| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 4(192). - Москва : НИИМЭ, 2023. - Текст : непосредственный : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Проектирование МИС малошумящего усилителя X-диапазона частот на основе технологического процесса 0,5 мкм GaAs pHEMT / В. В. Лосев, А. В. Кондратенко, П. С. Сорвачев, А. М. Кулиш. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 4(192). - С. 27-35. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242127 (дата обращения: 18.06.2024).
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 4(192). - С. 27-35. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242127 (дата обращения: 18.06.2024).
Авторы: Лосев, В. В., Кондратенко, А. В., Сорвачев, П. С., Кулиш, А. М.
Ключевые слова: AAS, PHEMT, Малошумящие усилители, СВЧ монолитные интегральные схемы
Аннотация: Одним из важнейших функциональных узлов приёмника в составе приёмопередающей аппаратуры является малошумящий усилитель (МШУ). В данной работе представлен процесс проектирования монолитной интегральной схемы (МИС) МШУ X-диапазона частот (8…12 ГГц). Проектирование выполнено с использованием библиотеки стандартных элементов GaAs технологического процесса pHEMT05D АО «Светлана-Рост», активными элементами в котором являются нормально открытые псевдоморфные транзисторы с высокой подвижностью электронов с длиной затвора 0,5 мкм
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242127
2. Статья из журнала
Шевяков, В. И. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл).
Исследование влияния примеси рения на механические свойства тонких пленок вольфрама металлизации высокотемпературных кремневых ИС / В. И. Шевяков, А. В. Тимаков. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 4(192). - С. 51-54. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242130 (дата обращения: 18.06.2024).
Исследование влияния примеси рения на механические свойства тонких пленок вольфрама металлизации высокотемпературных кремневых ИС / В. И. Шевяков, А. В. Тимаков. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2023. - № 4(192). - С. 51-54. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242130 (дата обращения: 18.06.2024).
Авторы: Шевяков, В. И., Тимаков, А. В.
Ключевые слова: Тонкие пленки, Вольфрам, Рений, Механическое напряжение, Рениевый эффект
Аннотация: Данная работа посвящена исследованию влияния примеси рения на механические и проводящие свойства тонких пленок вольфрама. Получены результаты исследования адгезивных свойств пленок. Проведено исследование уровня механических напряжений, которое соответствует полученным теоретически данным. Измерено удельное сопротивление для пленок чистого вольфрама и пленок с легирующим рением 5, 10, 15 и 20%. Получены пленки, соответствующие требованиям отраслевых стандартов
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67242130