| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 6. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Моделирование нормально закрытого HEMT транзистора на оcнове GaN/AlGaN с p-затвором / В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, О. Б. Кухтяева. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - № 6. - С. 474-480. - URL: https://sciencejournals.ru/view-article/?j=mikelek&y=2020&v=49&n=6&a=MikElek2006004Egorkin (дата обращения: 31.10.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Егоркин, В. И., Земляков, В. Е., Капаев, В. В., Кухтяева, О. Б. |
| Ключевые слова: | Численное моделирование, HEMT-транзисторы, GaN, p-затворы, Транзисторы |
| Аннотация: | Проведено численное моделирование характеристик нормально закрытых GaN/AlGaN HEMT транзисторов с p-затвором. Найдены зависимости напряжения открытия от толщины основного AlGaN барьера и дополнительных спейсерного и стоп-слоя AlN. Проанализировано влияние неполной компенсации спонтанного заряда при пассивации на выходные характеристики транзистора. Исследовано влияние величины омического сопротивления истока на величину тока насыщения транзистора. Показано, что при оптимальных параметрах конструкции ток насыщения может достигать 1 А/мм при напряжении на затворе Vg ~ 3 В |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |