| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 1(185). - Москва : НИИМЭ, 2022. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Специфика перехода к технологии "28 НМ" в части разработки фотошаблонов для проекционной фотолитографии / Н. Н. Балан, В. В. Иванов, А. В. Кузовков [и др.]. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 1(185). - С. 5-19. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48659996 (дата обращения: 01.06.2023). | |
| Авторы: | Балан, Н. Н., Иванов, В. В., Кузовков, А. В., Панкратов, А. Л., Соколова, Е. В., Харченко, Е. Л., Шипицин, Д. С. |
| Ключевые слова: | Проекционная фотолитография, Фотошаблоны, Точность совмещения, Критические линейные размеры, Спецификация на фотошаблон, Уровень 90 НМ, Уровень 28 НМ |
| Аннотация: | В условиях текущего уровня развития российской микроэлектроники переход к проектным нормам «28 нм» влечет необходимость использования как более совершенных литографических установок и фотошаблонов более высоких групп качества, так и новых для отечественных разработчиков вычислительных методов, применяемых при проектировании фотошаблонов. В статье производится обзор основных касающихся разработки ФШ технологических и инструментальных особенностей, характерных для литографии проектных норм «28 нм», в сравнении с наиболее современной из имеющихся в России серийных технологий производства СБИС - технологией проектных норм «90 нм» |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48659996 |
2. Статья из журнала
| Белов, Е. Н. (Автор МИЭТ). Определение LC параметров корпуса ИМС методом электромагнитного моделирования с целью построения высокоточной модели вывода корпуса на высоких частотах / Е. Н. Белов, М. А. Королев. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 1(185). - С. 94-104. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48660005 (дата обращения: 01.06.2023). | |
| Авторы: | Белов, Е. Н., Королев, М. А. |
| Ключевые слова: | Уравнения Максвелла, Метод конечных элементов, S-параметры, Стохастическая оптимизация, Линии передачи RLGC |
| Аннотация: | Кристаллы интегральных микросхем для защиты от влияния окружающей среды чаще всего помещаются в корпус. При этом корпус, исполняющий положительную роль защиты от внешних воздействий, отрицательно влияет на частотные и ряд других характеристик микросхем. Так, с увеличением частоты, начинают проявляться негативные эффекты, связанные с целостностью сигнала - перекрестные помехи, возникновение резонансов, связанных с одновременным переключением цифровых блоков, шумы - дребезг земли и др. Для предотвращения данных проблем требуется учитывать параметры используемого корпуса на этапе разработки схемотехники.В данной работе результаты полноволнового трехмерного электромагнитного моделирования методом конечных элементов в частотной области LGA корпуса микросхем используются для построения RLC модели вывода корпуса, которая затем дорабатывается с целью достижения большей точности модели на высоких частотах. Применение данной оптимизации позволило повысить точность модели в диапазоне частот более чем в 3 раза |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48660005 |