| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 12. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Львов, П. Е. Моделирование нуклеации в бинарных сплавах на основе метода функционала плотности свободной энергии / П. Е. Львов, В. В. Светухин, С. В. Булярский. - Текст : электронный // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - № 12. - С. 2415-2420. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/48597 (дата обращения: 02.02.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Львов, П. Е., Светухин, В. В., Булярский, С. В. |
| Ключевые слова: | Моделирование, Нуклеация, Бинарные сплавы, Метод функционала плотности, Свободная энергия, Уравнение Кана-Хилларда |
| Аннотация: | Разработан подход для расчета скорости зарождения выделений вторых фаз на основе метода функционала плотности свободной энергии. Скорость зарождения, а также характеристики критического зародыша рассчитываются непосредственно из результатов моделирования эволюции концентрационного поля,полученного с помощью решения детерминированного или стохастического уравнения Кана-Хлларда. |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
2. Статья из журнала
| Влияние твердофазной рекристаллизации с двойной имплантацией на плотность структурных дефектов в ультратонких слоях кремния на сапфире / С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, Н. Н. Егоров, С. А. Голубков. - Текст : электронный // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - № 12. - С. 2349-2354. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/48551 (дата обращения: 02.02.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Федотов, С. Д., Стаценко, В. Н., Егоров, Н. Н., Голубков, С. А. |
| Ключевые слова: | Рекристаллизация, Имплантация, Плотность, Структурные дефекты, Ультратонкие слои, Кремний, Сапфиры |
| Аннотация: | Главной технологической проблемой при изготовлении электроники на структурах кремний на сапфире (КНС) является высокая плотность дефектов в слоях кремния на сапфире. Современный метод получения ультратонких структур КНС с помощью твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и пирогенного утонения позволяет значительно снизить дефектность в данных слоях. Тем не менее, влияние дефектности субмикронных слоев КНС на структурное совершенство ультратонких слоев остается не ясным. В данной работе ультратонкие (100 nm) структуры КНС были получены на субмикронных (300 nm) структурах КНС, обладающих различным структурным качеством. Кристалличность слоев 300 nm до процесса рекристаллизации и ультратонких слоев определялось с помощью рентгеноструктурного анализа и просвечивающей электронной микроскопии. Установлено, что наименьшие значения ширины кривой качания (ШКК) 0.19-0.20o наблюдались для ультратонкого КНС, полученного на базе наиболее структурно совершенных слоев КНС 300 nm. Показано, что более совершенный приповерхностный слой базовой структуры КНС 300 nm и режим двойной имплантации, позволяет на порядок уменьшить плотность структурных дефектов в ультратонком слое Si до ~1·104 cm-1. Ключевые слова: кремний на сапфире, эпитаксия, гетероэпитаксия, газофазная эпитаксия, кремний на диэлектрике, твердофазная рекристаллизация, ультратонкий кремний, имплантация |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |