| Найдено документов - 1 | Источник: 250 nm GAAS HEMT ka-band 6-bit phase shifter design / E. Yu. Kotlyarov, V. V. Losev, Yu. A. Chaplygin [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕК... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 2(194). - Москва : НИИМЭ, 2024. - Текст : непосредственный : электронный. | |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: чз(Архив)-1 |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |