| Найдено документов - 12 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 4. - Москва : МИЭТ, 2024. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 09.09.2024). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Маслаков, М. П. Разработка устройства для получения высококачественного синусоидального переменного напряжения / М. П. Маслаков, О. В. Лыков. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 525-538. | |
| Авторы: | Маслаков, М. П., Лыков, О. В. |
| Ключевые слова: | Микроконтроллеры, Инверторы, Коммутаторы, Транзисторы, Выпрямители, Фильтры, Системы управления, Силовая часть |
| Аннотация: | Для обеспечения бесперебойного питания дорогостоящего сложного оборудования и измерительных приборов на предприятиях используются источники резервного питания. Обычно в качестве таких источников применяются аккумуляторные батареи, постоянное напряжение от которых преобразуется в переменное напряжение с помощью инвертора. Однако такие источники не могут обеспечить высокое качество выходного переменного напряжения. Это связано с тем, что полученная форма напряжения отличается от синусоидальной, в результате напряжение содержит большое число гармоник, что сказывается на качестве работы оборудования на предприятии. В работе предложено устройство для получения высококачественного переменного синусоидального напряжения из переменного напряжения произвольной формы. Разработана принципиальная электрическая схема устройства. Проведено ее моделирование и исследование. Приведен разработанный алгоритм работы устройства. Создана модель устройства в соответствии с разработанным алгоритмом и проведено ее моделирование в программе Micro-Cap 12. Показано, что устройство позволяет формировать на его выходе переменное напряжение, форма которого максимально приближена к синусоидальной, и искажения не превышают 3 % |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Гулаков, И. Р. Пространственные характеристики кремниевых фотоумножителей / И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 466-477. | |
| Авторы: | Гулаков, И. Р., Зеневич, А. О., Кочергина, О. В. |
| Ключевые слова: | Кремниевые фотоумножители, Пространственные характеристики, Площадь фоточувствительной поверхности, Отношение сигнал/шум, Скорость передачи информации, Технология Li-Fi |
| Аннотация: | Технологии передачи данных оптическим излучением, такие как Li-Fi или FSO, характеризуются высокой скоростью передачи и уровнем защиты информации, безопасностью для человека. Одними из наиболее перспективных фотоприемников для реализации указанных технологий являются матричные многоэлементные лавинные фотоприемники – кремниевые фотоэлектрические умножители (Si-ФЭУ), пространственные характеристики которых изучены недостаточно. В работе изложены результаты исследований зависимости неравномерности чувствительности, отношения сигнал / шум и скорости регистрации информации от площади поперечного сечения оптического зонда и места падения регистрируемого излучения на фоточувствительную поверхность фотоприемника, влияния напряжения питания фотоприемника и экспозиции оптического излучения на характеристики исследуемых Si-ФЭУ. Для проведения исследований отобраны три Si-ФЭУ: KETEK РМ 3325, ON Semi FC 30035 и КОФ5-1035. Определено, что среднее значение амплитуды импульсов напряжения фотосигнала принимает максимальное значение при расположении пятна оптического зонда в центре фоточувствительной поверхности на значительной ее площади. Установлено, что при перемещении пятна оптического зонда от центра к краю фоточувствительной поверхности исследуемых Si-ФЭУ среднее значение амплитуды импульсов уменьшается, но не более чем на 30 %. Показано, что при увеличении площади засветки фоточувствительной поверхности фотоприемника, вплоть до значений, соответствующих 65 % полной площади, наблюдается значительный рост отношения сигнал / шум и скорости регистрации информации. Однако при дальнейшем увеличении площади засветки рост указанных параметров заметно замедляется. Выяснено, что для достижения максимального значения сигнал / шум и скорости передачи информации необходимо, чтобы оптическое излучение покрывало всю площадь Si-ФЭУ, а энергетическая экспозиция соответствовала уровню критического значения |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Харламов, Н. Р. (Автор МИЭТ (аспирант)). Применение интегральных показателей при оценке уровня экологической безопасности наукоемкой природно-технической геосистемы / Н. Р. Харламов, А. С. Рябышенков, В. И. Каракеян. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 456-465. | |
| Авторы: | Харламов, Н. Р., Рябышенков, А. С., Каракеян, В. И. |
| Ключевые слова: | Экологическая емкость территории, Экологическая техноемкость, Экологическая безопасность, Техногенная нагрузка, Степень напряженности, Наукоемкая природно-техническая геосистема |
| Аннотация: | Интенсивные темпы развития производств микроэлектроники способствуют увеличению техногенных нагрузок на компоненты наукоемкой природно-технической геосистемы, что актуализирует проблему обеспечения ее экологической безопасности. В работе представлены результаты экспериментально-аналитической оценки текущего состояния экологической безопасности и прогнозирования ее возможного уровня при расширении производств микроэлектроники г. Зеленограда на основе интегрального критерия, отражающего экологическую сбалансированность между техногенным воздействием и природно-ресурсным потенциалом. В качестве предельно допустимой техногенной нагрузки, переносимой наукоемкой природно-технической системой на протяжении длительного времени без нарушения своих основных свойств, использовано понятие экологической техноемкости территории. Определены составляющие техногенной нагрузки, воздействующие на компоненты наукоемкой природно-технической геосистемы, и предложен способ уточнения их влияния на уровень экологической безопасности. Установлено, что основным дестабилизирующим фактором экологической сбалансированности являются выбросы в атмосферу, значительный источник которых – производства микроэлектроники. Показано, что интегральный коэффициент экологической опасности в настоящее время находится на критическом уровне с тенденцией к крайне опасному при росте техногенной нагрузки на атмосферу наукоемкой природно-технической геосистемы. Предложенный критерий экологической безопасности может стать инструментом повышения оперативности управления состоянием геосистемы и минимизации рисков экстремальных ситуаций |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Особенности воздействия пучка ионов гелия на пленку интеркалированного графита / З. М. Хамдохов, З. Ч. Маргушев, З. Х. Калажоков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 420-431. | |
| Авторы: | Хамдохов, З. М., Маргушев, З. Ч., Калажоков, З. Х., Калажоков, Х. Х., Кушхов, Х. Б., Тешев, Р. Ш. |
| Ключевые слова: | Интеркалированный графит, Подложки из нержавеющей стали, Аморфный углерод, Карбид железа, Комбинационное рассеяние света, Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия |
| Аннотация: | Интеркалированный графит - перспективный углеродный материал для применения в качестве автоэмиссионных сред, так как в них можно синтезировать углеродные наноструктуры с помощью несложных экспериментов. Однако в литературе нет достаточных данных о влиянии ионного воздействия на физические свойства интеркалированного графита. В работе исследованы морфология поверхности и структура композитных пленок на основе интеркалированного графита, полученного путем обработки порошка из графита и примесей Fе, Ni, Y2O3, Cr в окислительном растворе азотной и серной кислот. Показаны изменения пленок, происходящие под действием бомбардировки ионами гелия. Установлено, что полученные пленки содержат две модификации графита с различными межплоскостными расстояниями - гексагональную P 63mc (0,247 нм) и метастабильную ромбоэдрическую R-3m (0,246 нм). Продемонстрировано, что РФЭС-спектры уровня C 1s соответствуют кристаллическому углероду с различной степенью гидрогенизации химической структуры. Выявлено, что пленки характеризуются отсутствием упорядоченной структуры рельефа поверхности и состоят из случайно ориентированных агрегатов частиц. Обнаружено образование чешуек графита, имеющих различные формы и толщину примерно несколько десятков нанометров. Отмечено незначительное изменение морфологии поверхности образцов, прошедших активацию гелиевой плазмой. Определено, что графитоподобные sp2 -кластеры более устойчивы к ионному облучению, чем sp3 -кластеры. Показано, что в процессе бомбардировки пленки ионами гелия происходит перестройка sp3 -кластеров в более устойчивые химические структуры C-O, C-O-C и C=O. Средний размер sp2 -кластеров ~ 5 нм |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Шумарин, С. В. Модификация SPICE-моделей КМОП-микросхем для имитации частотного отклика кольцевого генератора на низкоинтенсивное ионизирующее облучение / С. В. Шумарин, Т. Н. Фролова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 514-524. | |
| Авторы: | Шумарин, С. В., Фролова, Т. Н. |
| Ключевые слова: | Низкоинтенсивное ионизирующее изучение, SPICE-модели, КМОП-микросхемы, МОП-транзисторы, Пороговое напряжение, Кольцевой генератор |
| Аннотация: | В условиях ионизирующей радиации большое влияние на работоспособность электронных устройств на основе КМОП элементной базы оказывают поверхностные эффекты, связанные с подзатворным диэлектриком и границей раздела кремний – диэлектрик. Симулятор электронных схем общего назначения с открытым исходным кодом позволяет на этапе схемотехнического проектирования учитывать дестабилизирующие факторы и анализировать поведение интегральных микросхем в конкретных условиях эксплуатации. В работе описаны особенности схемотехнического моделирования КМОП-микросхем космического применения, учитывающие дестабилизирующее низкоинтенсивное ионизирующее воздействие. Рассмотрено изменение порогового напряжения МОП-транзисторов, наиболее чувствительного к дозовому воздействию. Выполнена модификация SPICE-модели микросхемы 1564ЛЕ1 путем включения дополнительных источников напряжения, имитирующих сдвиги пороговых напряжений n- и p-канальных МОП-транзисторов. Показано, что SPICE-модель позволяет получать отклик электронных устройств на ионизирующее воздействие в течение тысячи часов в едином запуске симулятора на типовой рабочей станции. Проведен виртуальный эксперимент с кольцевым генератором, собранным на базе микросхемы 1564ЛЕ1, для условий низкоинтенсивного ионизирующего излучения с постоянной мощностью дозы P = 0,1 рад/с в течение 5000 ч. Представлена полученная с использованием сжатия временной оси зависимость частоты автоколебаний кольцевого генератора от времени облучения |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Мефтахутдинов, Р. М. Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS2 / Р. М. Мефтахутдинов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 478-488. | |
| Авторы: | Мефтахутдинов, Р. М. |
| Ключевые слова: | DFT-расчеты, Мемристоры, Транзисторы с плавающим затвором, Синаптическая пластичность |
| Аннотация: | Транзисторы на основе кремниевых технологий характеризуются значительным рассеянием мощности. Однако масштабирование кремниевых транзисторов не удается при длине затвора менее 5 нм из-за эффектов короткого канала. Требуемая высокая плотность синапсов не позволяет использовать устройства на основе кремния для нейроморфных приложений. Существует широкое разнообразие устройств электрически стираемой энергонезависимой памяти с различными электронными архитектурами, среди них транзисторы с плавающим затвором представляют наибольший интерес для исследователей. В настоящей работе рассмотрен транзистор с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS2, построена многомасштабная модель устройства и осуществлена ее реализация. С использованием DFT-методов (Density Functional Theory) изучены физические свойства гетероструктуры. Для исследования передаточных характеристик использована модель Шичмана – Ходжеса. Показано, что плавающий затвор заряжается за счет туннельного эффекта Фаулера – Нордгейма и прямого туннелирования. Проведенные расчеты показали, что представленное устройство имеет высокое быстродействие (при напряжении на затворе 9 В время записывания составляет 50 нс). Окно памяти может быть настроено изменением диапазона развертки напряжения на управляющем электроде. Кроме того, устройство демонстрирует особенности биологического синапса, такие как импульсное потенциирование и пластичность, которые выражаются в возможности настраивать проводимость канала электрическим импульсом, подаваемым на затвор. Эти функции являются важными для процесса обучения и, таким образом, открывают возможности для использования транзистора для нейроморфных приложений |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Лазерное формирование подвешенных графеновых каналов фоточувствительных детекторов / Н. П. Некрасов, Д. Т. Мурашко, П. Н. Василевский [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 447-455. | |
| Авторы: | Некрасов, Н. П., Мурашко, Д. Т., Василевский, П. Н., Герасименко, А. Ю., Неволин, В. К., Бобринецкий, И. И. |
| Ключевые слова: | Фоточувствительные элементы, Двумерные материалы, Графен, Управление проводимостью, Двумерный канал |
| Аннотация: | Формирование используемых в качестве фотодетекторов подвешенных каналов оксида графена фемтосекундным излучением позволяет выполнять операции модификации чувствительного канала с высокой точностью, не повреждая пленку. Однако создание графеновых каналов является задачей, требующей новых нестандартных решений. В работе рассмотрен фотовольтаический эффект в подвешенном канале оксида графена. Показано, что свободностоящие пленки оксида графена, сформированные фемтосекундным излучением, позволяют избежать воздействия зарядов на подложке на проводящий подвешенный графеновый канал. Экспериментально исследовано управление формированием восстановленного канала из оксида графена. Выяснено, что структура представляет собой нанесенный осаждением из раствора пленочный слой оксида графена на подложке из полидиметилсилоксана с отверстием под подвешенную часть пленки. Проведены исследования полученных образцов методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния. Установлено, что в данных микроструктурах можно формировать заданный уровень фотоотклика в зависимости от степени восстановления структуры. Фоточувствительность в структурах с подвешенным оксидом графена определена переходами восстановленной и невосстановленной областей канала и составляет 0,8 А/Вт для длины волны 630 нм. Устройство показало высокую фоточувствительность в видимом ближнем ИК-диапазоне |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Григорьева, Т. В. (Автор МИЭТ (студент)). Исследование p-i-n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней / Т. В. Григорьева, С. А. Голубков, А. Н. Бойко. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 411-419. | |
| Авторы: | Григорьева, Т. В., Голубков, С. А., Бойко, А. Н. |
| Ключевые слова: | P–I–N-диоды, Загрязнение серой, Высокоомный кремний, Релаксационная спектроскопия глубоких уровней, Напряжение полного обеднения |
| Аннотация: | При проектировании выполненных на высокоомном кремнии p–i–n-диодных структур, чувствительных к посторонним примесям, требуется учитывать особенности технологических сред, в которых они обрабатываются, и их последующее влияние на основные характеристики изделия. Для исследования технологических примесей, которые диффундируют с поверхности в объем p–i–n-диодной структуры во время процесса ее изготовления, применяется метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, характеризующийся высокой чувствительностью, возможностью определения природы примеси и др. В работе проведено исследование p–i–n-диодных структур, выполненных на подложках высокоомного кремния, методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. С использованием спектроскопии показано наличие в запрещенной зоне кремния глубоких донорных уровней, обусловленных присутствием серы в теле p–i–n-диода. Установлено, что наличие примесной серы приводит к нежелательному снижению удельного объемного сопротивления подложки и ухудшению характеристик p–i–n-диода. Результаты исследования могут быть использованы при изготовлении p–i–n-диодов и других полупроводниковых структур на высокоомном кремнии, чувствительных к посторонним примесям |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Волобуев, П. С. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл, НПК ТЦ). Интегральный регулятор напряжения, стабильный к шумам по цепям питания / П. С. Волобуев, А. В. Коршунов, А. Н. Семенов. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 504-513. | |
| Авторы: | Волобуев, П. С., Коршунов, А. В., Семенов, А. Н. |
| Ключевые слова: | Микроэлектроника, LDO-регуляторы, Шумы по цепям питания |
| Аннотация: | В современных коммуникативных устройствах разработчики ИС широко используют схемы управления питанием. Включение в состав ИС линейных регуляторов напряжения не только позволяет формировать уровни напряжения, но и дополнительно помогает получать более чистое внутреннее питающее напряжение. Применение классических регуляторов приводит к низкому коэффициенту подавления шумов напряжения питания (Power Supply Rejection Ratio, PSRR), для получения приемлемых характеристик требуются особые решения. В работе рассмотрена структура LDO-регулятора (Low-Dropout) со сниженным падением напряжения между входом и выходом с улучшенным параметром PSRR. Предлагаемое решение обеспечивает уровень PSRR до 45 дБ в диапазоне 1–10 МГц частоты помехи с учетом профиля PSRR источника опорного напряжения, приводит к улучшению параметров стабильности регулятора напряжения и в итоге – к уменьшению выходных шумов LDO-регулятора |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Алгоритм автоматического контроля внешнего вида ИС на основе вычисления пиксельного расстояния / Б. В. Ширяев, Д. П. Аргунов, Ю. С. Жидик [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 432-446. | |
| Авторы: | Ширяев, Б. В., Аргунов, Д. П., Жидик, Ю. С., Ющенко, А. Ю., Лаптев, И. В. |
| Ключевые слова: | Автоматизация, Контроль внешнего вида, Интегральные схемы, СВЧ МИС, Фотошаблоны, Микрофотография, Карты дефектности, Нейронные сети, Детектирование дефектов |
| Аннотация: | На этапе выходного контроля оценка внешнего вида ИС позволяет отсортировать потенциально не рабочие ИС. Для повышения скорости отбраковки ИС и снижения себестоимости производства перспективной является разработка интеллектуальных автоматических систем контроля их внешнего вида. В работе предложен алгоритм автоматического контроля внешнего вида СВЧ монолитных ИС (МИС) на основе вычисления и сравнения пиксельных расстояний на соответствующих участках преобразованной микрофотографии МИС и растрированного фотошаблона. Показано, что разработанный алгоритм позволяет эффективно обнаруживать дефектные участки микрофотографий СВЧ и фотонных МИС. На основе разработанного алгоритма реализован тестовый программный продукт для осуществления процесса автоматического контроля внешнего вида СВЧ МИС в условиях производства. Тестирование разработанного алгоритма на группах микрофотографий СВЧ МИС разных топологий показало высокую скорость автоматического контроля внешнего вида СВЧ МИС при низкой расходимости с ручным контролем |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Бордюжа, В. (Автор МИЭТ (аспирант)). Автоматизация определения числа итераций в задаче восстановления смазанных изображений методом Люси – Ричардсона / В. Бордюжа, К. В. Брейкина, С. В. Умняшкин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 539-550. | |
| Авторы: | Бордюжа, В., Брейкина, К. В., Умняшкин, С. В. |
| Ключевые слова: | Восстановление изображений, Компенсация смаза, Метод Люси – Ричардсона, Автоматизированные системы, Нейронные сети |
| Аннотация: | Построение автоматизированной системы восстановления смазанных изображений по методу Люси – Ричардсона напрямую связано с определением оптимального количества итераций данного метода для получения наиболее качественного изображения. Эталонные меры качества предпочтительнее использовать в роли критерия остановки итерационного процесса, чем безэталонные меры, ввиду того, что они сильнее коррелируют с качеством изображения, воспринимаемым человеком. Однако на практике автоматизированным системам восстановления доступны только искаженные изображения. В работе предложен подход к определению количества итераций для метода Люси – Ричардсона, основанный на предсказании оптимального числа итераций эталонной меры PieAPP с помощью безэталонной меры CS. Ключевая проблема восстановления – оценка искажающего оператора – решена с помощью нейросетевого алгоритма, построенного на идеях автоэнкодеров и нейросетевой арихектуры Xception. Показано, что использование предложенного подхода позволяет улучшить качество восстановленного изображения для эталонной меры PieAPP относительно сценария восстановления с фиксированным числом итераций. Таким образом, качество автоматизированного (без участия оператора) восстановления искаженных изображений по методу Люси – Ричардсона может быть улучшено |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией / Ю. Н. Максименко, К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, В. К. Грабежова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 4. - С. 489-503. | |
| Авторы: | Максименко, Ю. Н., Петросянц, К. О., Силкин, Д. С., Грабежова, В. К. |
| Ключевые слова: | Транзисторы со статической индукцией, Физико-математические модели, Сопротивление транзистора в открытом состоянии |
| Аннотация: | Мощный высоковольтный транзистор со статической индукцией КП926 способен работать как в полевом, так и в биполярном режимах одновременно. Такой режим работы обеспечивает высокие ключевые характеристики. Однако анализ конструкции транзистора КП926 показал, что она далеко не оптимальна. В работе для определения оптимальных конструктивных и электрофизических параметров прибора предложена физико-математическая TCAD-модель транзистора со статической индукцией. С помощью данной модели проведен анализ влияния конструктивных и электрофизических параметров на основные электрические характеристики транзистора типа КП926 при работе в биполярном режиме. Определены оптимальные значения данных параметров, которые позволят при их реализации улучшить более чем в два раза такие основные электрические характеристики транзистора, как коэффициент усиления по току, сопротивление канала в открытом состоянии, быстродействие |
| Поиск: | Источник |