Матюшкин, И. В. Формально-философские вопросы коннекционизма и актуальные проблемы разработки нейроморфных систем / И. В. Матюшкин, О. А. Тельминов. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 2(186). - С. 49-59. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714247 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы:	Матюшкин, И. В., Тельминов, О. А.
Ключевые слова:	Общая теория систем, Бионика, Нелинейная динамика, Коллективное поведение, Коннекционизм, Интеллект
Аннотация:	Обсуждаются и уточняются понятия коннекционистской К-системы (и нейроморфной НМ-системы). Отмечено важное значение феноменов коллективной нелинейной динамики на нагруженном графе. Наше понимание НМ-системы восходит к исходному определению Карвера Мида. Впервые вычленены признаки К-системы, указывается на её априорный характер, т.е. невозможность строгого определения, однако таковое предложено на языке теории множеств. Посредством представления о филактерии оттеняется технологический аспект К-системы и более широкий контекст инженерии НМ-систем. Приведены примеры
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714247

Лосев, В. В. (Автор МИЭТ). Разработка схемы RSSI с автоматической компенсацией выходного смещения в технологическом базисе 90 нм / В. В. Лосев, Д. Н. Морозов, В. В. Репин. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 2(186). - С. 14-18. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=49714225 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы:	Лосев, В. В., Морозов, Д. Н., Репин, В. В.
Ключевые слова:	АЦП, Логарифмические детекторы, RSSI
Аннотация:	В работе представлена методика проектирования детекторов уровня принимаемого сигнала с автоматической коррекцией выходного смещения построенных на основе логарифмического усилителя с емкостной развязкой и гальванической связью. Описан принцип процесса логарифмирования схемы последовательного детектирования. Схемы разработаны в технологическом базисе завода«Микрон» 90 нм (HCMOS10 LP CMOS 90 nm). Представлена структурная схема и усилители-детекторы
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://elibrary.ru/item.asp?id=49714225

Повышение стойкости КМОП КНИ микросхем к дозе радиации методом подачи на подложку управляемого отрицательного напряжения / Е. С. Рыбалко, В. Д. Мещанов, Н. А. Шелепин, Д. А. Лагаев. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 2(186). - С. 60-68. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714250 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы:	Рыбалко, Е. С., Мещанов, В. Д., Шелепин, Н. А., Лагаев, Д. А.
Ключевые слова:	КНИ, Влияние дозы радиации, Отрицательное напряжение подложки, Генератор смещения подложки
Аннотация:	Рассмотрено влияние отрицательного напряжения, подаваемого на подложку КМОП КНИ микросхем, на их радиационно-индуцированный ток утечки. Предложена методика ограничения радиационно-индуцированного тока утечки управляемым отрицательным напряжением смещения подложки. Рассмотрены особенности конструкции генератора управляемого напряжения смещения подложки, предназначенного для использования в составе микросхем с повышенной радиационной стойкостью. Приведены результаты исследования образцов КМОП КНИ микросхем, показывающие эффективность применения генератора управляемого напряжения
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714250

Опыт коррекции эффектов близости при формировании изображения топологического рисунка ИС на фотошаблоне методом электронной литографии / А. Н. Беленков, В. А. Овчинников, С. И. Морозов, Н. С. Хрущев. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 2(186). - С. 35-39. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714240 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы:	Беленков, А. Н., Овчинников, В. А., Морозов, С. И., Хрущев, Н. С.
Ключевые слова:	Фотошаблоны, Литография, Электронно-лучевая литография, Дифференциация дозы экспонирования, Коррекция эффектов близости
Аннотация:	Представлен опыт разработки технологии проектирования дизайна фотошаблона, основного инструмента литографического процесса, с целью обеспечения геометрической формы топологических элементов, максимально приближенной к проектным данным
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49714240

Красников, Г. Я. (Автор МИЭТ). Исследование электрических характеристик мемристорных структур на основе нитрида кремния / Г. Я. Красников, Е. С. Горнев, Д. С. Мизгинов. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 2(186). - С. 29-34. - (статья представлена на рус. и англ. яз.). - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=49714234 (дата обращения: 01.06.2023). - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=49714238 (статья на англ. языке) (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы:	Красников, Г. Я., Горнев, Е. С., Мизгинов, Д. С.
Ключевые слова:	Мемристоры, Нитрид кремния, Хранение информации, Энергия ловушек, Концентрация ловушек
Аннотация:	В статье проведено исследование времени хранения заряда в мемристоре на основе Si3N4. Определены профиль распределения ловушек в запрещенной зоне Si3N4, их энергия и концентрация
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://elibrary.ru/item.asp?id=49714234
Ссылка на ресурс:	https://elibrary.ru/item.asp?id=49714238