| Найдено документов - 1 | Источник: Рехвиашвили, С. Ш. Физико-топологическое моделирование объемной конденсаторной структуры с барьером Шоттки / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, А. Н. Бойко. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА.... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 5. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2021. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |