| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 5. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2021. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Рехвиашвили, С. Ш. Физико-топологическое моделирование объемной конденсаторной структуры с барьером Шоттки / С. Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, А. Н. Бойко. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2021. - № 5. - С. 384-389. - URL: https://sciencejournals.ru/view-article/?j=mikelek&y=2021&v=50&n=5&a=MikElek2104009Rekhviashvili (дата обращения: 31.10.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Рехвиашвили, С. Ш., Гаев, Д. С., Бойко, А. Н. |
| Ключевые слова: | Интегральные конденсаторы, Варикапы, Объемные структуры, Физико-топологическое моделирование, Эквивалентные электрические схемы |
| Аннотация: | Предложена и численно реализована физико-топологическая модель интегрального конденсатора на основе барьера Шоттки. Теоретически показано, что путем формирования объемной функциональной структуры конденсатора можно добиться значительного увеличения его емкости. Составлена распределенная эквивалентная схема конденсатора, учитывающая конструктивно-технологические особенности. Построена SPICE-модель интегрального конденсатора и на численном примере проведена идентификация параметров модели. С помощью схемотехнического моделирования изучено влияние паразитных параметров на характеристики интегрального конденсатора |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |