии
Аннотация:	22 октября 2025 г. исполнилось 60 лет Громову Дмитрию Геннадьевичу, доктору технических наук, профессору, специалисту в области технологий СБИС, наноматериалов и нанотехнологий. В 1990 г. Д. Г. Громов окончил Московский институт электронной техники (МИЭТ) по специальности «Полупроводники и диэлектрики». В 1996 г. Дмитрий Геннадьевич защитил диссертацию на тему «Исследование и разработка технологии получения термостабильных слабопроникающих контактных систем кремниевых ИС» на соискание ученой степени кандидата технических наук, в 2001 г. – диссертацию на тему «Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС» на соискание ученой степени доктора технических наук. В 2010 г. Д. Г. Громову присвоено ученое звание профессора
Поиск:	Источник

Волобуев, П. С. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл; Volobuev, P. S.). Безъемкостный регулятор напряжения для распределенных сетей питания ИС / П. С. Волобуев, А. В. Коршунов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 721-730.
Авторы:	Волобуев, П. С., Коршунов, А. В.
Ключевые слова:	Микроэлектроника, Безъемкостные регуляторы, Сети питания, СБИС, Microelectronics, Capacitorless voltage regulator, CLDO, Power supply networks, VLSI
Аннотация:	Линейные LDO-регуляторы напряжения (Low-Dropout) предназначены для обеспечения питанием требовательных к качеству питания функциональных регионов СБИС. Классические емкостные регуляторы рассчитаны на компенсацию большими по номиналу емкостями, поэтому в них используются дополнительные внешние выводы корпуса микросхемы. В работе рассмотрена схемотехника безъемкостного CLDO-регулятора (Capacitorless LDO) для сетей питания ИС с региональными внутрикристальными регуляторами, которая не требует дополнительных выводов и выполнена на основе метода обратной компенсации на основе эффекта Миллера. Разработанный блок имеет малую общую внутреннюю компенсационную емкость от 10 пФ. Показано, что схемотехника CLDO-регулятора поддерживает работу при пониженном напряжении от 2,7 В для подключения внешних регуляторов. Проект топологии блока занимает ~ 0,082 мм2 , содержит встроенный источник опорных токов и представляет собой готовое интегральное решение. Уровень подавления помех по питанию составляет более 42 дБ в диапазоне частот 1–100 кГц
Поиск:	Источник

Анализ излучающих систем АФАР Kа-диапазона / Е. И. Минаков, Е. А. Макарецкий, С. А. Лагутин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 731-740.
Авторы:	Минаков, Е. И., Макарецкий, Е. А., Лагутин, С. А., Переверзев, А. Л., Лялин, К. С.
Ключевые слова:	АФАР, Излучающие системы, Неэквидистантная антенная решетка, Приемопередающие модули, Active phased array, AFAR, Radiating system, Unequal antenna array, Transceiver modul
Аннотация:	При построении активных фазированных антенных решеток (АФАР) для эксплуатации в высоких частотах (от L-диапазона до X- и Ku-диапазонов) возникают проблемы, связанные с уменьшением длины волны и необходимостью сокращения размеров приемопередающих модулей. Главным образом это обусловлено построением излучающей системы АФАР, низким КПД усилителей мощности передающей части и обеспечением теплового режима АФАР. В работе показаны возможные варианты построения излучающей системы АФАР Kа-диапазона. Для оценки применимости неэквидистантных антенных решеток в излучающих системах АФАР Kа-диапазона проведено моделирование характеристик антенных решеток с неравномерным шагом расположения излучателей. Показано, что преимуществами неэквидистантной апертуры АФАР являются увеличение места для размещения модулей и установки теплоотводящих шин, возможность увеличения размеров модулей, расположения излучателей разных поляризаций и осуществления полного поляризационного приема. Выполнен сравнительный анализ выходной мощности АФАР с продольной интеграцией и поперечной сборкой, а также поперечной интеграцией с продольной сборкой от условий охлаждения. Полученные результаты показывают, что, несмотря на меньшее число излучателей, возможно достижение более высокой мощности СВЧ-излучения неэквидистантной АФАР за счет улучшения условий охлаждения модулей в разреженной антенной решетке
Поиск:	Источник

Анализ влияния интерметаллидных фаз AlxAuy и AlxСuy на надежность микросварных соединений интегральных микросхем / А. Ю. Титов, Д. В. Вертянов, Д. И. Артюшин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 694-705.
Авторы:	Титов, А. Ю., Вертянов, Д. В., Артюшин, Д. И., Коровина, А. Ю., Коробова, Н. Е., Рабцевич, В. А., Гладкова, С. И.
Ключевые слова:	Термозвуковая микросварка, Интерметаллиды, Механические напряжения, Интегральные микросхемы, Thermosonic microwelding, Intermetallics, Mechanical stresses, Integrated circuit
Аннотация:	В микросварных соединениях интегральных микросхем, микросборок и систем в корпусе образующиеся интерметаллидные фазы в контактах Al-Cu и Al-Аu вызывают хрупкость и пористость интерметаллидных соединений. В результате механические и электрические свойства Al-Cu, Al-Аu ухудшаются. В работе представлены результаты экспериментальных исследований процессов формирования интерметаллидов и надежности проволочных микросварных соединений AlxAuy и AlxСuy в микросхемах. Для проволочных соединений Al-Au и Al-Cu рассчитаны сопротивления и максимальные постоянные токи. Установлены зависимости максимальных механических напряжений и температур от диаметра проволоки при максимальном токе потребления для микросхем. По результатам моделирования отрыва золотой и медной проволок от алюминиевой контактной площадки с учетом влияния интерметаллидных фаз даны практические рекомендации по использованию отечественных материалов. Установлено, что максимальные механические напряжения возникают в месте приложения силы и по краям области интерметаллидного соединения. Выявлено, что, несмотря на рост предельной нагрузки на растяжение с увеличением диаметра проволоки от 18 до 27 мкм, основным лимитирующим фактором является смещение области максимальных механических напряжений на края контактной площадки (для меди и золота) и образование пустот Киркендалла в интерметаллидном соединении (для золота), что снижает общую надежность соединения. Результаты исследования могут быть использованы при формировании проволочных микросварных соединений AlxAuy и AlxСuy в интегральных микросхемах
Поиск:	Источник

Горбацевичу Александру Алексеевичу – 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 6. - С. 813-814.
Ключевые слова:	Юбилей, Биографии
Аннотация:	21 ноября 2025 г. исполнилось 70 лет Горбацевичу Александру Алексеевичу, академику РАН, доктору физико-математических наук, профессору, известному специалисту в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники
Поиск:	Источник