| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода / В. И. Гармаш, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - № 8. - С. 748-752. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/49646 (дата обращения: 17.05.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Гармаш, В. И., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Ковальчук, А. В., Шаповал, С. Ю. |
| Ключевые слова: | Плазмохимическое травление, Плазмохимическое осаждение, Нитрид кремния, ИК-Фурье-спектрометрия, Водородные связи |
| Аннотация: | Исследовано влияние атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода. Показано, как от конфигурации вхождения примесных атомов водорода в молекулярную структуру осажденного в плазме слоя нитрида кремния зависит последующий процесс его плазмохимического травления. Исследована зависимость скорости травления от параметров технологического процесса (рабочее давление в камере, мощность генератора плазмы, потоки рабочих газов, температура осаждения). Показано, что скорость травления пленки HxSirNzHy не зависит напрямую от содержания водорода, но существенно зависит от соотношения [Si-H]/[N-H]-связей. Скорость травления HxSirNzHy в плазме высокой плотности при малых мощностях значительно меньше зависит от конфигурации водородных связей, чем скорость травления этого диэлектрика в буферном травителе |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
2. Статья из журнала
| Влияние температуры формирования на морфологию por-Si, получаемого методом Pd-стимулированного химического травления / Г. О. Силаков, О. В. Воловликова, С. А. Гаврилов [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - № 8. - С. 743-747. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/49645 (дата обращения: 20.11.2020). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Силаков, Г. О., Воловликова, О. В., Гаврилов, С. А., Железнякова, А. В., Дудин, А. А. |
| Ключевые слова: | Физика, Полупроводники, Пористый кремний, Металл-стимулированое травление, Наночастицы палладия |
| Аннотация: | Изучен процесс Pd-стимулированного травления кремния в растворе, содержащем HF и H2O2. Показано влияние на морфологию получаемых слоев таких факторов, как длительность травления и температура раствора. Показано, что в процессе Pd-стимулированного травления наночастицы Pd остаются на стенках и дне пор. Такая структура, как было показано в ранних работах, обладает свойством электроокисления спиртов, что дает основания утверждать: формируемые структуры являются структурами типа структур Шоттки. С помощью диаграммы электрохимического равновесия в системе Si-HF(aq.) определена модель Pd-стимулированного травления. Показано, что происходит полирующее растворение Si без образования промежуточных продуктов (SiO2) |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |