| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 1. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2026. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Исследование наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе SiGe / Ю. И. Штерн, М. С. Рогачев, М. Ю. Штерн [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2026. - № 1. - С. 15-25. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/62571 (дата обращения: 18.03.2026). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Штерн, Ю. И., Рогачев, М. С., Штерн, М. Ю., Шерченков, А. А., Табачкова, Н. Ю., Панченко, В. П., Воронов, В. П., Мустафоев, Б. Р. |
| Ключевые слова: | Термоэлектричество, SiGe, Наноструктурирование, Физические параметры, Термоэлектрическая добротность |
| Аннотация: | С помощью механохимического синтеза и индукционной плавкой синтезированы термоэлектрические материалы на основе SiGe n- и p-типа проводимости. Из порошков синтезированных материалов изготовлены объемные образцы горячим прессованием и наноструктурированные образцы методом искрового плазменного спекания. Исследованы механические, тепло- и электрофизические свойства, определена термоэлектрическая добротность материалов. Проведено сравнение свойств материалов, полученных горячим прессованием и искровым плазменным спеканием. Установлено, что у наноструктурированных материалов теплопроводность снижается до 25 % за счет фононного теплопереноса. Это позволило увеличить максимальное значение термоэлектрической добротности в интервале температур 1070−1170 K для наноструктурированных материалов на основе SiGe обоих типов проводимости — для n-типа до 1.24 ± 0.13 и p-типа до 1.22 ± 0.12 |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |