| Найдено документов - 1 | Источник: Моделирование нормально закрытого HEMT транзистора на оcнове GaN/AlGaN с p-затвором / В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, О. Б. Кухтяева. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Мо... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 6. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |