| Найдено документов - 1 | Источник: Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров [и др.]. - Текст : электронный // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Пете... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 15. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |