| Найдено документов - 1 | Источник: Мефтахутдинов, Р. М. Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS2 / Р. М. Мефтахутдинов. - Текст : электронный : непосредственный /... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 4. - Москва : МИЭТ, 2024. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 09.09.2024). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки МИЭТ. - Текст : электронный : непосредственный. | |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: чз(Архив)-1 |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |