| Найдено документов - 1 | Источник: Многоуровневые мемристорные структуры на основе a-Si с повышенной устойчивостью резистивного переключения и малыми токами потребления / Д. В. Ичёткин, М. Е. Ширяев, Д. В. Новиков [и др.]. - Текс... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 20. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |