| Найдено документов - 13 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 5. - Москва : МИЭТ, 2025. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 20.11.2025). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Системы автоматизированного управления технологическим оборудованием в электронном машиностроении / А. Л. Переверзев, В. Ф. Петров, О. В. Петров [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 618-627. | |
| Авторы: | Переверзев, А. Л., Петров, В. Ф., Петров, О. В., Симонов, С. Б., Терентьев, А. И. |
| Ключевые слова: | Автоматизированные системы управления, Программируемый логический контроллер, Распределенные системы управления, Электронная литография, Automated control systems, Programmable logic controller, Distributed control systems, Electron lithography |
| Аннотация: | В настоящее время технические и архитектурные решения в области разработки автоматизированных систем управления специальным технологическим оборудованием на отечественной элементной базе не унифицированы. Поиск и применение общих архитектурно-технических решений позволит сократить время разработки технологического оборудования, повысить его надежность и снизить стоимость обслуживания. В работе рассмотрены задачи, возникающие при эксплуатации автоматизированных систем управления технологическим оборудованием на производстве, включая применение программируемых логических контроллеров и специализированных вычислительных средств. Приведены результаты анализа современных аппаратных и программных средств для проектирования систем управления специальным технологическим оборудованием. Предложены новые технические и архитектурные решения и даны рекомендации по их применению в электронном машиностроении. На основе проведенного анализа представлена унифицированная структура автоматизированной системы управления на базе технологий распределенных систем управления, которая может быть использована при проектировании или модернизации специального технологического оборудования. Показано применение данной структуры на примере разработки системы автоматизированного управления установкой электронно-лучевой литографии. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании отечественного специального технологического оборудования |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Разработка отечественной САПР приборно-технологического моделирования для микроэлектронных технологий / Ю. А. Чаплыгин, А. Ю. Красюков, Т. Ю. Крупкина [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 607-617. | |
| Авторы: | Чаплыгин, Ю. А., Красюков, А. Ю., Крупкина, Т. Ю., Балашов, А. Г., Лосев, В. В. |
| Ключевые слова: | Элементная база ИС, Приборно-технологическое моделирование, САПР, Отечественные микроэлектронные технологии, IC elements, Device and process simulation, CAD, Domestic microelectronic technologies |
| Аннотация: | Создание эффективной системы приборно-технологического моделирования (ПТМ) в настоящее время является одной из важных составляющих обеспечения технологической независимости проектирования и производства изделий микроэлектроники. Решение этой задачи включает в себя создание отечественных программных средств САПР ПТМ и системы практических рекомендаций и методик ПТМ, настроенных на конкретные потребности производственных предприятий с учетом доступного уровня отечественных технологий. В работе проанализированы возможности существующих САПР ПТМ. Рассмотрены структура и задачи программных средств ПТМ. Проанализированы особенности ПТМ для отечественных микроэлектронных технологий. Приведены особенности приборно-технологического моделирования технологических маршрутов и приборов для реализации на базе отечественных микроэлектронных предприятий, в том числе для производственных процессов создания элементной базы ИС на основе низковольтной КМОП-технологии, биполярной технологии, планарных и вертикальных силовых МОП-транзисторов, интегральных преобразователей магнитного поля. Представлены характеристики разработанных программных модулей в составе отечественной САПР ПТМ – модулей технологического, приборного моделирования и визуализации результатов ПТМ. Показано, что данные программные модули обеспечивают возможность двумерного приборно-технологического моделирования для кремниевых КМОП- и BCD-технологий с проектными нормами 130 нм и выше |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Бахтин, А. А. (Автор МИЭТ, ТКС; Bakhtin, A. A.). Разработка алгоритма межуровневого взаимодействия в децентрализованных самоорганизующихся сетях MANET / А. А. Бахтин, А. С. Волков, С. С. Муратчаев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 667-674. | |
| Авторы: | Бахтин, А. А., Волков, А. С., Муратчаев, С. С. |
| Ключевые слова: | Самоорганизующиеся сети MANET, Маршрутизация, Кластерный анализ, Протокол Ad, Hocself-organizing network, MANET, Routing, Cluster analysis, Ad hoc |
| Аннотация: | Мобильные самоорганизующиеся сети MANET (Mobile Ad hoc Networks) характеризуются сложностью в построении маршрутизации в условиях постоянных изменений структуры сети. Рост числа узлов приводит к экспоненциальному увеличению объема служебного трафика, что снижает пропускную способность и увеличивает энергопотребление. Данные ограничения обусловливают актуальность разработки алгоритмов, позволяющих обеспечить устойчивость, масштабируемость и минимальные задержки сети в динамической среде. В работе предложен новый подход к функционированию децентрализованных самоорганизующихся сетей MANET, основанный на применении кластерного анализа для построения маршрутов. Показано, что кластерный анализ позволяет сгруппировать узлы сети по их топологическим и функциональным характеристикам, что дает возможность адаптировать процесс маршрутизации при увеличении количества устройств. Применяемый алгоритм иерархической кластеризации DBSCAN способствует объединению мобильных узлов в группы с сохранением преимущества реактивных и проактивных протоколов маршрутизации |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Причины возникновения LER-эффекта и методы его минимизации при изготовлении ИС / М. С. Кульпинов, М. Г. Путря, А. А. Голишников, А. Г. Балашов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 597-606. | |
| Авторы: | Кульпинов, М. С., Путря, М. Г., Голишников, А. А., Балашов, А. Г. |
| Ключевые слова: | LER-эффект, Неровность края фоторезистивной маски, Интегральные схемы, Фотонные интегральные схемы, Line Edge Roughness, LER effect, Photoresist mask edge roughness, Integrated circuits, ICs, Photonic integrated circuits, PICs |
| Аннотация: | С развитием наноэлектроники требования, предъявляемые к точности формирования топологических структур в производстве ИС, становятся все более жесткими. Особое значение при этом приобретают фотолитографические процессы, от которых зависят линейные размеры и форма элементов ИС. Одним из существенных факторов, ограничивающих достижение высокой требуемой прецизионности, является эффект неровности края линий (Line Edge Roughness, LER), проявляющийся в виде случайных отклонений границ элементов фоторезистивной маски от идеальной формы. В работе проведен анализ основных причин возникновения LER-эффекта и результатов использования методов сканирующей электронной микроскопии и численного моделирования для количественной оценки значений параметров неровностей контуров элементов фоторезистивной маски на различных этапах литографического процесса. Показано, что минимальные отклонения в пределах 1–2 нм могут приводить к значительному ухудшению электрических характеристик наноразмерных транзисторов, особенно при технологических нормах ниже 28 нм. Проведен анализ возможных технологических приемов, минимизирующих LERэффект. Показано, что анализ причин возникновения и разработка технологии минимизации LER-эффекта является ключевым направлением для обеспечения стабильности и производительности современных наноэлектронных устройств, а его комплексное изучение способствует дальнейшему развитию микроэлектроники |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Предиктивные модели производственных процессов микроэлектроники с учетом стохастических факторов / Л. Г. Гагарина, Ю. С. Шевнина, М. Ю. Семенов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 586-596. | |
| Авторы: | Гагарина, Л. Г., Шевнина, Ю. С., Семенов, М. Ю., Царапкин, С. Ф., Минаков, Е. И. |
| Ключевые слова: | Предиктивные модели, Производственные процессы, Стохастические факторы, Стохастические дифференциальные системы, Марковские процессы, Predictive models, Production processes, Stochastic factors, Stochastic differential systems, Markov processes |
| Аннотация: | Прогнозирование поведения производственных процессов микроэлектроники с высокой степенью неопределенности и вариативности условий требует применения гибких и адаптивных подходов. Исследование предиктивных моделей, которые учитывают стохастические факторы, влияющие на эффективность и качество производственных процессов микроэлектроники, – актуальная задача. В работе рассмотрены вопросы повышения степени адекватности предиктивных моделей, способных учитывать стохастические факторы в производственных процессах микроэлектроники. Полученные на основе стохастических дифференциальных систем предиктивные модели позволяют учитывать множество параметров, их нелинейность и взаимное влияние. Для моделирования процессов фотолитографии предложено использовать линейные стохастические дифференциальные системы, для процессов травления – билинейные стохастические дифференциальные системы. Для оценки устойчивости производственного процесса разработана предиктивная модель на основе уравнений Лурье. Дан прогноз поведения динамических систем случайной структуры, примером которых являются современные ИС и системы на кристалле. Показана необходимость интеграции стохастических подходов в процессы моделирования производственных процессов микроэлектроники, что позволит значительно повысить эффективность управления производством в условиях неопределенности и качество выпускаемой продукции |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Особенности свойств полимерных композитов на основе наноразмерной дисперсной фазы / А. Г. Борисов, Д. В. Вертянов, Е. В. Ильяшева [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 566-574. | |
| Авторы: | Борисов, А. Г., Вертянов, Д. В., Ильяшева, Е. В., Осипенкова, Н. Г., Тимошенков, С. П. |
| Ключевые слова: | Нанокомпозиты, Полимеры, Слои перераспределения, Микросборки, Внутренний монтаж кристаллов, Nanocomposite, Polymer, Redistribution layers, Microassembly, Internal assembly of crystals |
| Аннотация: | В зависимости от типа наночастиц, вводимых в полимерные материалы в низкой концентрации, нанокомпозиты приобретают особые химические, электрофизические, термические и трибологические свойства, что открывает широкие возможности для их использования в технологии электронной техники. Однако при увеличении объемной доли дисперсной фазы выше определенного значения происходят резкие изменения физико-химических свойств материала. Наблюдаемые явления могут быть объяснены перестройкой структуры нанокомпозита, обусловленной процессами агломерации частиц дисперсной фазы либо образования структуры накокомпозита в виде непрерывной сетки. В работе проведена теоретическая оценка критической объемной доли дисперсной фазы в нанокомпозите, при которой начинается структурная перестройка, в зависимости от размера частиц этой фазы. Расчетными методами на основе представлений о возможных формах молекул полимеров на поверхности твердой фазы оценены толщины мономолекулярных слоев различных полимерных матриц. По результатам расчетов построены графики зависимости критической объемной доли дисперсной фазы нанокомпозита от размера ее частиц для матриц на основе полиимида и эпоксидных смол. Показано, что рассчитанная зависимость для толщины слоя олигомера вокруг частицы дисперсной фазы, равной 200 нм, хорошо согласуется с экспериментальными данными |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Нейроинтерфейсы живых – технических систем для управления передачей болевых сигналов в мозг / С. А. Гаврилов, А. Ю. Герасименко, А. А. Данилов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 641-656. | |
| Авторы: | Гаврилов, С. А., Герасименко, А. Ю., Данилов, А. А., Нездоровин, О. В., Нездоровина, В. Г., Нестеренко, И. В., Переверзев, А. Л., Пожар, К. В., Рябкин, Д. И., Селищев, С. В. |
| Ключевые слова: | Нейроинтерфейсы, Электрическая нейростимуляция, Стимуляция спинного мозга, Стимуляция с обратной связью, Имплантируемые генераторы, Neurointerface, Electrical neurostimulation, Spinal cord stimulation, SCS, Closed-loop stimulation, Implantable pulse generator, IPG |
| Аннотация: | Актуальность исследований в области нейроинтерфейсов живых – технических систем для управления передачей болевых сигналов в мозг связана с увеличением числа заболеваний нервной системы и соответствующим ростом мирового рынка нейростимуляторов, предлагающих альтернативную медикаментозной терапию, более эффективную в ряде случаев. В работе проведены исследования в области микроэлектронных имплантируемых нейроинтерфейсов медицинского применения для борьбы с заболеваниями, связанными с хронической болью. Цель работы – получение научных результатов, объясняющих механизмы и закономерности мультимасштабного формирования с применением микроэлектронных технологий на нано-, микро-, макроуровнях нейроинтерфейсов живых – технических систем для управления передачей болевых сигналов в мозг посредством сетевой структуры имплантируемых нейростимуляторов с биологическими обратными связями. Выделена и подробно рассмотрена проблематика ключевых технологий таких имплантируемых нейроинтерфейсов, в частности архитектура, энергообеспечение, биоподобные структуры, маркеры боли. Проведенные экспериментальные исследования на животной модели подтверждают теоретические результаты |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Гаврилов, С. А. (Автор МИЭТ, Ректор; Gavrilov, S. A.). МИЭТ - 60 лет! / С. А. Гаврилов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 537-542. | |
| Авторы: | Гаврилов, С. А. |
| Ключевые слова: | Краеведение, Зеленоград, МИЭТ, Юбилей 60 лет МИЭТ, История МИЭТа, Достижения в образовании, Достижения в науке |
| Аннотация: | За 60 лет деятельности в МИЭТ сформирован прочный фундамент для стратегического развития, направленного на научное, образовательное и технологическое лидерство. К 2030 г. университет должен стать глобальной, открытой площадкой для притяжения талантливой молодежи, генерации и трансфера знаний и технологий, а также передовым научно-образовательным центром, создающим перспективный задел для технологического лидерства страны. В МИЭТ реализуются стратегические технологические проекты, направленные на достижение технологического лидерства страны в таких областях, как доверенная микроэлектроника, имплантируемые медицинские приборы, технологии дистанционного зондирования Земли и управления беспилотными системами, а также в сфере широкополосного доступа в Интернет. МИЭТ совместно с индустриальными партнерами АО «НИИМЭ», АО «Микрон», НПК «Технологический центр», ООО «КНС Групп», АО «МНТЦ», ООО «НМ-Тех», ООО «Бюро 1440», ГК «Роскосмос», АО «Завод ПРОТОН», АО «ГКНПЦ им. М. В. Хруничева», ФГБУ «НМИЦ им. В. А. Алмазова» реализует комплексную программу мероприятий, направленную на подготовку кадров, развитие компетенций и технологий, разработку и коммерциализацию продуктов. Перспективные продукты: технологии энергоэффективной и доверенной ЭКБ, нейростимулятор спинного мозга, имплантируемые системы гемодиализа, система спутникового скоростного доступа в Интернет, сервис доступа и аналитики данных систем дистанционного зондирования Земли. Реализация стратегических проектов и инициатив позволит университету стать высокотехнологичной площадкой для опережающей подготовки кадров, распространения знаний и создания технологий микроэлектроники и информационных технологий |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Методы построения спутниковых радиолокаторов с синтезированной апертурой для малых космических аппаратов / А. Л. Переверзев, К. С. Лялин, В. К. Цветков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 628-640. | |
| Авторы: | Переверзев, А. Л., Лялин, К. С., Цветков, В. К., Мелёшин, Ю. М., Козлов, В. А., Кузьмин, И. А. |
| Ключевые слова: | Радиолокаторы с синтезированной апертурой, РСА, Активная фазированная антенная решетка, АФАР, MIMO-радиолокация, Малые космические аппараты, МКА, Synthetic aperture radar, SAR, Active phased array antenna, AESA, MIMO, Small spacecraft, SSC |
| Аннотация: | Интенсификация средств дистанционного зондирования Земли обусловливает развитие спутниковых радиолокаторов с синтезированной апертурой для малых космических аппаратов. Выделяют основные направления их технической реализации: на базе гибридных зеркальных антенн и активных фазированных антенных решеток. Обозначенные направления не только определяют облик отдельно взятого космического аппарата, но и влияют на облик и требования к группировке спутников в целом. Разные технические реализации, в свою очередь, предоставляют различные возможности и функции радиолокационных систем. В работе рассмотрены ключевые тенденции создания радиолокаторов с синтезированной апертурой. Предложен вариант архитектуры бортового радиолокационного комплекса для малого космического аппарата на базе цифровой активной фазированной антенной решетки. Показано, что разработанная архитектура позволяет вести съемку широкополосными зондирующими сигналами в широком диапазоне углов визирования без поворота космического аппарата, допускает применение технологии MIMO-радиолокации и позволяет решать задачи однопролетной интерферометрии и селекции движущихся целей |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Исследование процессов формирования и стабильности фазосдвигающих слоев на основе Mo-Si и Ta-Si для фотошаблонов под воздействием глубокого ультрафиолетового излучения с длиной волны 248 нм / А. В. Аникин, Д. Г. Громов, Е. А. Лебедев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 552-565. | |
| Авторы: | Аникин, А. В., Громов, Д. Г., Лебедев, Е. А., Боргардт, Н. И., Волков, Р. Л., Лавров, И. В., Силибин, М. В., Дубков, С. В., Вигдорович, Е. Н., Павликов, А. В., Комленок, М. С., Курочицкий, Н. Д., Громов, В. Д., Рязанов, Р. М., Крохан, Н. В., Шарипов, Р. А., Новикова, О. В., Подорожний, О. В., Гаврилов, С. А. |
| Ключевые слова: | Фазосдвигающие фотошаблоны, Магнетронное распыление, Глубокое ультрафиолетовое излучение, Фотолитография, Phase-shifting photomask, Magnetron sputtering, Deep ultraviolet exposure, Photolithography |
| Аннотация: | В условиях масштабируемости фотолитографических технологий и перехода к разрешению менее 180 нм возникает необходимость в преодолении дифракционных ограничений, связанных с использованием глубокого ультрафиолетового излучения. Одно из эффективных решений этой проблемы – применение фазосдвигающих фотошаблонов, позволяющих повысить разрешающую способность за счет управления фазой проходящего света. Важным элементом таких фотошаблонов являются фазосдвигающие слои, оптические характеристики и стойкость к глубокому ультрафиолету которых критически влияют на качество элементов, формируемых в резисте. В работе проведен анализ выбранного состава фазосдвигающих слоев на основе Mo-Si и Ta-Si, полученных методом магнетронного распыления в азотсодержащей среде. Определены оптические характеристики, стабильность при воздействии глубокого ультрафиолетового излучения и пригодность данных материалов для использования в фотолитографии. Изучено влияние концентрации азота в рабочей газовой смеси на состав и свойства образующихся пленок. Измерены показатели преломления, коэффициента экстинкции, пропускания и фазового сдвига сформированных слоев. Проанализирована их радиационная стойкость при облучении KrF-лазером (248 нм). Показано, что слои на основе Mo-Si и Ta-Si незначительно изменяют свои оптические свойства в интервале доз облучения 0–2,5 кДж/см2 . Это делает их пригодными для использования в производстве фотошаблонов. Выявлено, что при повышенных дозах облучения начинается деградация оптических свойств, обусловленная частичным окислением слоев. Проведено моделирование дифракционной картины и дана оценка оптического контраста, достижимого при использовании предложенных материалов в структуре фотошаблона. Моделирование показало, что при использовании полученных фазосдвигающих материалов на основе Mo-Si и Ta-Si можно получить высокий (близкий к 1) оптический контраст для линий и щелей с шагом 120 нм |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Исследование влияния гидродинамических условий формирования на морфологию и фотокаталитические свойства анодного оксида вольфрама / Ю. В. Назаркина, Д. Д. Шитова, А. А. Дронов, Е. М. Еганова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 575-585. | |
| Авторы: | Назаркина, Ю. В., Шитова, Д. Д., Дронов, А. А., Еганова, Е. М. |
| Ключевые слова: | Оксид вольфрама, Вращающийся дисковый электрод, Наноматериалы, Фотокаталитические покрытия, Tungsten oxide, Rotating disk electrode, Nanomaterials, Photocatalytic coatings |
| Аннотация: | Анодирование переходных металлов – широко используемый метод изготовления наноструктурированных оксидов с высоким аспектным отношением, например пористого оксида алюминия или титана. Однако при синтезе пористого оксида вольфрама в процессе электрохимического окисления возникают сложности вследствие диффузионных ограничений: затрудненного подвода реагентов и отвода продуктов реакции. Технологические режимы анодного окисления вольфрама, которые позволяют формировать слои пористого оксида вольфрама с высокой удельной площадью поверхности путем изменения гидродинамических условий процесса, в том числе вращения электрода, на данный момент слабо изучены и практически не представлены в литературе. В работе рассмотрено влияние гидродинамических условий анодирования вольфрама на кинетику роста и морфологию пористого оксида вольфрама WOx в ячейке с вращающимся дисковым электродом. Методом растровой электронной микроскопии исследована морфология полученных слоев анодного оксида вольфрама WOx . Показано, что в диапазоне скоростей вращения вольфрамового электрода 500–750 об./мин возможно формирование пористых структур WOx с диаметром пор 40–70 нм и высокой удельной площадью поверхности. Продемонстрировано, что такие оксидные структуры обладают наибольшей фотокаталитической активностью по сравнению с образцами, полученными при других скоростях вращения электрода |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Импульсное лазерное осаждение и исследование методами электронной микроскопии гетероструктуры на основе сплава Гейслера CoFeMnSi и кобальта / И. В. Верюжский, А. С. Приходько, Ф. А. Усков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 543-551. | |
| Авторы: | Верюжский, И. В., Приходько, А. С., Усков, Ф. А., Григорашвили, Ю. Е., Боргардт, Н. И. |
| Ключевые слова: | Магнитный туннельный переход, Гетероструктуры, Бесщелевые полупроводники, Спинтроника, Тонкие пленки, Лазерное осаждение, Эпитаксия, Монокристаллы, Спиновые бесщелевые полупроводники, Сплав CoFeMnSi, Magnetic tunnel junction, Heterostructures, Gapless semiconductor, Spintronics, Thin films, Laser deposition, Epitaxy, Single crystal, Spin gapless semiconductor, CoFeMnSi alloy |
| Аннотация: | Четверные сплавы Гейслера CoFeMnSi (CFMS) относятся к спиновым бесщелевым полупроводникам. CFMS обладают близкой к 100 % спиновой поляризацией носителей заряда и являются перспективными материалами для создания современных устройств спинтроники. В таких устройствах кобальт и его сплавы широко применяются для формирования ферромагнитных слоев. Одновременное использование данных материалов для изготовления магнитных туннельных переходов может значительно повысить эффект туннельного магнитного сопротивления, что обусловливает необходимость создания технологии изготовления многослойных структур на их основе. В работе рассмотрен метод импульсного лазерного осаждения для выращивания гетероструктуры на основе пленки CFMS и слоя кобальта на подложке MgO(100). Электронно-микроскопические исследования образцов поперечного сечения показали, что полученные слои CFMS и кобальта имеют совершенную кристаллическую структуру, при этом в слое кобальта обнаружено содержание атомов железа. Установлено, что толщина пленки CFMS примерно 10 нм, слоя Co/Fе 2 нм и между ними образуется атомарно-гладкая граница. Это свидетельствует о реализации эпитаксиального роста верхнего слоя гетероструктуры. В области границы раздела между подложкой MgO и пленкой CFMS, протяженность которой в перпендикулярном поверхности подложки направлении около 1 нм, выявлено обеднение атомами CFMS. Наличие железа в верхнем слое и образование обедненной атомами области на границе между пленкой CFMS и подложкой MgO обусловливает необходимость дальнейшей оптимизации метода импульсного лазерного осаждения для формирования гетероструктур |
| Поиск: | Источник |
13. Статья из журнала
| Соколова, Т. Ю. (Автор МИЭТ, Ин-т ЦД; Sokolova, T. Yu.). Виртуальное прототипирование интерактивных симуляторов сложного оборудования и высокотехнологичных процессов микроэлектроники / Т. Ю. Соколова, Б. Ю. Кулагин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 5. - С. 657-666. | |
| Авторы: | Соколова, Т. Ю., Кулагин, Б. Ю. |
| Ключевые слова: | Виртуальное прототипирование, Интерактивная киберфизическая модель, Цифровой двойник, Интерактивные симуляторы, Визуализация, Виртуальная реальность, Фотограмметрия, Полигональное моделирование, Virtual prototyping, Interactive cyber-physical model, Digital twin, Interactive simulator, Visualization, Virtual reality, Photogrammetry, Polygonal modeling |
| Аннотация: | Развитие технологий виртуального прототипирования способствует созданию точных интерактивных визуализированных киберфизических моделей и виртуальных прототипов и их внедрению в структуру цифровых двойников. Разработка виртуальных прототипов необходима для имитационного моделирования дорогостоящего высокотехнологичного оборудования микроэлектронного и робототехнического производства, сложных систем управления и др. В работе рассмотрены особенности проектирования интерактивных виртуальных прототипов сложного высокотехнологичного оборудования, симулирующих технологические процессы и производство в электронной промышленности. Приведены результаты исследования целесообразности и эффективности создания интерактивных киберфизических моделей при разработке цифровых двойников. Определены способы и методы моделирования и визуализации производственных пространств и технологического оборудования на основе реальных объектов с применением технологий твердотельного или поверхностного геометрического моделирования, фотограмметрии, лазерного сканирования, а также полигонального моделирования. Дана сравнительная оценка алгоритмов и методов создания интерактивных киберфизических моделей оборудования с учетом точности и временных затрат на формирование геометрических моделей. Изучены особенности специализированных и универсальных инструментов, обеспечивающих интерактивное взаимодействие, реалистичную визуализацию и анимацию в режиме реального времени в виртуальном ландшафте. Описаны разработанные интерактивные киберфизические комплексы, реализованные с применением технологий имитационного трехмерного моделирования, визуализации, анимации, визуального программирования, виртуальной и смешанной реальности. Новизна разработок заключается в создании симуляторов сложного технологического оборудования с применением интеграции киберфизических моделей установок и математических зависимостей технологических процессов. Результаты апробации разработанных виртуальных интерактивных онлайн-симуляторов при подготовке студентов технических специальностей в МИЭТ показали значительное повышение эффективности при использовании точных интерактивных виртуальных прототипов в обучении студентов и профессиональной переподготовке персонала предприятий, а также при разработке нового оборудования |
| Поиск: | Источник |