| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 20. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Многоуровневые мемристорные структуры на основе a-Si с повышенной устойчивостью резистивного переключения и малыми токами потребления / Д. В. Ичёткин, М. Е. Ширяев, Д. В. Новиков [и др.]. - Текст : электронный // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 20. - С. 39. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/56346 (дата обращения: 17.11.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Ичёткин, Д. В., Ширяев, М. Е., Новиков, Д. В., Лебедев, Е. А., Рыльков, В. В. |
| Ключевые слова: | Мемристоры, A-Si, Магнетронное осаждение, Многоуровневый характер переключений, Малые токи потребления |
| Аннотация: | С использованием технологий магнетронного осаждения и термического напыления синтезированы мемристорные структуры Сr/Cu−Ag/a-Si/ естественный оксид SiOx /p ++-Si, обладающие повышенной устойчивостью к резистивным переключениям (более 104 циклов записи/стирания), что на несколько порядков выше, чем сообщалось ранее. При этом структуры демонстрируют многоуровневый характер переключений при токах потребления до 1 µA и обладают временем хранения резистивных состояний не менее 10 min. Обсуждается возможный механизм формирования стабильных резистивных переключений |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |