| Найдено документов - 1 | Источник: Исследования зависимости коэффициента шума gan hemt транзисторов от режимов работы / Ю. А. Чаплыгин, В. В. Лосев, А. И. Хлыбов [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕ... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 3(191). - Москва : НИИМЭ, 2023. - Текст : непосредственный : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |