| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 1(201). - Москва : НИИМЭ, 2026. - Текст : непосредственный : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Экспериментальные исследования и экстракция параметров моделей пассивных СВЧ- компонентов для технологии GAN на кремнии / А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов, Е. Ю. Котляров [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2026. - № 1(201). - С. 5-15. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=89332567 (дата обращения: 13.07.2026). | |
| Авторы: | Хлыбов, А. И., Родионов, Д. В., Котляров, Е. Ю., Лосев, В. В., Егоркин, В. И. |
| Ключевые слова: | Интегральная индуктивность, Модель катушки индуктивности, СКИН-эффект, Микрополосок, МДМ-конденсатор, Переходное отверстие, S-параметры, Экстракция параметров, INTEGRAL INDUCTANCE, GAN HEMT, INDUCTOR MODEL, SKIN-EFFECT, MICROSTRIP, MIM CAPACITOR, VIA, S-PARAMETERS, EXTRACTION OF PARAMETERS |
| Аннотация: | Использование полупроводников с широкой запрещенной зоной в различных областях техники становится все более актуальным. Благодаря своим превосходным свойствам нитрид галлия (GaN) и соединения на его основе (например, AlxGa1-xN) являются перспективными полупроводниками для следующего поколения мощных и высокочастотных устройств. Активно развивающиеся технологии на основе GaN ориентированы главным образом на разработку аналоговых СВЧ-микросхем, поэтому разработка моделей пассивных компонентов СВЧ-тракта и экстракция параметров этих моделей являются актуальной задачей. В работе приведены экспериментальные исследования параметров элементов СВЧ-тракта, предложены их модели для технологического процесса GaN на кремнии. Получены аналитические выражения для параметров моделей, на основе которых разработана методика экстракции электрических параметров модели из экспериментальных данных. Результаты измерений и моделирования параметров элементов СВЧ-тракта показали хорошее совпадение в диапазоне частот 0,01-20,0 ГГц. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических библиотек GaN на кремнии |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://elibrary.ru/item.asp?id=89332567 |
2. Статья из журнала
| Псху, Д. А. (Автор МИЭТ; Pskhu, D. A.). Исследование особенностей и разработка рекомендаций к методикам тестирования МОП-транзисторов на стойкость к эффекту термополевой нестабильности / Д. А. Псху, М. Г. Путря, Д. А. Максимов. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2026. - № 1(201). - С. 70-78. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=89332574 (дата обращения: 13.07.2026). | |
| Авторы: | Псху, Д. А., Путря, М. Г., Максимов, Д. А. |
| Ключевые слова: | Надёжность, Ускоренные испытания, МОП-транзисторы: Термополевая нестабильность, RELIABILITY, ACCELERATED TESTING, MOSFET, BIAS TEMPERATURE INSTABILITY |
| Аннотация: | В работе представлены результаты экспериментального исследования влияния эффекта восстановления характеристик p-канальных МОП-транзисторов в процессе испытаний на стойкость к эффекту термополевой нестабильности. Разработаны рекомендации к методикам тестирования и средствам проведения измерений для повышения достоверности получаемых результатов оценки деградации электрических характеристик МОП-транзисторов |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://elibrary.ru/item.asp?id=89332574 |
3. Статья из журнала
| Pskhu, D. A. (Автор МИЭТ; Псху, Д. А.). Research of features and development of recommendations for mosfet bias temperature instability testing methods / D. A. Pskhu, M. G. Putrya, D. A. Maksimov. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2026. - № 1(201). - С. 79-86. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=89332575 (дата обращения: 13.07.2026). | |
| Авторы: | Pskhu, D. A., Putrya, M. G., Maksimov, D. A. |
| Ключевые слова: | Надёжность, Ускоренные испытания, МОП-транзисторы: Термополевая нестабильность, RELIABILITY, ACCELERATED TESTING, MOSFET, BIAS TEMPERATURE INSTABILITY |
| Аннотация: | В работе представлены результаты экспериментального исследования влияния эффекта восстановления характеристик p-канальных МОП-транзисторов в процессе испытаний на стойкость к эффекту термополевой нестабильности. Разработаны рекомендации к методикам тестирования и средствам проведения измерений для повышения достоверности получаемых результатов оценки деградации электрических характеристик МОП-транзисторов |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://elibrary.ru/item.asp?id=89332575 |