| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 18. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов / В. И. Егоркин, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков [и др.]. - Текст : электронный // ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 18. - С. 15-17. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/51465 (дата обращения: 13.07.2021). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Егоркин, В. И. , Оболенский, С. В., Земляков, В. Е. , Зайцев, А. А., Гармаш, В. И. |
| Ключевые слова: | Ионная имплантация, Пробивное напряжение, Нитрид галлия, Силовые транзисторы |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования и разработки метода ионной имплантации азота через пассивирующий слой плазмохимического нитрида кремния для гетероструктуры AlGaN/GaN на подложке кремния в сравнении с традиционным плазмохимическим травлением. Использование такого слоя упрощает изготовление транзисторов и получение изоляции благодаря возможности смещения максимума распределения имплантированных ионов к поверхности полупроводника. За счет использования легированных углеродом буферных слоев и ионной имплантации азота получено увеличение пробивного напряжения транзисторов до 650 V |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |