Найдено документов - 13 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3. - Москва : МИЭТ, 2023. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 30.06.2023). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Термическая стабильность толстых пленок на основе низкотемпературных термоэлектрических материалов систем Bi-Te-Se и Bi-Te-Sb, модифицированных добавками оксида меди / А. В. Бабич, И. А. Волощук, А. А. Шерченков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 281-286.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 281-286.
Авторы: Бабич, А. В., Волощук, И. А., Шерченков, А. А., Переверзева, С. Ю., Глебова, Д. Д., Бабич, Т. А.
Ключевые слова: Термоэлектричество, Термические свойства, Стабильность, Термоэлектрические генераторы
Аннотация: Разработка гибких термоэлектрических генераторов – альтернативных источников энергии – с использованием технологии трафаретной печати является перспективным направлением. Для производства таких генераторов применяются низкотемпературные термоэлектрические материалы систем Bi-Te-Se и Bi-Te-Sb. Улучшить свойства толстопленочных образцов позволяет введение нанодисперсного высокопроводящего порошка оксида меди CuO. Однако термическая стабильность подобных материалов до сих пор практически не изучена. В работе исследованы термические свойства и стабильность толстых пленок на основе низкотемпературных термоэлектрических материалов систем Bi-Te-Se (n-тип) и Bi-Te-Sb (p-тип), легированных CuO. Определено, что толстопленочные образцы, содержащие 0,1 % добавки CuO, имеют наилучшие термоэлектрические характеристики. Показано, что в исследованном температурном диапазоне (от комнатной температуры до 550 К) образцы стабильны, отсутствуют ярко выраженные тепловые эффекты и изменения массы образцов. Кроме того, многократные измерения не приводят к разделению фаз или другим нежелательным процессам. Установлено, что толстые пленки на основе низкотемпературных термоэлектрических материалов систем Bi-Te-Se и Bi-Te-Sb, модифицированных добавками оксида меди, могут применяться для изготовления гибких термоэлектрических устройств
2. Статья из журнала
Разработка и исследование перфорированных структур для газовых электронных умножителей на базе фольгированных полиимидных пленок / Ю. Н. Касумов, Н. Е. Пухаева, С. А. Мовчан [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 326-336.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 326-336.
Авторы: Касумов, Ю. Н., Пухаева, Н. Е., Мовчан, С. А., Гончаров, И. Н., Урумов, В. В.
Ключевые слова: Газовый электронный умножитель, Перфорированные структуры, Полиимидная пленка, Электронная усилительная способность, Фотолитография, Химическое травление, Адгезионный слой
Аннотация: В последние десятилетия возросли требования к координатным детекторам по таким параметрам, как пространственное и временное разрешение, загрузочная способность, радиационная стойкость, возможность получения детекторов большой площади. Этим требованиям в значительной степени удовлетворяет газовый электронный умножитель. В работе приведены результаты исследований изготовленных перфорированных структур для создания газовых электронных умножителей методом химического травления с использованием отечественных фольгированных полиимидных пленок. Показана возможность получения системы сквозных отверстий на фольгированных полиимидных пленках с адгезивным подслоем. Представлены результаты исследований электронной усилительной способности разработанных структур, проведенных с использованием специально изготовленной экспериментальной ячейки. Полученные образцы с размерами активной зоны 10 × 10 мм и с коэффициентом усиления более 200, типичным для структур с цилиндрическими каналами без диэлектрических колец, продемонстрировали свою работоспособность. Суммарная толщина диэлектрического слоя структур составляет около 100 мкм, диаметр отверстий равен 70 мкм с шагом 140 мкм
3. Статья из журнала
Московская, Ю. М. (Автор МИЭТ, НПК ТЦ).
Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве. II. Выбор объектов испытаний и статистическая обработка результатов контроля / Ю. М. Московская, Д. В. Бойченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 337-350.
Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве. II. Выбор объектов испытаний и статистическая обработка результатов контроля / Ю. М. Московская, Д. В. Бойченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 337-350.
Авторы: Московская, Ю. М., Бойченко, Д. В.
Ключевые слова: Радиационная стойкость, Базовый технологический процесс, Статистический контроль, Тестовые структуры, Партии пластин, Непараметрические статистические критерии
Аннотация: Требования к радиационной стойкости изделий необходимо подтверждать в серийном производстве на каждой партии пластин. Базовый технологический процесс должен быть управляемым, чтобы гарантировать точность и стабильность всех заявленных параметров изделия, в том числе радиационной стойкости. Разработки системы мониторинга и статистического регулирования базового технологического процесса ведутся на основании данных, полученных в ходе радиационноориентированной характеризации базового технологического процесса или во время предварительных испытаний в процессе разработки изделия. На каждом этапе изготовления используются соответствующие тестовые структуры для прогнозной оценки радиационной стойкости изделия. В работе по результатам анализа инженерной практики и литературных данных предложен состав тестовых структур для контроля технологического процесса на примере КМОП КНИ 250 нм, отвечающий требованиям по радиационной стойкости. Статистическая обработка данных мониторинга производственных партий пластин направлена на проверку степени отклонения текущей партии от базовой группы, которая выбрана в качестве эталонной. Объем выборки составляет всего 3 шт., поэтому предложено оценивать однородность производственных партий с помощью непараметрических статистических критериев оценивания. Рассмотренный подход позволяет гарантировать радиационную стойкость за счет управляемости и стабильности базового технологического процесса, что способствует минимизации технико-экономических затрат и объема радиационных испытаний
4. Статья из журнала
Нелюбин, И. В. (Автор МИЭТ (аспирант)).
Особенности контроля трехмерного профиля элементов и структур наноразмерных ИС. Обзор / И. В. Нелюбин, М. Г. Путря. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 298-325.
Особенности контроля трехмерного профиля элементов и структур наноразмерных ИС. Обзор / И. В. Нелюбин, М. Г. Путря. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 298-325.
Авторы: Нелюбин, И. В., Путря, М. Г.
Ключевые слова: Контроль технологических процессов, Растровая электронная микроскопия, Просвечивающая электронная микроскопия, Атомно-силовая микроскопия, Скаттерометрия, Критические размеры
Аннотация: С переходом в область критических размеров менее 100 нм двумерные (планарные) формы структур элементов, изготавливаемых в процессе технологического цикла, изменяются на трехмерные сложные формы. Это различные затворные структуры МОП-транзисторов, оксидные и нитридные маски для фотолитографии, транзисторы с «плавниковым» затвором (FinFET), транзисторы с опоясывающим затвором (GAA-FET) и др. Контроль технологических процессов, помимо требований к критическим размерам элементов в плоскости, включает в себя также требования к прецизионности измерений полного профиля. Несмотря на широкое разнообразие разработанных в настоящее время методов измерений линейных размеров и профиля поверхности, не все из них можно использовать для контроля трехмерного профиля изготавливаемых структур. В работе на основе анализа литературных данных показаны особенности широко используемых в настоящее время методов измерений линейных размеров и элементов топологии, выявлены проблемы их применения для контроля трехмерного профиля. Рассмотрены перспективные методики контроля, внедряемые в настоящее время при производстве ИС
5. Статья из журнала
Об итогах XXX Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Микроэлектроника и информатика - 2023" с международным участием. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 393-394.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 393-394.
Ключевые слова: Конференции, МИЭТ, Микроэлектроника, Информатика
Аннотация: Конференция «Микроэлектроника и информатика» проводится в МИЭТ ежегодно с 1994 г., меняя свой статус: «межвузовская», «всероссийская», «с международным участием». За 30 лет на конференции было заслушано и опубликовано более 8 тыс. работ студентов, аспирантов и молодых ученых из Азербайджана, Армении, Белоруссии, Вьетнама, Италии, Казахстана, Мьянмы, России, Узбекистана и Украины
6. Статья из журнала
Морозова, Е. В. (Автор МИЭТ, НПК ТЦ).
Нанотрубки на основе 2D-материалов SMoSiN2 типа Янус для применений в наноэлектронике / Е. В. Морозова, Д. А. Тимкаева. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 271-280.
Нанотрубки на основе 2D-материалов SMoSiN2 типа Янус для применений в наноэлектронике / Е. В. Морозова, Д. А. Тимкаева. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 271-280.
Авторы: Морозова, Е. В., Тимкаева, Д. А.
Ключевые слова: 2D-материалы, SMoSiN2, Нанотрубки, Зоннаяые структуры, Спектры оптического поглощения
Аннотация: 2D-материалы XMoSiN2 типа Янус (X = S, Se или Te) характеризуются высокими значениями энергии связи и сильным встроенным электрическим полем, позволяющим разделять генерируемые электроннодырочные пары в пределах одного слоя. Данные 2D- материалы перспективны для фотовольтаических приложений. В настоящей работе в рамках моделирования рассмотрены выращенные и оптимизированные нанотрубки малых диаметров на основе 2D-материалов SMoSiN2 типа Янус. С помощью расчетов в рамках теории функционала плотности получены зонные структуры и спектры оптического поглощения таких нанотрубок с различным расположением халькогена. Для рассмотренных структур наблюдается широкая область поглощения коротковолнового излучения при деформации трубки ε = 12,46 %. Нанотрубки XMoSiN2 типа Янус проявляют себя как полупроводники, электронными и оптическими свойствами которых можно управлять путем их деформации
7. Статья из журнала
Смирнова, В. П. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл).
Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти / В. П. Смирнова, Т. Ю. Крупкина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 385-390.
Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти / В. П. Смирнова, Т. Ю. Крупкина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 385-390.
Авторы: Смирнова, В. П., Крупкина, Т. Ю.
Ключевые слова: КМОП ИС, Тяжелые заряженные частицы, Радиационная стойкость, Ячейки памяти, TCAD
Аннотация: При проектировании радиационно стойких микросхем, в частности микросхем памяти, возникает необходимость учитывать распространение токов, вызванных тяжелой заряженной частицей (ТЗЧ), попавшей в устройство. При уменьшении топологических норм и увеличении плотности упаковки повышается вероятность множественных сбоев, причина которых – диффузионные токи. Анализ данных эффектов представляет собой сложную вычислительную задачу, трудоемкость решения которой возрастает при уменьшении топологических размеров элементов. В работе предложен подход, основанный на использовании возможностей TCAD для моделирования конструктивных областей наноразмерных ИС. Представлена модель в цилиндрических координатах для приборнотехнологического моделирования генерации и сбора заряда после воздействия ТЗЧ на МОП-структуру. Описанный подход позволяет оперативно оценить значения диффузионного тока, вызванного ТЗЧ и проходящего через область определенной площади. При применении данного подхода к ячейке памяти можно определить, на каком расстоянии от точки падения ТЗЧ диффузионный ток от частиц превышает граничный ток, при котором происходит радиационно-индуцированный сбой. Это позволяет оценить вероятность возникновения множественных сбоев и скорректировать топологию с учетом данных факторов, а также провести аналитическую оценку сечения сбоя до производства и испытаний микросхемы
8. Статья из журнала
Метод формирования контента для тематических порталов на основе интеллектуального анализа данных / Ю. С. Шевнина, Л. Г. Гагарина, М. А. Климочкина, Т. В. Попова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 368-377.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 368-377.
Авторы: Шевнина, Ю. С., Гагарина, Л. Г., Климочкина, М. А., Попова, Т. В.
Ключевые слова: Тематический информационный портал, Шаблонизаторы, Интеллектуальный анализ данных, Рекомендации
Аннотация: Современные порталы формируют контент для каждого посетителя на основе рекомендательного сервиса, использующего анализ и подсчет меток. Для тематических информационных порталов набор унифицированных терминов и понятий в качестве названий параметров поиска не всегда соответствует потребностям аудитории. Использование похожих страниц и элементов контента для образовательных, научно-технических, промышленных и других корпоративных порталов в сочетании с большим объемом данных для всех категорий посетителей снижает эффективность использования информации, что делает проблему особенно актуальной. В работе представлен метод формирования контента для тематических информационных порталов на основе анализа данных пользовательских сессий с применением искусственного интеллекта. Особенностью метода является использование шаблона представления элемента контента портала, позволяющего представлять содержимое портала в иерархическом виде и параметризировать его. Параметризация контента построена на основе интеллектуального анализа истории посещений тематического информационного портала с выделением отдельных элементов контента и расчетом для них весовых коэффициентов. Показано, что использование весовых коэффициентов позволяет составлять релевантные рекомендации по содержимому портала для возвратных посетителей. Рассмотрен пример использования предлагаемого метода формирования контента для корпоративного портала предприятия микроэлектроники, состоящего из внешней и внутренней областей. Информационные и новостные блоки внешней области корпоративного портала построены с использованием предлагаемого метода формирования контента для тематического портала. Учебный, производственный и научные блоки внутренней области портала также построены на основе предлагаемого метода. Использование рассмотренного метода формирования контента для корпоративного портала позволяет сузить и персонализировать информационные потоки за счет сокращения и адаптации элементов контента с учетом направления деятельности пользователей, что повышает эффективность использования и качество предоставляемых на портале данных и функций
9. Статья из журнала
Метод минимизации влияния старения на rail-to-rail операционный усилитель с тонкими оксидными транзисторами / В. Ш. Меликян, С. А. Гукасян, С. С. Арутюнян [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 351-359.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 351-359.
Авторы: Меликян, В. Ш., Гукасян, С. А., Арутюнян, С. С., Восканян, Г. А., Асатрян, Н. А.
Ключевые слова: КМОП, Старение, Стресс, Rail-to-rail, Тонкие оксидные транзисторы
Аннотация: В технологических процессах менее 5 нм компании производители полупроводников сталкиваются с трудностями при изготовлении транзисторов с толстым оксидом подзатвора. Поскольку напряжения питания не масштабируются соответствующим образом, это вызывает стресс между клеммами транзистора, что приводит к старению транзистора. В работе предложен метод проектирования rail-to-rail операционного усилителя с использованием только тонких оксидных транзисторов. Схема усилителя разработана с использованием 14 нм FinFET технологии SAED. В результате применения метода деградация из-за старения снижена за счет защиты транзисторов от стрессовых условий. На основе предложенной конструкции уменьшены разброс тока Ids с 22,4 до 3,9 % и разброс порогового напряжения Vth с 252 до 28 мВ
10. Статья из журнала
Красникову Геннадию Яковлевичу - 65 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 391-392.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 391-392.
Ключевые слова: Юбилей, Красников Г. Я., НИИМЭ-Микрон, Биографии
Аннотация: 30 апреля 2023 г. исполнилось 65 лет Геннадию Яковлевичу Красникову, академику РАН, президенту РАН, генеральному директору АО «НИИ молекулярной электроники», ученому в области физики полупроводников, диэлектриков, гетероструктур и полупроводниковых приборов
11. Статья из журнала
Гулаков, И. Р.
Исследование плоского угла зрения кремниевых фотоумножителей / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 360-367.
Исследование плоского угла зрения кремниевых фотоумножителей / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 360-367.
Авторы: Гулаков, И. Р., Зеневич, А. О., Кочергина, О. В.
Ключевые слова: Плоский угол зрения, Кремниевые фотоумножители, Чувствительность
Аннотация: В настоящее время для регистрации оптического излучения, как правило, применяются многоэлементные лавинные фотоприемники – кремниевые фотоумножители (Si-ФЭУ). Однако не все характеристики данных фотоприемников изучены. Так, не исследованы зависимости плоского угла зрения Si-ФЭУ от напряжения питания и длины волны оптического излучения. В работе в качестве объектов исследования использованы Si-ФЭУ КОФ5-1035, Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Установлено, что увеличение перенапряжения приводит к росту плоского угла зрения. Определено, что плоский угол зрения Si-ФЭУ имеет максимальное значение при длине волны оптического излучения λ = 470 нм и в диапазоне длин волн λ = 380…750 нм изменяется не более чем на 11 %. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе Si-ФЭУ, при реализации технологии Li-Fi
12. Статья из журнала
Исследование зависимости формы кремниевых игл от концентрации раствора KOH при жидкостном анизотропном травлении / А. В. Новак, А. М. Соколов, А. В. Румянцев, В. Р. Новак. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 287-297.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 287-297.
Авторы: Новак, А. В., Соколов, А. М., Румянцев, А. В., Новак, В. Р.
Ключевые слова: Анизотропное травление в KOH, Кремниевая игла, Кантилеверы, Атомно-силовая микроскопия
Аннотация: Наиболее распространенным и доступным методом, применяемым при изготовлении игл из пластин монокристаллического кремния, является анизотропное жидкостное травление. Зависимость формы и размеров игл от концентрации травящего раствора при использовании одного типа маски (круглой, квадратной или другой формы) изучена недостаточно полно. Данные о форме, размере и аспектном отношении получаемых игл для высоких концентраций водного раствора KOH (более 50 %) практически не приводятся. В работе изучена зависимость формы, размеров и аспектного отношения кремниевых игл пирамидальной формы, полученных при анизотропном травлении кремния в водном растворе КОН, от концентрации раствора в интервале 30–75 %. Проведены расчеты индексов Миллера (hkl) для плоскостей, образующих грани игл. Показано, что использование высоких концентраций водного раствора KOH (70 и 75 %) позволяет изготавливать иглы в форме восьмиугольных пирамид, сохраняющих форму на всей высоте. На остриях таких игл практически отсутствуют дефекты в виде «микролезвий», тогда как при меньших концентрациях водного раствора KOH (30 и 50 %) «микролезвия» наблюдаются практически на всех иглах. Установлено, что при травлении кремния в 75%-ном водном растворе KOH формируются иглы с наибольшей высотой (12–14 мкм) и максимальным аспектным отношением, равным 1,72 мкм, боковые грани игл образованы восемью плоскостями из семейства {411} и {141}
13. Статья из журнала
Щербов, И. Л.
Апробация работы алгоритма адаптивного нелинейного оптимального сглаживания многопараметрических данных траекторных измерений / И. Л. Щербов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 378-384.
Апробация работы алгоритма адаптивного нелинейного оптимального сглаживания многопараметрических данных траекторных измерений / И. Л. Щербов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 3. - С. 378-384.
Авторы: Щербов, И. Л.
Ключевые слова: Алгоритм адаптивного нелинейного оптимального сглаживания, Информационные технологии, Внешнетраекторные измерения, Совместная обработка избыточных данных, Имитационное моделирование
Аннотация: Повышение точности и достоверности получаемой информации о траектории движения летательных аппаратов необходимо для принятия обоснованных решений о характеристиках испытуемого объекта и качестве работы его бортовых навигационных систем. Применяемые методы обработки траекторной информации имеют ряд недостатков, приводящих к потере точности обработки из-за отсутствия учета совместной реализации пространственной и временной избыточности. В работе представлены результаты проверки качества работы алгоритма адаптивного нелинейного оптимального сглаживания, учитывающего пространственную и временную избыточность получаемых данных измерений, при радиолокационном контроле летательного аппарата на типовой траектории полета. Проведено сравнение полученных результатов с результатами работы алгоритма неадаптивного нелинейного оптимального сглаживания многопараметрических данных измерений. Апробация работы адаптивного алгоритма проведена методом имитационного моделирования. Показано, что по качеству работы предложенный адаптивный алгоритм независимо от количества точек на интервале локально скользящего сглаживания при различных степенях сглаживающего полинома не уступает неадаптивному алгоритму и даже превосходит его