Сортировать по:
1. Статья из журнала
Магеррамов, Р. В. (Автор МИЭТ, НПК ТЦ; Magerramov, R. V.).
Расчет и разработка планарного трансформатора для источника вторичного электропитания / Р. В. Магеррамов, Е. Ю. Ильинова, С. А. Климанов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 332-344.
Авторы:Магеррамов, Р. В., Ильинова, Е. Ю., Климанов, С. А.
Ключевые слова:Источники вторичного электропитания, Импульсные преобразователи, Двухтактные преобразователи, Планарные трансформаторы, Расчет обмоток трансформатора, Secondary power supply source, Pulse converter, Push-pull converter, Planar transformer, Transformer winding calculation
Аннотация:Источники вторичного электропитания содержат в своем составе трансформаторы, которые выполняют функцию преобразования уровней напряжения и осуществляют гальваническую развязку. Классический способ реализации обмоток трансформатора имеет такие недостатки, как низкая повторяемость, трудоемкость в изготовлении ввиду дополнительной операции намотки, выделение большого количества тепла трансформатором и увеличение его габаритных размеров. Данные проблемы могут быть решены за счет использования планарных обмоток трансформатора. Однако такой способ требует применения сердечника для печатных плат и предъявляет повышенные требования к расчетам и проектированию обмоток. В работе описана последовательность расчета планарного трансформатора для двухтактного источника вторичного электропитания, обмотки которого размещены на печатной плате. Расчет обмоток и проектирование печатной платы трансформатора выполнены для сердечников ELP 14/3,5/5, ELP 18/4/10, ELP 22/6/16. Рассчитаны геометрические параметры сердечников и планарных обмоток. Проведено проектирование полностью независимого планарного трансформатора. Показано влияние разрабатываемого трансформатора на КПД устройства. Получена совокупность параметров планарных трансформаторов для двухтактного источника вторичного электропитания. Установлено, что оптимальным сердечником с учетом предъявляемых требований к источнику вторичного электропитания является ELP 18/4/10
Поиск:Источник
2. Статья из журнала
Вышлов, В. А. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех; Vyshlov, V. A.).
Разработка методических основ организации системы контроля качества продукции на предварительных этапах проектирования / В. А. Вышлов, М. Р. Тихонов, Д. К. Жимантас. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 296-309.
Авторы:Вышлов, В. А., Тихонов, М. Р., Жимантас, Д. К.
Ключевые слова:Технологические процессы, Математические модели, Поле допуска, Измерительное оборудование, Нормальное распределение, Внутренние поставщики и потребители, Показатели рентабельности производства, Technological process, Mathematical model, Tolerance band, Measuring equipment, Normal distribution, Internal customers and internal suppliers, Profitability ratio
Аннотация:Завершающим этапом технологического процесса изготовления продукции является выходной контроль, на вариабельность которого оказывает воздействие множество факторов. При производстве и контроле продукции на выходе необходимо применять подход, позволяющий уменьшать риски поставщиков и потребителей. В работе рассмотрены теоретические положения и методические основы организации системы контроля и управления процессами, влияющими на обеспечение и улучшение качества продукции, а также на управление качеством. На основе концепции внутренних поставщиков и потребителей предложено перейти от пассивного контроля на выходе к активному контролю – управлению в среде производственного процесса с обеспечением оперативного и упреждающего управления, основанного на учете рисков внутренних поставщиков и потребителей и, соответственно, возможных последствий. Для решения принципиально новой задачи за основу взят известный математический аппарат, позволяющий определить ошибки первого и второго рода (риски конечных потребителей и поставщиков). При таком подходе информация о рисках внутренних поставщиков и потребителей не является основой для принятия решений о качестве или ненадлежащем качестве продукции, а представляет собой оперативную информацию для принятия управленческих решений, направленных на планирование, организацию и реализацию эффективного производственного процесса. Проанализированы концепции всеобщего управления качеством: учет интересов всех сторон, приоритет рабочих процессов в среде взаимосвязанных процессов организационной системы, концепция внутренних поставщиков и потребителей, которая служит эффективным инструментом обеспечения качества продукции на всех этапах ее жизненного цикла. Выявлены и проанализированы возможные события при контроле и анализе рисков внутренних поставщиков и потребителей: продукция годная, продукция негодная (брак), ложный брак (ошибка первого рода, или риск внутреннего поставщика), пропуск бракованной продукции в число годных (ошибка второго рода, или риск внутреннего потребителя). Для данных событий рассмотрены математические модели расчета вероятностей рисков, в том числе с учетом возможностей смещения полей допуска и введения производственного допуска. В целях осуществления рационального выбора и организации системы контроля предложено применять элементы техникоэкономического анализа. Для оценивания эффективности выбора использован обобщенный показатель – рентабельность производства. Представленные положения позволяют оптимизировать систему контроля, включая входной, производственный и выходной контроль, и повысить качество производственного процесса
Поиск:Источник
3. Статья из журнала
Разработка метода измерения термических свойств тонкопленочных материалов с использованием дифференциальной сканирующей калориметрии / А. В. Бабич, Д. А. Голубева, Д. А. Гнеушев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 372-376.
Авторы:Бабич, А. В., Голубева, Д. А., Гнеушев Д. А., Лазаренко, П. И., Колобов, А. В., Шерченков, А. А.
Ключевые слова:Тонкие пленки, Халькогениды, Дифференциальная сканирующая калориметрия, Фазопеременные материалы, Thin films, Chalcogenides, Differential scanning calorimetry, Phase change materials
Аннотация:Тонкие пленки халькогенидных материалов с фазовым переходом применяются в фотонных интегральных схемах, электрической фазовой памяти, нейроморфных вычислениях. Анализ тепловых эффектов методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) – один из основных этапов изучения свойств халькогенидных материалов. Как правило, для исследования методом ДСК используются материалы в виде порошка. Результаты таких исследований не в полной мере отражают процессы, происходящие в тонких пленках. В работе предложен метод пробоподготовки для ДСК-измерений тонкопленочных образцов. Проведено сравнение результатов, полученных разными методами пробоподготовки, включая температурную зависимость удельного сопротивления тонких пленок. Выяснено, что значения температуры кристаллизации, полученные с использованием рассмотренных методов, близки к результатам исследования температурной зависимости удельного сопротивления. Предложенный метод пробоподготовки показывает более точные результаты при исследовании тонкопленочных материалов
Поиск:Источник
4. Статья из журнала
Лагунович, Н. Л. (Lagunovich, N. L.).
Приборно-технологическое моделирование кремниевого высоковольтного n–p–n-транзистора / Н. Л. Лагунович. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 289-295.
Авторы:Лагунович, Н. Л.
Ключевые слова:Электрофизические параметры, N-P-N транзисторы, Приборно-технологическое моделирование, Конструктивно-технологические параметры, N-P-N transistor, Process simulation, Design-technological parameter, Electro-physical parameter, Volt-ampere characteristic
Аннотация:На сегодняшний день приборно-технологическое моделирование является одним из основных этапов разработки новых конструкций и технологических маршрутов изготовления полупроводниковых структур, так как позволяет рассчитать их характеристики и параметры еще до создания экспериментальных образцов. В результате количество натурных экспериментов существенно уменьшается. В работе рассмотрен кремниевый биполярный высоковольтный n–p–n-транзистор средней мощности со следующими характеристиками: пробивное напряжение коллектор – эмиттер более 80 В, ток коллектора не более 0,5 А, максимальная рассеиваемая мощность до 0,63 Вт. Проведено двухмерное приборно-технологическое моделирование данного транзистора, разработана и оптимизирована его конструкция и технологические процессы изготовления. Проектирование выполнено с применением программного комплекса компании Synopsys, который включает в себя набор программ для двухмерного технологического моделирования TSuprem4 и программный комплекс для моделирования электрических характеристик Medici. С использованием набора программ TSuprem4 получена структура кремниевого n–p–n-транзистора, рассчитаны ее конструктивно-технологические и физико-топологические параметры. С помощью программного комплекса Medici осуществлено приборное моделирование транзистора и выполнены расчеты электрических характеристик исследуемой структуры и ее основных электрофизических параметров
Поиск:Источник
5. Статья из журнала
Безкоровайный, В. С. (Bezkorovainyi, V. S.).
Определение оптимальной нагрузки феррозонда при однополярном импульсном возбуждении / В. С. Безкоровайный, О. Д. Половинка, А. В. Добрыднев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 345-354.
Авторы:Безкоровайный, В. С., Половинка, О. Д., Добрыднев, А. В.
Ключевые слова:Феррозонд, Однополярное импульсное возбуждение, Активноемкостная нагрузка, Выходной сигнал, Амплитудные детекторы, Апериодический сигнал, Колебательный сигнал, Flux-gate, Unipolar pulse excitation, Active-capacitive load, Output waveform, Amplitude detector, Aperiodic waveform, Oscillatory waveform
Аннотация:Феррозондовые преобразователи широко применяются в системах измерения и мониторинга магнитных полей благодаря высокой чувствительности и надежности. Существенное влияние на точность измерений оказывает форма выходного сигнала, которая определяется параметрами нагрузки выходной цепи феррозонда. В работе выполнены натурные исследования влияния активно-емкостной нагрузки на форму и амплитуду выходного сигнала феррозондового преобразователя при однополярном импульсном возбуждении. Эксперименты проведены с использованием феррозондовых датчиков разных конструкций при варьировании активно-емкостной нагрузки. Определено, что изменение параметров активно-емкостной нагрузки приводит к формированию апериодического, критического и колебательного режимов выходного сигнала. Показано, что существует область значений нагрузки, обеспечивающая требуемую форму сигнала для его дальнейшей обработки и оцифровки. Полученные результаты подтверждают необходимость обоснованного выбора активноемкостной нагрузки феррозондового преобразователя при однополярном импульсном возбуждении для повышения качества выходного сигнала и точности измерений
Поиск:Источник
6. Статья из журнала
Методика восстановления обрабатываемых данных по уровню энергопотребления в цифровых КМОП-схемах / В. Д. Алексеев, В. В. Лосев, А. С. Тишин, В. Ю. Михайлов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 310-317.
Авторы:Алексеев, В. Д., Лосев, В. В., Тишин, А. С., Михайлов, В. Ю.
Ключевые слова:ПЛИС, Атаки по побочным каналам, Анализ энергопотребления, Оценка распознаваемости данных, Вес Хэмминга, Расстояние Хэмминга, FPGA, Side-channel attacks, Energy analysis, Data recognition evaluation, Hamming weight, Hamming distance
Аннотация:В цифровых КМОП-схемах, включая ПЛИС, энергопотребление при переключении логических состояний определяется конфигурацией битовых векторов. Анализ этих характеристик позволяет выявлять физические закономерности функционирования цифровых регистров и на их основе определять значения, обрабатываемые устройством. Совершенствование методов анализа энергопотребления способствует повышению качества проектируемых устройств, в том числе с точки зрения обработки конфиденциальной информации. В работе для повышения точности идентификации обрабатываемых данных на основе сигнала энергопотребления предложена методика оценки устойчивости амплитудного профиля. Эффективность данного подхода оценена с использованием автоматизированного экспериментального стенда на базе ПЛИС. Проведено сравнение рассмотренных методов с традиционными статистическими методами. Показано, что оценка устойчивости амплитудного профиля, проведенная согласно предложенной методике, превосходит стандартные подходы по точности на 14 %
Поиск:Источник
7. Статья из журнала
Портнов, Е. М. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех; Portnov, E. M.).
Метод управления консолидированными логистическими заказами / Е. М. Портнов, Ту Тант Си. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 365-371.
Авторы:Портнов, Е. М., Си Ту Тант Син
Ключевые слова:Комплектование заказов, Консолидация заказов, Маршрутизация, Условия неопределенности, Мультиэшелонные системы, Алгоритм Q-обучения муравьиной колонии, Задача о рюкзаке, Order picking, Order consolidation, Routing, Uncertainty conditions, Multiechelon systems, Ant-Q, Knapsack problem
Аннотация:Существующие подходы к оптимизации процессов складской логистики преимущественно ориентированы на системы с одним складом и не учитывают взаимосвязь стратегических и оперативных решений в условиях многопериодности и многоуровневых распределительных сетей. Автономная оптимизация отдельных этапов, таких как формирование партий товаров, маршрутизация комплектовщиков, загрузка транспорта, приводит к снижению общей эффективности всей системы. В работе рассмотрена проблема оптимизации процессов складской логистики в современных мультиэшелонных системах. Представлены интегрированная математическая модель и гибридный алгоритм комплектования и маршрутизации заказов в условиях неопределенности. Сформулирована многоцелевая задача с нечеткими параметрами для минимизации времени доставки и общих логистических затрат. Предложено поэтапное решение проблемы оптимизации процессов складской логистики. На первом этапе осуществлено преобразование нечеткой модели в четкую с использованием вероятностного метода, на втором этапе применены многокритериальный метод принятия решений и алгоритм декомпозиции Бендерса. Локальная задача выбора маршрута решена путем интеграции задач о рюкзаке и коммивояжере, для оптимизации пути использован усовершенствованный алгоритм Q-обучения муравьиной колонии. Эксперименты показали, что по сравнению со стандартным алгоритмом CPLEX предложенный алгоритм сокращает длину маршрута на 5–10 %, а применение декомпозиции Бендерса позволяет эффективно решать крупномасштабные задачи за линейное время
Поиск:Источник
8. Статья из журнала
Силибин, М. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ПМТ; Silibin, M. V.).
Кристаллическая и магнитная структура твердых растворов феррита висмута, замещенных ионами Sm и Ti в области морфотропной фазовой границы ромбоэдр – орторомб / М. В. Силибин. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 263-273.
Авторы:Силибин, М. В.
Ключевые слова:Феррит висмута, Морфотропная фазовая граница, Намагниченность, Слабый ферромагнетизм, Взаимодействие Дзялошинского – Мории, Bismuth ferrite, Morphotropic phase boundary, Magnetization, Weak ferromagnetism, Dzyaloshinsky – Moriya interaction
Аннотация:Твердые растворы на основе феррита висмута BiFeO3 – перспективный функциональный материал, который может применяться в качестве сенсоров магнитного поля, актуаторов, элементов спинтроники, а также в устройствах, основанных на магнитоэлектрическом взаимодействии. Химическое замещение исходного соединения позволяет контролируемо управлять электрическими и магнитными свойствами получаемых материалов. В работе рассмотрены твердые растворы BiFeO3, замещенные ионами самария (Sm) и титана (Ti), с общей химической формулой Bi0,88Sm0,12Fe1–xTixO3. Растворы получены методом твердофазных реакций. Анализ кристаллической и магнитной структуры, проведенный на основании рентгеноструктурных и нейтронографических данных, свидетельствует о сосуществовании ромбоэдрической и орторомбической фаз в твердых растворах с химическими составами в концентрационной области 0 ≤ x ≤ 0,1. При комнатной температуре остаточная намагниченность составов увеличивается при росте концентрации ионов Ti. Установлено, что при концентрации x = 0,08 остаточная намагниченность достигает максимального значения ~ 0,26 э. м. е./г (260 Aм 2 /кг), дальнейший рост концентрации ионов Ti приводит к незначительному уменьшению намагниченности. Понижение температуры уменьшает намагниченность, обусловленную взаимодействием Дзялошинского – Мории, что вызвано изменениями длины и углов связей Fe – O – Fe и искажениями кислородных октаэдров FeO6. Полученные результаты обосновывают возможность химического замещения BiFeO3 ионами Sm и Ti для формирования метастабильного структурного состояния, характеризующегося высокой чувствительностью к внешним воздействиям, что перспективно для практических применений
Поиск:Источник
9. Статья из журнала
Петросянц, К. О. (Petrosyants, K. O.).
Компактные эквивалентные схемы дискретных пассивных элементов радиоэлектронной аппаратуры для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне / К. О. Петросянц, А. О. Казачков, И. Е. Кремлев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 318-331.
Авторы:Петросянц, К. О., Казачков, А. О., Кремлев, И. Е.
Ключевые слова:УВЧ-диапазон, SPICE-моделирование, Пассивная электроннокомпонентная база, САПР, UHF range, SPICE simulation, Passive electronic components, CAD
Аннотация:В специализированных промышленных пакетах САПР SPICE-модели резисторов, индуктивностей и конденсаторов представлены в виде сложных пассивных эквивалентных схем, содержащих десятки и более элементов для обеспечения необходимой точности моделирования в УВЧ-диапазоне и выше. При этом увеличиваются трудоемкость и время моделирования. В работе рассмотрены компактные π-образные эквивалентные схемы пассивных R-, L-, C-элементов для расчета частотных характеристик схем на печатных платах в УВЧ-диапазоне. В отличие от традиционных многосекционных эквивалентных схем применение предлагаемых эквивалентных схем снижает трудоемкость описания анализируемой схемы и обеспечивает экономию времени счета в САПР. Для набора стандартных корпусов дискретных R-, L-, C-компонентов изготовлена специальная оснастка, содержащая калибровочные элементы, с помощью которых из результатов измерения S-параметров R-, L-, C-компонентов устраняются паразитные составляющие и потери в кабельных сборках, коаксиально-микрополосковых переходах и линиях передачи. По формулам S-параметры преобразованы в Y-параметры, из которых экстрагированы значения элементов π-образных эквивалентных схем R-, L-, C-компонентов. Разработанные модели включены в схемотехнические симуляторы Keysight ADS, DeltaDesign, LTspice и OrCAD
Поиск:Источник
10. Статья из журнала
Волков, С. В. (Автор МИЭТ (аспирант); Volkov, S. V.).
Исследование влияния характеристик радиопоглощающих материалов на обеспечение электромагнитной совместимости электронных блоков радиоэлектронной аппаратуры / С. В. Волков, Д. В. Вертянов, С. П. Тимошенков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 274-278.
Авторы:Волков, С. В., Вертянов, Д. В., Тимошенков, С. П.
Ключевые слова:Радиоэлектронная аппаратура, РЭА, Электромагнитная совместимость, Электромагнитная волна, Печатные платы, Метод конечных элементов, Радиопоглощающие материалы, Electronic equipment, Electromagnetic compatibility, Electromagnetic wave, Printed circuit board, Finite element method, Radio absorbing materials
Аннотация:В условиях роста сложности и миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры проблема обеспечения электромагнитной совместимости становится особенно актуальной, поскольку электромагнитные помехи, возникающие внутри электронных блоков, могут существенно снижать их надежность и работоспособность. В работе исследовано влияние характеристик радиопоглощающих материалов (РПМ) на обеспечение электромагнитной совместимости электронного блока радиоэлектронной аппаратуры. Проведен сравнительный обзор РПМ. Для минимизации уровня собственных электромагнитных наводок выбран материал на основе красного железооксидного пигмента (КЖ) 40 % + Fe3O4 20 %. Выполнены моделирование и анализ электромагнитной обстановки в электронном блоке по таким ключевым характеристикам РПМ, как коэффициенты отражения и поглощения, зависимость от частотного диапазона. Выявлено, что использование РПМ на основе КЖ 40 % + Fe3O4 20 % с высоким коэффициентом поглощения позволяет уменьшить значение наводки на 350 мВ на частотах 1–1,5 ГГц и на 150 мВ на частотах 2,5–3 ГГц. Установлено, что применение РПМ КЖ 40 % + Fe3O4 20 % позволяет значительно снизить уровень электромагнитных помех и обеспечить стабилизацию электромагнитной обстановки электронного блока радиоэлектронной аппаратуры
Поиск:Источник
11. Статья из журнала
Савельев, Н. О. (Автор МИЭТ (аспирант); Savelyev, N. O.).
Алгоритм управления частотой системы индуктивной передачи энергии для компенсации изменений выходной мощности / Н. О. Савельев, Э. А. Миндубаев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 3. - С. 355-364.
Авторы:Савельев, Н. О., Миндубаев, Э. А.
Ключевые слова:Беспроводная передача энергии, Индуктивная связь, Выходная мощность, Имплантируемые медицинские приборы, Wireless power transfer, Inductive coupling, Output power, Implantable medical devices
Аннотация:Изменение относительного положения передатчика и приемника системы индуктивной передачи энергии может приводить к существенному изменению выходной мощности и снижению эффективности таких устройств. Для компенсации негативного эффекта изменения положения передатчика и приемника необходима разработка технических решений. В работе представлен алгоритм компенсации влияния смещений катушек индуктивности на выходную мощность системы индуктивной передачи энергии с усилителем мощности класса D. Компенсация влияния смещений осуществлена за счет изменения рабочей частоты системы, с которой переключаются ключевые транзисторы усилителя мощности, при изменении коэффициента связи между передающей и принимающей катушками индуктивности. Определены критерии выбора диапазона рабочих частот системы, которые могут использоваться для работы алгоритма. Показано, что для заданных параметров системы при шаге дискретизации коэффициента связи, равном 0,01, алгоритм успешно удерживает выходную мощность на уровне 21 % в большую сторону и на 19 % в меньшую сторону от номинального значения выходной мощности, когда значения коэффициента связи изменяются в диапазоне 0,5–0,3
Поиск:Источник