| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 15. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров [и др.]. - Текст : электронный // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : Наука, 2019. - № 15. - С. 21-24. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/48081 (дата обращения: 23.05.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Александров, И. А., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Зайцев, А. А., Протасов, Д. Ю., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С. |
| Ключевые слова: | Легирование, GaN, HEMT, Эпитаксия, Буферные слои, Транзисторы, Галлий, Аммиак |
| Аннотация: | Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака. Ключевые слова: GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH3-MBE |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |