| Найдено документов - 1 | Источник: Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In / Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов [и др.]. - Текст : электронный // ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 6. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |