| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 3(191). - Москва : НИИМЭ, 2023. - Текст : непосредственный : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Исследования зависимости коэффициента шума gan hemt транзисторов от режимов работы / Ю. А. Чаплыгин, В. В. Лосев, А. И. Хлыбов [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 3(191). - С. 29-36. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=59765998 (дата обращения: 27.02.2024).
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 3(191). - С. 29-36. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=59765998 (дата обращения: 27.02.2024).
Авторы: Чаплыгин, Ю. А., Лосев, В. В., Хлыбов, А. И., Родионов, Д. В., Котляров, Е. Ю., Егоркин, В. И.
Ключевые слова: Коэффициент шума, Минимальный коэффициент шума, У-фактор, Избыточный коэффициент шума, S-параметры, Время-импульсная рефлектометрия
Аннотация: В статье приведены результаты исследований зависимостей коэффициента шума и коэффициента усиления GaN HEMT транзисторов от режимов работы в L-диапазоне частот (1…2 ГГц). Отмечено, что минимальные измеренные значения коэффициента шума (менее 1,0 дБ) находятся в диапазоне напряжений на стоке 2,5…5,5 В и плотностей тока стока 40…80 мА/мм. Минимальный коэффициент шума (NFmin) имеет значение не более 0,G5 дБ
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=59765998