Сортировать по:
1. Статья из журнала
Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In / Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов [и др.]. - Текст : электронный
// ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 6. - С. 1040-1044. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/50876 (дата обращения: 25.01.2023). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Ищенко, Д. В., Акимов, А. Н., Ахундов, И. О., Голяшов, В. А., Климов, А. Э., Логинов, А. Б., Логинов, Б. А., Пащин, Н. С., Тарасов, А. С., Федосенко, Е. В., Шерстякова, В. Н.
Ключевые слова:Топологический изолятор, Поверхность, Твердый раствор, AIVBVI, Теллурид свинца, Теллурид олова
Аннотация:Методом атомно-силовой микроскопии исследована топология поверхности эпитаксиальных пленок твердого раствора теллурида свинца и олова, в том числе с добавлением индия (Pb1-xSnxTe:In), выращенных на монокристаллических подложках BaF2(111) и буферном слое CaF2/BaF2 на Si(111). Показано, что характерные статистические показатели рельефа обусловлены особенностями роста пленки и механизмом встраивания индия, избыточное содержание которого зарегистрировано на поверхности ex situ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет