Исследование влияния температуры кремниевых пластин в BOSCH-процессе на характеристики формируемых глубоких структур с малыми аспектными отношениями / А. А. Голишников, В. В. Парамонов, И. В. Потапенко [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 3(195). - С. 34-39. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=80397323 (дата обращения: 12.03.2025).

Аннотация: Исследован Bosch-процесс глубокого анизотропного плазменного травления кремниевых структур с малыми аспектными отношениями. Показано, что основной причиной неравномерности травления, отклонения профиля протравленной структуры от вертикального и проявления эффекта «черного» кремния является перегрев пластины во время процесса ГАПТ кремния. Установлены зависимости скорости травления кремния, угла наклона стенки элементов, подтрава и наличия «черного» кремния от температуры подложки во время Bosch-процесса. Разработан процесс глубокого анизотропного плазменного травления кремниевых структур глубиной порядка 380 мкм в аспектном отношении 1:30, использующий интервальное разбиение циклов травления и позволяющий формировать глубокие и сквозные отверстия для технологий МЭМС и трёхмерной интеграции кристаллов

Investigation of the influence of silicon wafer temperature in the bosch process on the characteristics of deep structures formed with small aspect ratios / A. A. Golishnikov, V. V. Paramonov, I. V. Potapenko [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 3(195). - С. 40-45. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=80397324 (дата обращения: 12.03.2025).

Аннотация: Bosch is a process of deep anisotropic plasma etching of silicon structures with small aspect ratios. It is shown that the main reason for the uneven etching, the deviation of the etched structure pro le from the vertical and the manifestation of the “black silicon” e ect is the overheating of the plate during the silicon DRIE process. The dependences of the silicon etching rate, the angle of inclination of the wall of the elements, the etching and the presence of “black silicon” on the substrate temperature during the Bosch process are established. A process of deep anisotropic plasma etching of silicon structures with a depth of about 380 microns and an aspect ratio of 1:30 has been developed, using interval splitting of etching cycles and allowing the formation of deep and through holes for MEMS technologies and three-dimensional crystal integration